Вышедшие номера
Модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении МОП-структур
Переводная версия: 10.1134/S1063782620020025
Александров О.В. 1, Мокрушина С.А.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: Aleksandr_ov@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 июня 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

Разработана новая количественная модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении на пороговое напряжение МОП-структур, базирующаяся на учете захвата дырок со всего объема подзатворного диэлектрика в тонком пограничном слое с безводородными и водородосодержащими ловушками на границе с кремниевой подложкой. Модель позволяет удовлетворительно описать плавный рост порогового напряжения с напряжением смещения на затворе - примерно линейный от дозы для поверхностной составляющей и нелинейный для объемной составляющей. Сдвиг порогового напряжения при отрицательном напряжении на затворе моделируется на основе учета генерации дырок в пограничном слое под действием ионизирующего облучения. Ключевые слова: ионизирующее облучение, МОП-структура, оксидные ловушки, поверхностные состояния, моделирование.