"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge-Sb-Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
Переводная версия: 10.1134/S106378262002013X
Кастро Арата Р.А.1, Стожаров В.М.1, Долгинцев Д.М.1, Кононов А.А.1, Сайто Ю.2, Фонс П.2, Томинага Дж.2, Анисимова Н.И. 1, Колобов А.В.1,2
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный институт передовых промышленных наук и технологий, 30 Хигаси, Цукуба, Япония
Email: recastro@herzen.spb.ru, n_anisim@mail.ru
Поступила в редакцию: 15 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

Представлены результаты исследования структуры и процессов диэлектрической релаксации в тонких слоях системы Ge-Sb-Te. Обнаруженные дисперсия диэлектрической проницаемости и существование максимумов диэлектрических потерь в области низких частот объясняются структурными особенностями аморфной фазы исследуемых соединений. Ключевые слова: структурные и диэлектрические свойства, халькогенидная система Ge-Sb-Te.
  1. D. Cha, H. Kim, Y. Hwang, J. Jeong, J. Kim. Appl. Optics, 51 (23), 5649 (2012)
  2. G.E. Snopatin, V.S. Shiryaev, V.G. Plotnichenko, E.M. Dianov, M.F. Churbanov. Inorganic Mater., 45 (13), 1439 (2009)
  3. J. Charrier, M.L. Brandily, H. Lhermite, K. Michel, B. Bureau, F. Verger, V. Nazabal. Sensors Actuators B: Chem., 173, 468 (2012)
  4. B. Zhang, W. Guo, Y. Yu, C. Zhai, S. Qi, A. Yang, L. Li, Z. Yang, R. Wang, D. Tang, G. Tao, B. Luther-Davies. J. Am. Ceramic Soc., 98 (5), 1389 (2015)
  5. A.V. Kolobov, P. Fons, A.I. Frenkel, A.L. Ankudinov, J. Tominaga, T. Uruga. Nature Materials, 3, 703 (2004)
  6. K. Shportko, S. Kremers, M. Woda, D. Lencer, J. Robertson, M. Wuttig, Nature Materials, 7, 653 (2008)
  7. T. Siegrist, P. Jost, H. Volker, M. Woda, P. Merkelbach, C. Schlockermann, M. Wuttig. Nature Materials, 10, 202 (2011)
  8. W. Zhang, A. Thiess, P. Zalden, R. Zeller, P.H. Dederichs, J.Y. Raty, M. Wuttig, S. Blugel, R. Mazzarello, Nature Materials, 11, 952 (2012)
  9. S. Gabardi, S. Caravati, G.C. Sosso, J. Behler, M. Bernasconi. Phys. Rev. B, 92 054201 (2015)
  10. S.A. Kozyukhin, K.D. Tsendin, H.P. Nguyen, V.V. Kozik. Изв. вузов. Физика, 57 (7/2), 67 (2014)
  11. E. Prokhorov, J.J. Gervacio-Arciniega, G. Luna-Barcenas, Y. Kovalenko, F.J. Espinoza-Beltran, G. Trapaga. J. Appl. Phys., 113, 113705 (2013)
  12. R.A. Castro, V.A. Bordovsky, N.I. Anisimova, G.I. Grabko. Semiconductors, 49 (3), 365 (2009)
  13. М.И. Корсунский. Физика рентгеновых лучей (М.-Л., ОНТИ, 1936)
  14. N.I. Anisimova, V.A. Bordovsky, G.I. Grabko, R.A. Castro. Semiconductors, 44 (8), 1004 (2010)
  15. K. Kremer, A. Schonhals. Broadband dielectric spectroscopy (Springer, Berlin--Heidelberg, 2003)
  16. J. Akola, R.O. Jones. Phys. Rev. B, 76, 235201 (2007)
  17. S. Caravati, M. Bernasconi, T.D. Kuhne, M. Krack, M. Parrinello. Appl. Phys. Lett., 91, 171906 (2007)
  18. M. Krbal, A.V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, S.R. Elliott, J. Hegedus, T. Uruga. Phys. Rev. B, 83, 054203 (2011)
  19. J. Tominaga, T. Shima, M. Kuwahara, T. Fukaya, A. Kolobov, T. Nakano. Nanotechnology, 15, 411 (2004)
  20. A.V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga, A.I. Frenkel, A.L. Ankudinov, S.N. Yannopoulos, K.S. Andrikopoulos, T. Uruga. Jpn. J. Appl. Phys., 44, 3345 (2005)
  21. J. Hegedus, S.R. Elliott. Nature Materials, 7, 399 (2008)
  22. R. Ruiz Santos, E. Prokhorov, J. Gonzalez-Hernandez, G. Luna-Barcenas, Yu. Kovalenko. J. Non-Cryst. Sol., 356, 2541 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.