Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2020, выпуск 2 » Статья стр. 195
<<<>>>
Влияние температуры на характеристики 4H-SiC-фотоприемника
DOI: 10.21883/FTP.2020.02.48903.9266
Переводная версия: 10.1134/S1063782620020128
Калинина Е.В.1, Виолина Г.Н.2, Никитина И.П.1, Иванова Е.В.1, Забродский В.В.1, Шварц М.З.1, Левина С.А.1, Николаев А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: evk@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 сентября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.
PDF версия
Выявлено и объяснено в рамках теории фотопроводимости влияние концентрации носителей заряда в диапазоне (1-50)·1014 см-3 в n-4H-SiC CVD эпитаксиальных слоях на спектральные характеристики ультрафиолетовых фотоприемников c Сr-барьерами Шоттки в интервале 200-400 нм. Барьеры Шоттки с толщиной пленки Cr 20 нм и диаметром 8 мм формировались термовакуумным напылением через маски. Наблюдалось заметное влияние концентрации носителей заряда в CVD эпитаксиальных слоях на спектральные характеристики фотоприемников при нагреве до 200oС, что объясняется различием генерационно-рекомбинационных процессов. Облучение фотоприемников протонами с энергией 15 МэВ флюенсом 4·1012 см-2 при температуре 200oС приводило к возрастанию квантовой эффективности по сравнению с образцами, облученными в аналогичных режимах при 25oС. Это свидетельствует о возрастании радиационного и временного ресурсов 4H-SiC-приборов при повышенных температурах. Ключевые слова: карбид кремния, облучение, протоны, квантовая эффективноcть, флюенс.
  1. E. Monroy, F. Omnes, F. Calle. Semicond. Sci. Technol., 18 (4), R33 (2003)
  2. R.A. Miller, H. So, T.A. Heuser, D. G. Senesky. J. Vacuum Sci. Technol. B, 33 (4), 04602 (20015)
  3. D. Decoster, J. Harari. Ultraviolet Photodetectors in Optoelectronic Sensors, Hoboken (N.J., John Willey \& Sons, Inc., 2009)
  4. Yu. Goldberg. Semicond. Sci. Technol., 14, R41 (1999)
  5. T. Saito, T. Hitora, H. Ishihara, M. Matsuoka, H. Hitora, H. Kawai, I. Saito, E. Yamaguchi. Metrologia, 46, S272 (2009)
  6. Z. Alaie, S.M. Hejad, M.H. Yousefi. Mater. Sci. Semicond. Processing, 29, 16 (2015)
  7. D. Prasai, W. John, L. Weixelbaum, O. Kruger, G. Wagner, P. Sperfeld, S. Nowy, D. Friedrich, S. Winter, T. Weiss. J. Mater. Res., 28, 33 (2013)
  8. X. Chen, H. Zhu, J. Cai, Z. Wu. J. Appl. Phys., 102, 024505 (2007)
  9. F. Yan, X. Xin, S. Aslam, Y. Zhao, D. Franz, J. Zhao, M. Weiner. IEEE J. Quant. Electron., 40, 1315 (2004)
  10. M. Levinshtein, S. Rumyantsev, M. Shur. Properties of Advanced Semiconductor Materials (N.Y., Willey, 2001) Chap. 5
  11. S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed. Hoboken (N.J., John Wiley \& Sons, Inc., 2007)
  12. A. Sciuto, F. Rossaforte, S. Di Franco, V. Raineri, G. Bonanno. Appl. Phys. Lett., 89, 081111 (2006)
  13. J. Hu, X. Xin, J.H. Zhao, F. Yan, B. Guan, J. Seely. Optics. Lett., 31 (11), 1591 (2006)
  14. A. Gottwald, U. Kroth, E. Kalinina, V. Zabrodskii. Appl. Optics, 57 (28), 6431 (2018)
  15. Sglux-www.sglux.com; www.coc-inc.com
  16. Y. Xu, D. Zhou, H. Lu, D. Chen, F. Ren, R. Zhang, Y. Zheng. J. Vacuum Sci. Technol. B, 33, 040602 (20015)
  17. T.V. Blank, Yu A. Goldberg, E.V. Kalinina, O.V. Konstantinov, A.O. Konstantinov, A. Hallen. Semicond. Sci. Technol., 20, 710 (2005)
  18. Е.В. Калинина. ФТП, 41 (7), 769 (2007)
  19. A.A. Lebedev. Mater. Res. Found., 6, 1 (2017)
  20. Е.В. Калинина, Г.Н. Виолина, И.П. Никитина, М.A. Яговкина, Е.В. Иванова, В.В. Забродский. ФТП, 53 (6), 705 (2019)
  21. Е.В. Калинина, А.А. Лебедев, Е.В. Богданова, B.B. Berenquier, L. Ottaviani, Г.Н. Виолина, В.А. Скуратов. ФТП, 49 (4), 540 (2015)
  22. C.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Изд-во физ.-мат. лит., 1963) гл. I
  23. П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1969) гл. VIII
  24. В.И. Фистуль. Введение в физику полупроводников (М., Высш. шк., 1975) гл. V
  25. E.D. Palik (ed.) Handbooks of Optical Constants of Solids, 1st edn (Academic, 1998)
  26. S.G. Sridhara, R.P. Devaty, W.J. Choyke. J. Appl. Phys., 84 (5), 2963 (1998)
  27. A.Galeckas, P. Grivickas, V. Grivickas, V. Bikbajevas, J. Linnros. Phys. Status Solidi A, 191 (2), 613 (2002)
  28. H.-Y. Cha, P.M. Sandvik. Jpn. J. Appl. Phys., 47 (7), 5423 (2008)
  29. B. Chen, Y.T. Yang, X.R. Xie, N. Wang, Z.Y. Ma, K. Song, X.J. Zhang. Appl. Phys., 57 (34), 4427 (2012)
  30. Р.Б. Кэмпбелл, Х.С. Берман. Карбид кремния (М., Наука, 1972) с. 231
  31. А.М. Стрельчук. ФТП, 29,(7), 1190 (1995)
  32. A. Udal, E. Velmre. Mater. Sci. Forum, 556--557, 375 (2007)
  33. M. Mazzilo, A. Sciuto, S. Marchese. J. Instrumentation, 9, P12001 (2014)
  34. G. Adamo, D. Agro, S. Stivala, A. Parisi, L. Curcio, A. Ando, A. Tomasino, C. Giaconia, A.C. Busacca, M.C. Mazzillo, D. Sanfilippo, G. Fallica. Special Issue on the Third Mediterranean Photonics Conference (MePhoCo2014) (Trani, Italy) [EEE Photon. J., 6, 1 (2014)]
  35. L. Patrick, W.J. Choyke. Phys. Rev. B, 5, 3253 (1972)
  36. T. Delibor, G. Pensl, H. Matsunami, T. Kimoto, W.J. Choyke, A. Schoner, N. Nordell. Phys. Status Solidi A, 162, 199 (1997)
  37. H.J. von Bandeleben, J.L. Cantin, I. Vickridge, G. Battistig. Phys. Rev. B, 62, 10126 (2000)
  38. A. Fissel, W. Richter, J. Furthmuller, F. Bechstedt. Appl. Phys. Lett., 78, 2512 (2001)
  39. V. Kozlovski, V. Abrosimova. Radiation Defect Engineering. Selected topics in electronics and systems (Singapore--N.J.--London--Hong Kong, World Scientific, 2005) v. 37

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme