Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Антикорреляция интенсивности стимулированного пикосекундного излучения GaAs и характерного времени остывания носителей заряда

DOI: 10.21883/FTP.2020.01.48764.9209

Переводная версия: 10.1134/S1063782620010029

Агеева Н.Н.

¹, Броневой И.Л.

¹, Забегаев Д.Н.

¹, Кривоносов А.Н.

¹Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: ann@cplire.ru, bil@cplire.ru, kan@cplire.ru

Поступила в редакцию: 10 июля 2019 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Во время мощной пикосекундной оптической накачки в тонком слое GaAs возникает интенсивное стимулированное пикосекундное излучение. Обнаружено, что, во-первых, максимальная интенсивность излучения уменьшается при увеличении диаметра луча накачки (плотность энергии накачки фиксирована). Во-вторых, эта зависимость антикоррелирует с зависимостью от диаметра характерного времени релаксации излучения. Это время связано с характерным временем остывания носителей заряда, замедляемым из-за разогрева носителей излучением. В итоге выявляется указанная в заглавии автокорреляция. Ключевые слова: стимулированное пикосекундное излучение, остывание носителей заряда, насыщение усиления, закон Бугера.

Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. ФТП, (2019) (в печати)
E.O. Goebel, O. Hildebrand, K. Lohnert. IEEE J. Quant. Electron., 13, 848 (1977)
L.W. Casperson. J. Appl. Phys., 48, 256, (1977)
Г.С. Ландсберг. Оптика (М., Наука, 1976)
Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, С.Е. Кумеков, С.В. Стеганцов. ФТП, 36, 144 (2002)
Ю.Д. Калафати, В.А. Кокин. ЖЭТФ, 99, 1793 (1991)
С.Е. Кумеков, В.И. Перель. ЖЭТФ, 94, 346 (1988)
J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Д.Н. Забегаев, А.Н. Кривоносов. Радиотехника и электроника, 63, 1130 (2018)
I.L. Bronevoi, A.N. Krivonosov, V.I. Perel'. Sol. St. Commun., 94 (9), 805 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель