Влияние примесей металлов на рекомбинационную активность дислокаций в мультикристаллическом кремнии
Феклисова О.В.1, Ю Х.2, Янг Д.2, Якимов Е.Б.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Государственная ключевая лаборатория кремниевых материалов, Чжэцзянский университет, Ханьжоу, Китай
Поступила в редакцию: 17 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.
Методом наведенного тока исследовано влияние атомов железа, меди и никеля, введенных при высокотемпературной диффузии, на рекомбинационные свойства дислокаций в мультикристаллическом кремнии. Показано, что влияние всех трех примесей качественно одинаково. Рекомбинационная активность дислокаций остается ниже предела обнаружения в режиме наведенного тока как в исходных образцах, так и после диффузии переходных металлов. Такое поведение дислокаций объясняется в предположении, что дислокации уже в исходных образцах насыщены примесями.
- S. Martinuzzi, S. Pizzini. In: Advanced Silicon \& Semiconducting Silicon-Alloy Based Materials \& Devices, ed. by J.F.A. Nijs (Norfolk, IOP Publishing Ltd, 1994) p. 323
- A.A. Istratov, T. Buonassisi, R.J. McDonald, A.R. Smith, R. Schindler, J.A. Rand, J.P. Kalejs, E.R. Weber. J. Appl. Phys., 94, 6552 (2003)
- I.E. Bondarenko, E.B. Yakimov. Sol. St. Phenomena, 1--2, 59 (1988)
- V. Kveder, M. Kittler, W. Schroter. Phys. Rev. B, 63, 115 208 (2001)
- M. Kittler, W. Seifert, Z.J. Radzimski. Appl. Phys. Lett., 62, 2513 (1993)
- V. Higgs, M. Kittler. Appl. Phys. Lett., 63, 2085 (1993)
- M. Kittler, C. Ulhaq-Bouillet, V. Higgs. J. Appl. Phys., 78, 4573 (1995)
- O.F. Vyvenko, M. Kittler, W. Seifert. J. Appl. Phys., 96, 6425 (2004)
- В.Г. Еременко, В.И. Никитенко, Е.Б. Якимов. Письма ЖЭТФ, 26 (2), 72 (1977)
- E.B. Yakimov. J. Phys. III, 7, 2293 (1997)
- Е.Б. Якимов. Поверхность, 3, 15 (2003)
- С.К. Брантов, О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов. Поверхность, 10, 42 (2011)
- M. Kittler, W. Seifert, O. Kruger. Sol. St. Phenomena, 78--79, 39 (2001)
- M. Rinio, S. Peters, M. Werner, A. Lawerenz, H.J. Moller. Sol. St. Phenomena, 82--84, 701 (2002)
- K. Graff. Metal impurities in silicon-device fabrication (Berlin, Springer, 1995) chap. 4
- J. Chen, T. Sekiguchi. Jpn. J. Appl. Phys., 46, 6489 (2007)
- О.В. Феклисова, Х. Ю, Д. Янг, Е.Б. Якимов. Поверхность (2012) (принята к печати)
- J. Chen, T. Sekiguchi, D. Yang, F. Yin, K. Kido, S. Tsurekawa. J. Appl. Phys., 96, 5490 (2004)
- A. Ihlal, R. Rizk, O.B.M. Hardouin Duparc. J. Appl. Phys., 80, 2665 (1996)
- О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов. ФТТ, 53, 1175 (2011).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
