"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние акцепторной примеси бериллия на оптические свойства монокристаллического AlN
Переводная версия: 10.1134/S1063782620030148
Russian Foundation for Basic Research, № 19-02-00649
Мохов Е.Н.1, Рабчинский M.К.1, Нагалюк С.С.1, Гафуров М.Р.2, Казарова О.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Казанский (Приволжский) федеральный университет, Казань, Россия
Email: Mokhov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

Исследовано влияние высокотемпературной (T=1880oC) диффузии ионов бериллия на свойства монокристаллического нитрида алюминия. Показано, что постростовое легирование AlN бериллием приводит к компенсации мелких донорных центров кремния, входящих в решетку AlN неконтролируемым образом в ходе роста. Установлено, что введение Be в решетку AlN приводит к снижению оптического поглощения последнего в видимом и ультрафиолетовом диапазонах. Совокупность результатов объясняется сдвигом положения уровня Ферми, вызванным введением акцепторной примеси бериллия, в сторону потолка валентной зоны AlN. Ключевые слова: AlN, примесь Ве, диффузия, оптические свойства.
  1. J.Y. Tsao, S. Chowdhury, M.A. Hollis, D. Jena, N.M. Johnson, K.A. Jones, R.J. Kaplar, S. Rajan, C.G. Van de Walle, E. Bellotti, C.L. Chua, R. Collazo, M.E. Coltrin, J.A. Cooper, K.R. Evans, S. Graham, T.A. Grotjohn, E.R. Heller, M. Higashiwaki, M.S. Islam, P.W. Juodawlkis, M.A. Khan, A.D. Koehler, J.H. Leach, U.K. Mishra, R.J. Nemanich, R.C.N. Pilawa-Podgurski, J.B. Shealy, Z. Sitar, M.J. Tadjer, A.F. Witulski, M. Wraback, J.A. Simmons. Adv. Electron. Mater., 4, 1600501 (2018)
  2. T.Y. Chemekova, O.V. Avdeev, I.S. Barash, E.N. Mokhov, S.S. Nagalyuk, A.D. Roenkov, A.S. Segal, Y.N. Makarov, M.G. Ramm, S. Davis, G. Huminic, H. Helava. Phys. Status Solidi C, 5, 1612 (2008)
  3. B. Monemar, P.P. Paskov, J.P. Bergman, A.A. Toropov, T.V. Shubina. Phys. Status Solidi B, 244, 1759 (2007)
  4. Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto. Nature, 441, 325 (2006)
  5. S.B. Orlinskii, J. Schmidt, P.G. Baranov, M. Bickermann, B.M. Epelbaum, A. Winnacker. Phys. Rev. Lett., 100, 256404 (2008)
  6. X.Th. Trinh, D. Nilsson, I.G. Ivanov, E. Janzn, A. Kakanakova-Georgieva, N.T. Son. Appl. Phys. Lett., 105, 162106 (2014)
  7. V.A. Soltamov, I.V. Ilyin, A.A. Soltamova, D.O. Tolmachev, N.G. Romanov, A.S. Gurin, V.A. Khramtsov, E.N. Mokhov, Yu.N. Makarov, G.V. Mamin, S.B. Orlinskii. Appl. Magn. Reson., 44, 1139 (2013).
  8. V.A. Soltamov, M.K. Rabchinskii, B.V. Yavkin, O.P. Kazarova, S.S. Nagalyuk, V.Y. Davydov, A.N. Smirnov, V.F. Lebedev, E.N. Mokhov, S.B. Orlinskii, P.G. Baranov. Appl. Phys. Lett., 113, 082104 (2018)
  9. O.V. Avdeev, T.Yu. Chemekova, H. Helava, M.G. Ramm, Yu.N. Makarov, E.N. Mokhov, S.S. Nagalyuk, A.S. Segal. Growth of Bulk AlN Crystals. In: Comprehensive Semiconductor Science and Technology (2011) p. 282. DOI: 10.1016/B978-0-44-453153-7.00094-8/
  10. Ю.П. Маслаковец, Е.Н. Мохов, Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина. ФТТ, 10, 809 (1968). [Yu.P. Maslakovets, E.N. Mokhov, Yu.A. Vodakov, G.A. Lomakina. Sov. Phys. Solid State, 10, 634(1968).]
  11. V.A. Soltamov, I.V. Ilyin, A.A. Soltamova, D.O. Tolmachev, N.G. Romanov, A.S. Gurin, E.N. Mokhov, P.G. Baranov. Phys. Status Solidi C, 9, 745 (2012)
  12. A. Sedhain, L. Du, J.H. Edgar, J.Y. Lin, H.X. Jiang'. Appl. Phys. Lett., 95, 262104 (2009)
  13. Q. Yan, A. Janotti, M. Schefler, C.G. Van de Walle, App. Phys. Lett., 105, 111104 (2014)
  14. B.E. Gaddy, Z. Bryan, I. Bryan, J. Xie, R. Dalmau, B. Moody, Y. Kumagai, T. Nagashima, Y. Kubota, T. Kinoshita, A. Koukitu, R. Kirste, Z. Sitar, R. Collazo, D.L. Irving. Appl. Phys. Lett., 104, 202106 (2014)
  15. K. Irmscher, C. Hartmann, C. Guguschev, M. Pietsch, J. Wollweber, M. Bickermann. J. Appl. Phys., 114, 123505 (2013)
  16. C. Hartmann, J. Wollweber, S. Sintonen, A.A. Dittmar, L. Kirste, S. Kollowa, K. Irmschera, M. Bickermanna. Cryst. Eng. Comm., 18, 3488 (2016)
  17. V.Y. Davydov, Y.E. Kitaev, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, J. Graul, O. Semchinova, D. Uffmann, M.B. Smirnov, A.P. Mirgorodsky, R.A. Evarestov. Phys. Rev. B, 58, 12899 (1998)
  18. M. Kuball, J.M. Hayes, Y. Shi, J.H. Edgar. Appl. Phys. Lett., 77 (2012).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.