Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фазовый состав, морфология, оптические и электронные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией
Переводная версия: 10.1134/S1063782619110174 
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 22 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
Методом реактивного ионно-плазменного осаждения были получены тонкие наноразмерные пленки нитрида алюминия на подложках GaAs(100) с различной степенью разориентации относительно направления < 100> . Показано, что рост на подложках с различной степенью разориентации от направления < 100> приводит к росту пленки AlN с различным фазовым составом и кристаллическим состоянием. Увеличение степени разориентации у используемой для роста подложки GaAs(100) отражается как на структурном качестве наноразмерных пленок AlN, так и на их электронном строении, морфологии их поверхности и оптических свойствах. Таким образом, управление морфологией, составом поверхности и оптическими функциональными характеристиками гетерофазных систем AlN/GaAs(100) может быть достигнуто за счет использования подложек GaAs(100) с разной величиной разориентации. Ключевые слова: AlN, GaAs, разориентация, ионно-плазменное осаждение.
- S. Lin, X. Li, P. Wang, Z. Xu, S. Zhang, H. Zhong, Z. Wu, W. Xu, H. Chen. Sci. Rep., 5, 15103 (2015)
- X. Lu, N. Kumagai, Y. Minami, T. Kitada. Appl. Phys. Express, 11, 015501 (2017)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Phys. B, 405, 2694 (2010)
- E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, A.N. Lukin, L.A. Bityutskaya, M.V. Grechkina, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Surf. Interface Anal., 38, 828 (2006)
- S. Fujieda, M. Mizuta, Y. Matsumoto. Jpn. J. Appl. Phys., 27, L296 (1988)
- P.V. Seredin, D.L. Goloschapov, A.S. Lenshin, V.E. Ternovaya, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., 81, 1119 (2017)
- P.V. Seredin, V.M. Kashkarov, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Physica B, 495, 54 (2016)
- P.K. Ghosh, M. Sarollahi, C. Li, T. White, D.T. Debu, Q. Yan, A. Kuchuk, R. Kumar, S. Shetty, G.J. Salamo, M.E. Ware. J. Vac. Sci. Technol. B, 36, 041202 (2018)
- X. Li, Y.L. Tansley, K.S.A. Butcher, D. Alexiev. Solid-State Electron., 36, 381 (1993)
- C. Ozgit, I. Donmez, M. Alevli, N. Biyikli. Thin Sol. Films, 520, 2750 (2012)
- J. Ross, M. Rubin, T.K. Gustafson. J. Mater. Res., 8, 2613 (1993)
- T. Aoki, N. Fukuhara, T. Osada, H. Sazawa, M. Hata, T. Inoue. AIP Adv., 5, 087149 (2015)
- H. Dong, J. Sun, S. Ma, J. Liang, T. Lu, X. Liu, B. Xu. Nanoscale, 8, 6043 (2016)
- R. Boussaha, H. Fitouri, A. Rebey, B.E. Jani. Appl. Surf. Sci., 291, 40 (2014)
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, A.V. Fedyukin, I.N. Arsentyev, A.V. Zhabotinsky, D.N. Nikolaev, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors, 52, 112 (2018)
- P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, A.S. Lenshin, A.M. Mizerov, D.S. Zolotukhin. Physica E, 104, 101 (2018)
- P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, D.S. Zolotukhin, A.S. Lenshin, A.N. Lukin, Y.Y. Khudyakov, I.N. Arsentyev, A.V. Zhabotinsky, D.N. Nikolaev, N.A. Pikhtin. Semiconductors, 52, 1012 (2018)
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.S. Zolotukhin, I.N. Arsentyev, A.V. Zhabotinskiy, D.N. Nikolaev. Physica E, 97, 218 (2018)
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.S. Zolotukhin, I.N. Arsentyev, D.N. Nikolaev, A.V. Zhabotinskiy. Physica B, 530, 30 (2018)
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, A.N. Lukin, I.N. Arsentiev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Mater. Sci. Semicond. Process., 39, 551 (2015)
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, I.N. Arsentyev, I.S. Tarasov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. Physica B, 498, 65 (2016)
- Я.В. Лубянский, А.Д. Бондарев, И.П. Сошников, В.В. Золотарев, Д.А. Кириленко, К.П. Котляр, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов. ФТП, 52, 196 (2018)
- Т.М. Зимкина, В.А. Фомичев. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия (Л., Изд-во Ленингр. ун-та, 1971)
- E.P. Domashevskaya, Y.A. Peshkov, V.A. Terekhov, Y.A. Yurakov, K.A. Barkov. Surf. Interface Anal., 50, 1265 (2018)
- A.V. Ankudinov, V.P. Evtikhiev, V.E. Tokranov, V.P. Ulin, A.N. Titkov. Semiconductors, 33, 555 (1999)
- В.А. Фомичев. ФТТ, 10, 763 (1968)
- M. Magnuson, M. Mattesini, C. Hoglund, J. Birch, L. Hultman. Phys. Rev. B, 80 155105 (2009)
- P. Jonnard, N. Capron, F. Semond, J. Massies, E. Martinez-Guerrero, H. Mariette. Eur. Phys. J. B, 42, 351 (2004).
- G. Wiech, E. Zopf. J. Phys. Colloq., 32, C4-200 (1971)
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.L. Goloshchapov, A.N. Lukin, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Semiconductors, 49, 915 (2015)
- V. Lucarini, J.J. Saarinen, K.E. Peiponen, E.M. Vartiainen. Kramers-Kronig Relations in Optical Materials Research (Springer Verlag, Berlin-Heidelberg, 2005).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
