Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Применение диодов Шоттки в терагерцовом частотном диапазоне

DOI: 10.21883/FTP.2019.12.48630.9215

Переводная версия: 10.1134/S1063782619160280

Торхов Н.А.

^1,2, Бабак Л.И.

², Коколов А.А.

¹Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия Scientific and Research Institute of Semiconductors, Tomsk, Russia

Scientific and Research Institute of Semiconductors, Tomsk, Russia

²Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics, Tomsk, Russia

Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics, Tomsk, Russia

Email: trkf@mail.ru

Поступила в редакцию: 15 июля 2019 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Более широкие возможности оптимизации конструктивных и электрофизических параметров кристаллов диодов Шоттки, выполненных по планарным технологиям "Меза-подложка" и "Меза-Меза" с анодными выводами в виде воздушного моста с вискером одновременно с использованием более совершенных компактных моделей, позволяют максимально эффективно использовать физические возможности контактов Шоттки при проектировании монолитных интегральных схем по диодным технологиям, повысить их надежность и преодолеть значительное отставание полупроводниковой электроники от оптоэлектроники в терагерцовом частотном диапазоне. Ключевые слова: СВЧ, КВЧ, ТГц, компактная модель, планарный диод Шоттки, вискер, воздушный мост.

H. Kanaya, F. Hasegawa, E. Yamaka, T. Moriyama, M. Nakajima. JJAP, 28 (4), 544 (1989)
V.G. Ivanov, G.V. Ivanov. Adv. Optoelectron., 2011, 459130 (2011)
P.H. Siegel. IEEE Trans. MTT, 50 (3), 910 (2002)
I. Mehdi, J.V. Siles, C. Lee, E. Schlecht. Proc. IEEE, 105 (6), 990 (2017)
A.Y. Tang. Thesis for The Degree of Doctor of Philosophy (Goteborg, Sweden, Chalmers, 2013)
M.S. Vitiello, G. Scalari, B. Williams, P.D. Natale. Opt. Express, 23 (4), 5168 (2015)
Н.А. Торхов, В.Г. Божков, С.М. Гущин, В.А. Новиков. Тез. докл. 22-й Междунар. конф. КрыМиКо-2012 (Севастополь, Украина, 2012) с. 635
Н.А. Торхов, Л.И. Бабак, А.А. Коколов. Тез. докл. 26-й Междунар. конф. КрыМиКо-2016 (Севастополь, Россия, 2016) с. 275
N.A. Torkhov, L.I. Babak, A.A. Kokolov. Dynamics of Systems, Mechanisms and Machines, 1 (2018)
Н.А. Торхов. ФТП, 52 (10), 1150 (2018)
Н.А. Торхов. ФТП, 35 (7), 823(2001)
Интегрированные источники и приемники компании "Virginia Diodes, Inc.". Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.vadiodes.com (дата обращения 04.06.2019)
A. Jelenski, A. Grub, V. Krozer, H.L. Hartnagel. IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, 41 (4), 549 (1993)
J.M. Dieudonn, B. Adelseck, K.E. Schmegner, R. Rittmeyer, A. Colquhoun. IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, 40 (7), 1466 (1992)
Н.А. Торхов. Патент N 2635853 от 16 ноября 2017 г. Приоритет от 26 января 2016 г
В.С. Арыков, А.Н. Гусев, О.А. Дедкова, А.Ю. Ющенко. Тез. докл. 20-й Междунар. конф. КрыМиКо-2010 (Севастополь, Украина, 2010) с. 147
Z. Hu, V.T. Vo, A.A. Rezazadeh. IEEE Micriwave and Wireless Components Lett., 15 (3), 150 (2005)
A.Y. Tang, V. Drakinskiy, K. Yhland et. al. IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, 61 (5), 1870 (2013)
Н.А. Торхов. Патент N 176768 от 29 января 2018 г. Приоритет от 11 февраля 2016 г
Н.Л. Чуприков. Автореф. докт. дис. (Томск, Россия, ТПГУ, 2010)
E.P. Wigner. Phys. Rev., 98, 145 (1955)
T.E. Hartman. J. Appl. Phys., 33, 3427 (1962)
W. Javorski, D.M. Wardlaw. Phys. Rev. A, 38, 5404 (1988)
C. Bulutay, B.K. Ridley, N.A. Zakhleniuk. Phys. Rev. B, 68, 115205 (2003)
D. Sokolovski, A.Z. Msezane, V.R. Shaginyan. Phys. Rev. A, 71, 064103 (2005)
A.B. Shvartsburg, G. Petite. Optics. Lett., 31, 1127, 2006
H. Yen, T. Yeh, S. Liu. Progress in Electromagnetics Research Symposium (Beijing, China, 2009) p. 1339
M. Potereau1, C. Raya, M.D. Matos, S. Fregonese, A. Curutchet, M. Zhang, B. Ardouin, T. Zimmer. J. Comp. Commun., 1, 25 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель