"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Разогрев электронов в чистом Ge в квантовом магнитном поле при термическом возбуждении носителей заряда
Переводная версия: 10.1134/S1063782620030057
Банная В.Ф. 1, Никитина Е.В. 2
1Московский Педагогический Государственный Университет, Москва, Россия
2Российский университет дружбы народов, Москва, Россия
Email: enikitina@sci.pfu.edu.ru
Поступила в редакцию: 8 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

Рассмотрены результаты экспериментального исследования разогрева носителей заряда электрическим полем ( E) в чистом Ge в квантовом магнитном поле ( H) при ( E normal H) при низких температурах, T=4.2, 1.8 K, в условиях термовозбуждения. Показано, что в этих условиях на среднее время жизни носителей влияет зависимость от E и H коэффициента термической ионизации. Полученные результаты качественно согласуются с теорией каскадного захвата носителей на изолированные центры в скрещенных электрическом и магнитном полях. Ключевые слова: квантованность, каскадный захват, электрическое поле, постоянная Холла, магнитное поле.
  1. В.Ф. Банная, Е.В. Никитина. ФТП, 53 (1), 13 (2019)
  2. В.Н. Абакумов, Л.Н. Крещук, И.Н. Яссиевич. ФТП, 12 (2), 264 (1978)
  3. Л.Н. Крещук. ФТП, 13, 919 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.