Металл-усиленное фотохимическое травление N- и Ga-полярных эпитаксиальных слоев GaN
Мохов Д.В.1, Березовская Т.Н.1,2, Никитина Е.В.1, Шубина К.Ю.1, Мизеров А.М.1, Буравлев А.Д.1,2,3
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: dm_mokhov@rambler.ru
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.
Представлены результаты исследования процессов фотохимического травления, осуществленных без приложения внешнего напряжения, структур с Ga- и N-полярными слоями GaN, синтезированными методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Показано, что скорость травления слоев с разной полярностью сильно различается. При этом использование для травления слоев GaN масок на основе золота вместо титана также позволяет повысить скорость травления слоев. Ключевые слова: слои GaN, фотохимическое травление, металл-усиленное травление.
- Д.М. Красовицкий, А.Г. Филаретов, В.П. Чалый. Электроника: НТБ, N 8, 113 (2011)
- V.J. Gokhale, M. Rais-Zadeh. J. MEMS, IEEE 2013
- I. Ryger, G. Vanko, T. Lalinsky, S. Hascik, A. Bencurova, P. Nemec, R. Andok, M. Tomaska. Sensors Actuators A, 227, 55 (2015)
- A.C. Tamboli, M.C. Schmidt, SiddharthRajan, J.S. Speck, U.K. Mishra, S.P. DenBaars, E.L. Hu. J. Electrochem. Soc., 156 (1), 47 (2009)
- J.A. Bardwell, J.B. Webb, H. Tang, J. Fraser, S. Moisa. J. Appl. Phys., 89 (7), 4142 (2001)
- C. Youtseya, I. Adesida, G. Bulman. Appl. Phys. Lett., 71 (15), 2151 (1997)
- D.H. van Dorp, J.L. Weyher, M.R. Kooijman, J.J. Kelly. J. Electrochem. Soc., 156 (10), 371 (2009)
- L. Ma, K. Fareen Adeni, Chang Zeng, Yawei Jin, K. Dandu, Y. Saripalli, M. Johnson, D. Barlage. CS MANTECH Conf. (Vancouver, Canada, 2006) p. 105
- G. Parish, P.A. Scali, S.M.R. Spaargaren, B.D. Nener. Proc. SPIE, 4592 (2001). DOI: 10.1117/12.448955
- J.M. Hwang, K.Y. Ho, Z.H. Hwang, W.H. Hung, Kei May Lau, H.-L. Hwang. Superlat. Microstr., 35, 45 (2004)
- J.L. Weyher, F.D. Tichelaar, D.H. van Dorp, J.J. Kelly, A. Khachapuridz. J. Cryst. Growth, 312, 2607 (2010)
- Y. Gao, M.D. Craven, J.S. Speck, S.P. DenBaars, E.L. Hu. Appl. Phys. Lett., 84 (17), 3322 (2004)
- D. Zhuang, J.H. Edgar. Mater. Sci. Engin. R, 48, 1 (2005)
- J.E. Borton, C. Cai, M.I. Nathan, P. Chow, J.M. Van Hove, A. Wowchak, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., 77 (8), 1227 (2000)
- S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (John Wiley \& Sons, Ltd, 2009)
- Н.М. Эмануэль, М.Г. Кузьмина. Экспериментальные методы химической кинетики (М., Изд-во Моск. ун-та, 1985)
- В.А. Рабинович, З.Я. Хавин. Краткий химический справочник (Л., Химия, 1991)
- A.M. Mizerov, S.N. Timoshnev, M.S. Sobolev, E.V. Nikitina, K.Yu. Shubina, T.N. Berezovskaia, I.V. Shtrom, A.D. Bouravleuv. Semiconductors, 52 (12), 1529 (2018)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
