Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Определение параметров латерального и нестационарного шнурового токов в цилиндрическом халькогенидном стеклообразном полупроводнике
Переводная версия: 10.1134/S1063782619160279 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: spnick93@mail.ru
Поступила в редакцию: 29 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.
Для полупроводниковой системы Ge-Sb-Te цилиндрической конфигурации приближенно решено уравнение теплопроводности, описывающее токовый шнур в полупроводнике. Показано, что при бесконечно больших временах ток в шнуре пропорционален квадрату максимальной температуры в центре шнура и обратно пропорционален величине приложенного электрического поля. Оценен масштаб латерального тока, протекающего перпендикулярно току основного шнура, и установлено, что латеральный ток мал по сравнению с током, протекающим в шнуре, так что возникновение латеральных шнуров, растущих из основного шнура, мало вероятно. Ключевые слова: халькогенидные стеклообразные полупроводники, эффект памяти, шнурование тока, латеральный ток.
- B.T. Kolomiets. Phys. Status Solidi B, 7, 359 (1964)
- S. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett., 21, 1450 (1968)
- N. Croitoru, C. Popescu. Rev. Rom. Phys., 16, 129 (1971)
- D. Thomas, J. Male. J. Non-Cryst. Sol., 8--10, 522 (1972)
- И.В. Печенежский, С.И. Дорожкин. Письма ЖЭТФ, 88 (2), 137 (2008)
- N. Bogoslovskiy, K. Tsendin. Solid-State Electron., 129, 10 (2017)
- M. Nardone, M. Simon, I.V. Karpov, V.G. Karpov. J. Appl. Phys., 112, 071101 (2012)
- H.S.P. Wong, S. Raoux, S.B. Kim, J. Liang, J.P. Reifenberg, B. Rajendran, M. Asheghi, K.E. Goodson. Proc. IEEE, 98, 2201 (2010)
- G.W. Burr, M.J. Brightsky, A. Sebastian, H.Y. Cheng, J.Y. Wu, S. Kim, N.E. Sosa, N. Papandreou, H.L. Lung, H. Pozidis, E. Eleftheriou, C.H. Lam. IEEE J. Select. Top. Circ. Syst., 6, 146 (2016)
- W. Zhang, R. Mazzarello, M. Wuttig, E. Ma. Nature Rev. Mater., 4, 150 (2019)
- P. Yeoh, Y. Ma, D.A. Cullen, J.A. Bain, M. Skowronski. Appl. Phys. Lett., 114, 163507 (2019)
- А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, С.Н. Гарибова, В.З. Зейналов. ФТП, 46, 1138 (2012)
- Э.А. Лебедев, С.А. Козюхин, Н.Н. Константинова, Л.П. Казакова. ФТП, 43, 1383 (2009)
- К.Д. Цэндин, Н.А. Богословский. ФТП, 46, 577 (2012)
- Б.Л. Гельмонт, К.Д. Цэндин. Электронные явления в некристаллических полупроводниках (Л., Наука, 1976) с. 177
- A.H.M. Shousha. J. Appl. Phys., 42, 5131 (1971)
- Б.Л. Гельмонт, К.Д. Цэндин. ФТП, 10, 1119 (1976)
- А.М. Попов, С.М. Сальников, Ю.В. Ануфриев. ФТП, 49, 509 (2015)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
