Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении МОП-структур
Переводная версия: 10.1134/S1063782620020025 
Александров О.В.
1, Мокрушина С.А.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
Email: Aleksandr_ov@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 июня 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.
Разработана новая количественная модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении на пороговое напряжение МОП-структур, базирующаяся на учете захвата дырок со всего объема подзатворного диэлектрика в тонком пограничном слое с безводородными и водородосодержащими ловушками на границе с кремниевой подложкой. Модель позволяет удовлетворительно описать плавный рост порогового напряжения с напряжением смещения на затворе - примерно линейный от дозы для поверхностной составляющей и нелинейный для объемной составляющей. Сдвиг порогового напряжения при отрицательном напряжении на затворе моделируется на основе учета генерации дырок в пограничном слое под действием ионизирующего облучения. Ключевые слова: ионизирующее облучение, МОП-структура, оксидные ловушки, поверхностные состояния, моделирование.
- К.И. Таперо, В.Н. Улимов, А.М. Членов. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения (М., БИНОМ, 2012)
- В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС (М., Энергоатомиздат, 1988)
- D.M. Fleetwood. IEEE Trans. Nucl. Sci., 60 (3), 1706 (2013)
- J.R. Schwank, M.R. Shaneyfelt, D.M. Fleetwood, J.A. Felix, P.E. Dodd, P. Paillet, V. Ferlet-Cavrois. IEEE Trans. Nucl. Sci., 55 (4), 1833 (2008)
- T.R. Oldham, F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50 (3), 483 (2003)
- F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci., 27 (6), 1651 (1980)
- M.R. Shaneyfelt, J.R. Schwank, D.M. Fleetwood, P.S. Winokur, K.L. Hughes, F.W. Sexton. IEEE Trans. Nucl. Sci., 37 (6), 1632 (1990)
- В.А. Гуртов, А.Н. Назаров, Н.В. Травков. ФТП, 24 (6), 969 (1990)
- М.Н. Левин, А.В. Татаринцев, В.А. Макаренко, В.Р. Гитлин. Микроэлектроника, 35 (6), 382 (2006)
- О.В. Александров. ФТП, 48 (4), 523 (2014)
- О.В. Александров. ФТП, 49 (6), 793 (2015)
- А П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO2 на кремнии (Л., ЛГУ, 1988)
- S.J. Wang, J.M. Sung, S.A. Lyon. Appl. Phys. Lett., 52 (17), 1431 (1988)
- P.U. Kenkare, S.A. Lyon. Appl. Phys. Lett., 55 (22), 2328 (1989)
- P.E. Bunson, M. Di Ventra, S.T. Pantelides, R.D. Schrimpf, K.F. Galloway. IEEE Trans. Nucl. Sci., 46 (6), 1568 (1999)
- S.N. Rashkeev, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf, S.T. Pantelides. Phys. Rev. Lett., 87 (16), 165506 (2001)
- R.C. Hughes. Phys. Rev. Lett., 30 (26), 1333 (1973)
- R.C. Hughes. Phys. Rev. B, 15 (4), 2012 (1977)
- J.M. Benedetto, H.E. Boesch. IEEE Trans. Nucl. Sci., 33 (6), 1318 (1986)
- R.J. Krantz, L.W. Aukerman, T.C. Zietlow. IEEE Trans. Nucl. Sci., 34 (6), 1196 (1987)
- H.E. Boesch, F.B. McLean, J.M. Benedetto, J.M. McGarrity. IEEE Trans. Nucl. Sci., 33 (6), 1191 (1986)
- P.J. McWhorter, P.S. Winokur. Appl. Phys. Lett., 48 (2), 133 (1986)
- P.S. Winokur, H.E. Boesch, Jr., J.M. McGarrity, F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci., 24 (6), 2113 (1977)
- P.S. Winokur, E.B. Errett, D.M. Fleetwood, P.V. Dressendorfer, D.C. Turpin. IEEE Trans. Nucl. Sci., 32 (6), 3954 (1985)
- J.R. Schwank, P.S. Winokur, F.W. Sexton, D.M. Fleetwood, J.H. Perry, P.V. Dressendorfer, D.T. Sanders, D.C. Turpin. IEEE Trans. Nucl. Sci., 33 (6), 1178 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
