Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Металл-усиленное фотохимическое травление N- и Ga-полярных эпитаксиальных слоев GaN

DOI: 10.21883/FTP.2019.12.48635.9220

Переводная версия: 10.1134/S1063782619160176

Мохов Д.В.¹, Березовская Т.Н.^1,2, Никитина Е.В.¹, Шубина К.Ю.¹, Мизеров А.М.¹, Буравлев А.Д.^1,2,3

¹Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Email: dm_mokhov@rambler.ru

Поступила в редакцию: 23 июля 2019 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования процессов фотохимического травления, осуществленных без приложения внешнего напряжения, структур с Ga- и N-полярными слоями GaN, синтезированными методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Показано, что скорость травления слоев с разной полярностью сильно различается. При этом использование для травления слоев GaN масок на основе золота вместо титана также позволяет повысить скорость травления слоев. Ключевые слова: слои GaN, фотохимическое травление, металл-усиленное травление.

Д.М. Красовицкий, А.Г. Филаретов, В.П. Чалый. Электроника: НТБ, N 8, 113 (2011)
V.J. Gokhale, M. Rais-Zadeh. J. MEMS, IEEE 2013
I. Ryger, G. Vanko, T. Lalinsky, S. Hascik, A. Bencurova, P. Nemec, R. Andok, M. Tomaska. Sensors Actuators A, 227, 55 (2015)
A.C. Tamboli, M.C. Schmidt, SiddharthRajan, J.S. Speck, U.K. Mishra, S.P. DenBaars, E.L. Hu. J. Electrochem. Soc., 156 (1), 47 (2009)
J.A. Bardwell, J.B. Webb, H. Tang, J. Fraser, S. Moisa. J. Appl. Phys., 89 (7), 4142 (2001)
C. Youtseya, I. Adesida, G. Bulman. Appl. Phys. Lett., 71 (15), 2151 (1997)
D.H. van Dorp, J.L. Weyher, M.R. Kooijman, J.J. Kelly. J. Electrochem. Soc., 156 (10), 371 (2009)
L. Ma, K. Fareen Adeni, Chang Zeng, Yawei Jin, K. Dandu, Y. Saripalli, M. Johnson, D. Barlage. CS MANTECH Conf. (Vancouver, Canada, 2006) p. 105
G. Parish, P.A. Scali, S.M.R. Spaargaren, B.D. Nener. Proc. SPIE, 4592 (2001). DOI: 10.1117/12.448955
J.M. Hwang, K.Y. Ho, Z.H. Hwang, W.H. Hung, Kei May Lau, H.-L. Hwang. Superlat. Microstr., 35, 45 (2004)
J.L. Weyher, F.D. Tichelaar, D.H. van Dorp, J.J. Kelly, A. Khachapuridz. J. Cryst. Growth, 312, 2607 (2010)
Y. Gao, M.D. Craven, J.S. Speck, S.P. DenBaars, E.L. Hu. Appl. Phys. Lett., 84 (17), 3322 (2004)
D. Zhuang, J.H. Edgar. Mater. Sci. Engin. R, 48, 1 (2005)
J.E. Borton, C. Cai, M.I. Nathan, P. Chow, J.M. Van Hove, A. Wowchak, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., 77 (8), 1227 (2000)
S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (John Wiley \& Sons, Ltd, 2009)
Н.М. Эмануэль, М.Г. Кузьмина. Экспериментальные методы химической кинетики (М., Изд-во Моск. ун-та, 1985)
В.А. Рабинович, З.Я. Хавин. Краткий химический справочник (Л., Химия, 1991)
A.M. Mizerov, S.N. Timoshnev, M.S. Sobolev, E.V. Nikitina, K.Yu. Shubina, T.N. Berezovskaia, I.V. Shtrom, A.D. Bouravleuv. Semiconductors, 52 (12), 1529 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель