"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние радиационных дефектов, созданных низкоэнергетическими протонами при температуре 83 K, на характеристики кремниевых фотоэлектрических структур
Переводная версия: 10.1134/S1063782620020062
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Южный научный центр Российской академии наук, Государственное задание, № государственной регистрации проекта 01201354240
Богатов Н.М. 1, Григорьян Л.Р. 1, Коваленко А.И.1, Коваленко М.С. 1, Колоколов Ф.А. 1,2, Лунин Л.С. 3
1Кубанский государственный университет, Краснодар, Россия
2Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева, Москва, Россия
3Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Email: bogatov@phys.kubsu.ru, leonmezon@mail.ru, koval.86@mail.ru, m.s.kovalenko@ya.ru, kolokolov@muctr.ru, lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 30 сентября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

Облучение низкоэнергетическими протонами приводит к изменению электрофизических, оптических и других свойств поверхностной области полупроводниковых структур, что создает дополнительные возможности модификации полупроводниковых приборов. Работа посвящена изучению влияния радиационных дефектов, созданных низкоэнергетическими протонами при температуре образцов 83 K, на свойства двусторонних кремниевых фотоэлектрических структур с диффузионным n^+-p-переходом. Образцы n^+-p-p^+-типа облучались потоком протонов с дозой 1015-2 и энергией 40 либо 180 кэВ. Для объяснения наблюдаемых закономерностей изменения параметров вольт-амперных характеристик и коэффициентов пропускания рассчитано распределение среднего числа межузельного кремния, вакансий, дивакансий и областей разупорядочения, созданных при этих условиях на единице длины проективного пробега одним протоном в диффузионном слое и области пространственного заряда n^+-p-перехода. Показано, что протоны с начальной энергией 40 кэВ преимущественно изменяют физические свойства слоя с высокой концентрацией доноров, а протоны с начальной энергией 180 кэВ --- свойства области пространственного заряда в слое, содержащем акцепторы. Количество радиационных дефектов в максимуме пространственного распределения в n-области много меньше, чем в p-области. Ключевые слова: радиационные дефекты, протоны, кремний, n-p-переход, вольт-амперная характеристика, спектр пропускания.
  1. M. Paulescu, D. Vizman, M. Lascu, R. Negrila, M. Stef. AIP Conf. Proceedings, 1796, 040010 (2017)
  2. S. Park, J.C. Bourgoin, H. Sim, C. Baur, V. Khorenko, O. Cavani, J. Bourcois, S. Picard, B. Boizot. Progr. Photovolt. Res. Appl., 26, 778 (2018)
  3. O.A. Oraby, M.F. El-Kordy, H.T. El-Madany, F.H. Fahmy. Int. J. Sci., Engin. Technol. Res. (IJSETR) 3, 173 (2014)
  4. P.A. Iles. Solar Energy Mater. Solar Cells, 68, 1 (2001)
  5. В.А. Козлов, В.В. Козловский. ФТП, 35, 769 (2001)
  6. V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, V.V. Emtsev, G.A. Oganesyan. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 384, 100 (2016)
  7. V.V. Kozlovski, A.E. Vasil'ev, A.A. Lebedev. J. Surf. Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techn., 10, 693 (2016)
  8. Y.A. Agafonov, N.M. Bogatov, L.R. Grigorian, V.I. Zinenko, A.I. Kovalenko, M.S. Kovalenko, F.A. Kolokolov. J. Surf. Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techn., 12, 499 (2018)
  9. H.N. Yeritsyan, A.A. Sahakyan, N.E. Grigoryan, V.V. Harutunyan, V.A. Sahakyan, A.A. Khachatryan.. J. Mod. Phys., 6, 1270 (2015)
  10. T. Pagava, L. Chkhartishvili. Nano Res. Appl., 3, 1 (2017)
  11. I. Pintilie, L.C. Nistor, S.V. Nistor, A.C. Joita. Proc. Science the 25th Int. Workshop on vertex detectors, September 26-30, Location La Biodola, Isola d'Elba, Italy, 033, 1 (2016)
  12. Н.М. Богатов. Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед., 8, 66 (1999)
  13. N.M. Bogatov, M.S. Kovalenko. AASCIT J. Phys., 3, 13 (2017)
  14. Н.М. Богатов, Л.Р. Григорьян, А.В. Кленевский, М.С. Коваленко. Эколог. вестн. науч. центров Черноморского эконом. сотрудничества, 16, 59 (2019)
  15. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы: Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.