Представлены результаты исследования процессов переноса заряда в тонких слоях стеклообразной системы (As₂Se₃)100-xBi_x. Обнаружена степенная зависимость удельной проводимости от частоты и уменьшение значения показателя степени s с ростом температуры. Перенос заряда является термически активированным процессом с наличием двух участков на температурной зависимости проводимости с энергиями активации E₁=0.12±0.01 и E₂=0.23±0.01 эВ соответственно. Полученные результаты объясняются в рамках CBH модели прыжковой проводимости в неупорядоченных системах. Проведен расчет основных микропараметров системы: плотности локализованных состояний (N), длины прыжка (R_omega), максимального значения высоты потенциального барьера (W_M). Ключевые слова: стеклообразная система (As₂Se₃)_100-xBi_x, диэлектрическая спектроскопия, удельная проводимость, гэп-структуры, рентгеноструктурный анализ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.