"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О защите высоковольтных мезаструктурных 4H-SiC-приборов от поверхностного пробоя: прямая фаска
Переводная версия: 10.1134/S1063782620020153
Лебедева Н.М., Ильинская Н.Д., Иванов П.А.
Email: Natali_lebedeva@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

Рассматриваются перспективы защиты высоковольтных 4H-SiC-приборов от краевого пробоя путем формирования мезаструктур с наклонными стенками, образующими прямую фаску. Проведено численное моделирование пространственного распределения электрического поля в высоковольтных (~1500 В) обратносмещенных мезаэпитаксиальных 4H-SiC p+-p-n0-n+-диодах. Показано, что снятие прямой фаски под углами менее 10o от плоскости p-n0-перехода позволяет в несколько раз уменьшить краевое поверхностное поле по сравнению с полем в объеме. Для 4H-SiC-диодов с p+-n0-n+-структурой, диодов Шоттки с no-базой, биполярных n+-p-n0-транзисторов предлагается комбинированный способ защиты --- имплантация бора в периферийную область приборов в сочетании с формированием прямой фаски. Кратко рассматривается возможность изготовления мезаструктур с наклонными стенками с помощью фотолитографии и сухого травления карбида кремния. Ключевые слова: карбид кремния, диод, прямая фаска, моделирование, сухое травление.
  1. T. Kimoto, J.A. Cooper. Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices, and applications (Wiley-IEEE Press, 1 edn, 2014)
  2. D.C. Sheridan, G. Niu, J.N. Merrett, J.D. Cressler, C. Ellis, C.-C. Tin. Sol. St. Electron., 44, 1367 (2000)
  3. П.А. Иванов, И.В. Грехов, Н.Д. Ильинская, Т.П. Самсонова. ФТП, 43, 527 (2009)
  4. D.C. Sheridan, G. Niu, J.D. Cressler. Sol. St. Electron., 45, 1659 (2001)
  5. P. Alexandrov, J.H. Zhao, W. Wright, M. Pan, M. Weiner. Electron. Lett., 37, 1139 (2001)
  6. П.А. Иванов, И.В. Грехов, Н.Д. Ильинская, Т.П. Самсонова, А.С. Потапов. ФТП, 39, 1475 (2005)
  7. X. Deng, H. Xiao, J. Wu, H. Shen, C. Li, Y. Tang, Y. Zhang, B. Zhang. Superlat. Microstruct., 88, 167 (2015)
  8. Ю.А. Евсеев, П.Г. Дерменжи. Силовые полупроводниковые приборы (М., Энергоатомиздат, 1981)
  9. А.Л. Сыркин, И.В. Попов, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 12, 240 (1986)
  10. П.А. Иванов, О.И. Коньков, Т.П. Самсонова, А.С. Потапов. Письма ЖТФ, 44, 3 (2018)
  11. И.В. Грехов, П.А. Иванов, Н.Д. Ильинская, О.И. Коньков, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова. ФТП, 42, 211 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.