В процессе термооксидирования GaAs с магнетронно нанесенными наноразмерными слоями оксидов V₂O₅ и MnO₂ сформированы сложнооксидные пленки толщиной ~200 нм. Методом вольт-амперных характеристик при комнатной температуре в диапазоне напряжений (-5)-(+5) В определены их электрофизические параметры (величина пробойного напряжения при обратном смещении и плотность тока), исследованы состав и морфология поверхности пленок. Показано, что V₂O₅ по сравнению с MnO₂ способствует более интенсивному химическому связыванию мышьяка на внутренней границе раздела с образованием As₂O₅, что для термически оксидированных гетероструктур V₂O₅/GaAs приводит к большим значениям напряжения пробоя. Ключевые слова: арсенид галлия, тонкие пленки, термическая обработка, оксид ванадия, оксид марганца.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.