"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Комбинационное рассеяние света в кристаллах AlN, выращенных методом сублимации на затравках SiC и AlN
Переводная версия: 10.1134/S1063782619110034
Бреев И.Д.1, Анисимов А.Н.1, Вольфсон А.А.1, Казарова О.П.1, Мохов Е.Н.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: aan0100@gmail.com, Mokhov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 мая 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

Методом комбинационного рассеяния света проведен анализ структурного совершенства объемных кристаллов АlN, выращенных методом сублимации на затравках SiC и AlN. Рост на затравках SiC осуществлялся с сохранением затравки SiC в процессе роста (тип 1), с полным испарением затравки SiC (тип 2) и на затравках AlN в вольфрамовых контейнерах, не имеющих графитовых деталей (тип 3). Согласно анализу спектров методом комбинационного рассеяния света, наиболее качественными являются кристаллы типа 3, характеризующиеся минимальным значением полной ширины на половине высоты линий. Наблюдаемые в этой работе особенности обусловлены различиями в механизме роста и содержанием легирующих примесей в выращиваемых кристаллах. Ключевые слова: Aln, сублимационный сандвич-метод, КРС.
  1. Y.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Growth of Semiconductor SiC, Patent: USSR N 403275 (1970), USA N 414572 (1979)
  2. E.N. Mokhov, O.V. Avdeev, I.S. Barash, T.Yu. Chemekova, A.D. Roenkov, A.S. Segal, A.A. Wolfson, Yu.N. Makarov, M.G. Ramm, H. Helava. J. Cryst. Growth, 281, 93 (2005)
  3. V.A. Soltamov, I.V. Ilyin, A.S. Gurin, D.O. Tolmachev, N.G. Romanov, E.N. Mokhov, G.V. Mamin, S.B. Orlinskii, P.G. Baranov. Phys. Status Solodi C, 10 (3), 449 (2013)
  4. E.N. Mokhov, T.S. Argunova, J.H. Je, O.P. Kazarova, K.D. Shcherbachev. Cryst. Eng. Commun., 19, 3192 (2017)
  5. E.N. Mokhov, A.A. Wolfson. Single Crystals of Electronic Materials. Growth and Properties), ed. by R. Fornary (Elsevier, 2018)
  6. V.Yu. Davydov, Yu.E. Kitaev, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, J. Graul, O. Semchinova, D. Uffmann, M.B. Smirnov, A.P. Mirgorodsky, R.A. Evarestov. Phys. Rev. B, 58, 12899 (1998)
  7. M. Kuball. Surf. Interface Anal., 31, 987 (2001)
  8. L. Liu, B. Liu, J.H. Edgar, S. Rajasingam, M. Kuball. J. Appl. Phys., 92, 5183 (2002)
  9. О.V. Avdeev, T.Yu. Chemekova, E.N. Mokhov, S.S. Nagalyuk, H. Helava, M.G. Ramm, A.S. Segal, A.I. Zhmakin, Yu.N. Makarov. Development of 2 AlN Substrates Using SiC Seeds. In: Modern Aspects of Bulk Crystal and Thin Film Preparation (2012) p. 213
  10. E.N. Mokhov, A.D. Roenkov, Yu.A. Vodakov et al. Mater. Sci. Forum "Silicon carbide and Related materials-2002", 433--436, 979 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.