"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении МОП-структур
Переводная версия: 10.1134/S1063782620020025
Александров О.В. 1, Мокрушина С.А.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: Aleksandr_ov@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 июня 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

Разработана новая количественная модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении на пороговое напряжение МОП-структур, базирующаяся на учете захвата дырок со всего объема подзатворного диэлектрика в тонком пограничном слое с безводородными и водородосодержащими ловушками на границе с кремниевой подложкой. Модель позволяет удовлетворительно описать плавный рост порогового напряжения с напряжением смещения на затворе --- примерно линейный от дозы для поверхностной составляющей и нелинейный для объемной составляющей. Сдвиг порогового напряжения при отрицательном напряжении на затворе моделируется на основе учета генерации дырок в пограничном слое под действием ионизирующего облучения. Ключевые слова: ионизирующее облучение, МОП-структура, оксидные ловушки, поверхностные состояния, моделирование.
  1. К.И. Таперо, В.Н. Улимов, А.М. Членов. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения (М., БИНОМ, 2012)
  2. В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС (М., Энергоатомиздат, 1988)
  3. D.M. Fleetwood. IEEE Trans. Nucl. Sci., 60 (3), 1706 (2013)
  4. J.R. Schwank, M.R. Shaneyfelt, D.M. Fleetwood, J.A. Felix, P.E. Dodd, P. Paillet, V. Ferlet-Cavrois. IEEE Trans. Nucl. Sci., 55 (4), 1833 (2008)
  5. T.R. Oldham, F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50 (3), 483 (2003)
  6. F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci., 27 (6), 1651 (1980)
  7. M.R. Shaneyfelt, J.R. Schwank, D.M. Fleetwood, P.S. Winokur, K.L. Hughes, F.W. Sexton. IEEE Trans. Nucl. Sci., 37 (6), 1632 (1990)
  8. В.А. Гуртов, А.Н. Назаров, Н.В. Травков. ФТП, 24 (6), 969 (1990)
  9. М.Н. Левин, А.В. Татаринцев, В.А. Макаренко, В.Р. Гитлин. Микроэлектроника, 35 (6), 382 (2006)
  10. О.В. Александров. ФТП, 48 (4), 523 (2014)
  11. О.В. Александров. ФТП, 49 (6), 793 (2015)
  12. А П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO-=SUB=-2-=/SUB=- на кремнии (Л., ЛГУ, 1988)
  13. S.J. Wang, J.M. Sung, S.A. Lyon. Appl. Phys. Lett., 52 (17), 1431 (1988)
  14. P.U. Kenkare, S.A. Lyon. Appl. Phys. Lett., 55 (22), 2328 (1989)
  15. P.E. Bunson, M. Di Ventra, S.T. Pantelides, R.D. Schrimpf, K.F. Galloway. IEEE Trans. Nucl. Sci., 46 (6), 1568 (1999)
  16. S.N. Rashkeev, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf, S.T. Pantelides. Phys. Rev. Lett., 87 (16), 165506 (2001)
  17. R.C. Hughes. Phys. Rev. Lett., 30 (26), 1333 (1973)
  18. R.C. Hughes. Phys. Rev. B, 15 (4), 2012 (1977)
  19. J.M. Benedetto, H.E. Boesch. IEEE Trans. Nucl. Sci., 33 (6), 1318 (1986)
  20. R.J. Krantz, L.W. Aukerman, T.C. Zietlow. IEEE Trans. Nucl. Sci., 34 (6), 1196 (1987)
  21. H.E. Boesch, F.B. McLean, J.M. Benedetto, J.M. McGarrity. IEEE Trans. Nucl. Sci., 33 (6), 1191 (1986)
  22. P.J. McWhorter, P.S. Winokur. Appl. Phys. Lett., 48 (2), 133 (1986)
  23. P.S. Winokur, H.E. Boesch, Jr., J.M. McGarrity, F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci., 24 (6), 2113 (1977)
  24. P.S. Winokur, E.B. Errett, D.M. Fleetwood, P.V. Dressendorfer, D.C. Turpin. IEEE Trans. Nucl. Sci., 32 (6), 3954 (1985)
  25. J.R. Schwank, P.S. Winokur, F.W. Sexton, D.M. Fleetwood, J.H. Perry, P.V. Dressendorfer, D.T. Sanders, D.C. Turpin. IEEE Trans. Nucl. Sci., 33 (6), 1178 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.