"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние примесей металлов на рекомбинационную активность дислокаций в мультикристаллическом кремнии
Феклисова О.В.1, Ю Х.2, Янг Д.2, Якимов Е.Б.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Государственная ключевая лаборатория кремниевых материалов, Чжэцзянский университет, Ханьжоу, Китай
Поступила в редакцию: 17 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.

Методом наведенного тока исследовано влияние атомов железа, меди и никеля, введенных при высокотемпературной диффузии, на рекомбинационные свойства дислокаций в мультикристаллическом кремнии. Показано, что влияние всех трех примесей качественно одинаково. Рекомбинационная активность дислокаций остается ниже предела обнаружения в режиме наведенного тока как в исходных образцах, так и после диффузии переходных металлов. Такое поведение дислокаций объясняется в предположении, что дислокации уже в исходных образцах насыщены примесями.
  1. S. Martinuzzi, S. Pizzini. In: Advanced Silicon \& Semiconducting Silicon-Alloy Based Materials \& Devices, ed. by J.F.A. Nijs (Norfolk, IOP Publishing Ltd, 1994) p. 323
  2. A.A. Istratov, T. Buonassisi, R.J. McDonald, A.R. Smith, R. Schindler, J.A. Rand, J.P. Kalejs, E.R. Weber. J. Appl. Phys., 94, 6552 (2003)
  3. I.E. Bondarenko, E.B. Yakimov. Sol. St. Phenomena, 1--2, 59 (1988)
  4. V. Kveder, M. Kittler, W. Schroter. Phys. Rev. B, 63, 115 208 (2001)
  5. M. Kittler, W. Seifert, Z.J. Radzimski. Appl. Phys. Lett., 62, 2513 (1993)
  6. V. Higgs, M. Kittler. Appl. Phys. Lett., 63, 2085 (1993)
  7. M. Kittler, C. Ulhaq-Bouillet, V. Higgs. J. Appl. Phys., 78, 4573 (1995)
  8. O.F. Vyvenko, M. Kittler, W. Seifert. J. Appl. Phys., 96, 6425 (2004)
  9. В.Г. Еременко, В.И. Никитенко, Е.Б. Якимов. Письма ЖЭТФ, 26 (2), 72 (1977)
  10. E.B. Yakimov. J. Phys. III, 7, 2293 (1997)
  11. Е.Б. Якимов. Поверхность, 3, 15 (2003)
  12. С.К. Брантов, О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов. Поверхность, 10, 42 (2011)
  13. M. Kittler, W. Seifert, O. Kruger. Sol. St. Phenomena, 78--79, 39 (2001)
  14. M. Rinio, S. Peters, M. Werner, A. Lawerenz, H.J. Moller. Sol. St. Phenomena, 82--84, 701 (2002)
  15. K. Graff. Metal impurities in silicon-device fabrication (Berlin, Springer, 1995) chap. 4
  16. J. Chen, T. Sekiguchi. Jpn. J. Appl. Phys., 46, 6489 (2007)
  17. О.В. Феклисова, Х. Ю, Д. Янг, Е.Б. Якимов. Поверхность (2012) (принята к печати)
  18. J. Chen, T. Sekiguchi, D. Yang, F. Yin, K. Kido, S. Tsurekawa. J. Appl. Phys., 96, 5490 (2004)
  19. A. Ihlal, R. Rizk, O.B.M. Hardouin Duparc. J. Appl. Phys., 80, 2665 (1996)
  20. О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов. ФТТ, 53, 1175 (2011).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.