Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фазовый состав, морфология, оптические и электронные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией
Переводная версия: 10.1134/S1063782619110174 
Середин П.В.1,2, Федюкин А.В.1, Терехов В.А.1, Барков К.А.1, Арсентьев И.Н.3, Бондарев А.Д.3, Фомин Е.В.3,4, Пихтин Н.А.3,4
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 22 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
Методом реактивного ионно-плазменного осаждения были получены тонкие наноразмерные пленки нитрида алюминия на подложках GaAs(100) с различной степенью разориентации относительно направления < 100> . Показано, что рост на подложках с различной степенью разориентации от направления < 100> приводит к росту пленки AlN с различным фазовым составом и кристаллическим состоянием. Увеличение степени разориентации у используемой для роста подложки GaAs(100) отражается как на структурном качестве наноразмерных пленок AlN, так и на их электронном строении, морфологии их поверхности и оптических свойствах. Таким образом, управление морфологией, составом поверхности и оптическими функциональными характеристиками гетерофазных систем AlN/GaAs(100) может быть достигнуто за счет использования подложек GaAs(100) с разной величиной разориентации. Ключевые слова: AlN, GaAs, разориентация, ионно-плазменное осаждение.
- S. Lin, X. Li, P. Wang, Z. Xu, S. Zhang, H. Zhong, Z. Wu, W. Xu, H. Chen. Sci. Rep., 5, 15103 (2015)
- X. Lu, N. Kumagai, Y. Minami, T. Kitada. Appl. Phys. Express, 11, 015501 (2017)
- P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Phys. B, 405, 2694 (2010)
- E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin, A.N. Lukin, L.A. Bityutskaya, M.V. Grechkina, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Surf. Interface Anal., 38, 828 (2006)
- S. Fujieda, M. Mizuta, Y. Matsumoto. Jpn. J. Appl. Phys., 27, L296 (1988)
- P.V. Seredin, D.L. Goloschapov, A.S. Lenshin, V.E. Ternovaya, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., 81, 1119 (2017)
- P.V. Seredin, V.M. Kashkarov, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Physica B, 495, 54 (2016)
- P.K. Ghosh, M. Sarollahi, C. Li, T. White, D.T. Debu, Q. Yan, A. Kuchuk, R. Kumar, S. Shetty, G.J. Salamo, M.E. Ware. J. Vac. Sci. Technol. B, 36, 041202 (2018)
- X. Li, Y.L. Tansley, K.S.A. Butcher, D. Alexiev. Solid-State Electron., 36, 381 (1993)
- C. Ozgit, I. Donmez, M. Alevli, N. Biyikli. Thin Sol. Films, 520, 2750 (2012)
- J. Ross, M. Rubin, T.K. Gustafson. J. Mater. Res., 8, 2613 (1993)
- T. Aoki, N. Fukuhara, T. Osada, H. Sazawa, M. Hata, T. Inoue. AIP Adv., 5, 087149 (2015)
- H. Dong, J. Sun, S. Ma, J. Liang, T. Lu, X. Liu, B. Xu. Nanoscale, 8, 6043 (2016)
- R. Boussaha, H. Fitouri, A. Rebey, B.E. Jani. Appl. Surf. Sci., 291, 40 (2014)
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, A.V. Fedyukin, I.N. Arsentyev, A.V. Zhabotinsky, D.N. Nikolaev, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors, 52, 112 (2018)
- P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, A.S. Lenshin, A.M. Mizerov, D.S. Zolotukhin. Physica E, 104, 101 (2018)
- P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, D.S. Zolotukhin, A.S. Lenshin, A.N. Lukin, Y.Y. Khudyakov, I.N. Arsentyev, A.V. Zhabotinsky, D.N. Nikolaev, N.A. Pikhtin. Semiconductors, 52, 1012 (2018)
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.S. Zolotukhin, I.N. Arsentyev, A.V. Zhabotinskiy, D.N. Nikolaev. Physica E, 97, 218 (2018)
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.S. Zolotukhin, I.N. Arsentyev, D.N. Nikolaev, A.V. Zhabotinskiy. Physica B, 530, 30 (2018)
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, A.N. Lukin, I.N. Arsentiev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Mater. Sci. Semicond. Process., 39, 551 (2015)
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, I.N. Arsentyev, I.S. Tarasov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. Physica B, 498, 65 (2016)
- Я.В. Лубянский, А.Д. Бондарев, И.П. Сошников, В.В. Золотарев, Д.А. Кириленко, К.П. Котляр, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов. ФТП, 52, 196 (2018)
- Т.М. Зимкина, В.А. Фомичев. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия (Л., Изд-во Ленингр. ун-та, 1971)
- E.P. Domashevskaya, Y.A. Peshkov, V.A. Terekhov, Y.A. Yurakov, K.A. Barkov. Surf. Interface Anal., 50, 1265 (2018)
- A.V. Ankudinov, V.P. Evtikhiev, V.E. Tokranov, V.P. Ulin, A.N. Titkov. Semiconductors, 33, 555 (1999)
- В.А. Фомичев. ФТТ, 10, 763 (1968)
- M. Magnuson, M. Mattesini, C. Hoglund, J. Birch, L. Hultman. Phys. Rev. B, 80 155105 (2009)
- P. Jonnard, N. Capron, F. Semond, J. Massies, E. Martinez-Guerrero, H. Mariette. Eur. Phys. J. B, 42, 351 (2004).
- G. Wiech, E. Zopf. J. Phys. Colloq., 32, C4-200 (1971)
- P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.L. Goloshchapov, A.N. Lukin, I.N. Arsentyev, A.D. Bondarev, I.S. Tarasov. Semiconductors, 49, 915 (2015)
- V. Lucarini, J.J. Saarinen, K.E. Peiponen, E.M. Vartiainen. Kramers-Kronig Relations in Optical Materials Research (Springer Verlag, Berlin-Heidelberg, 2005).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
