Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Зависимость проводимости слоев пористого кремния от направления переноса носителей заряда
Переводная версия: 10.1134/S1063782619070108 
Гусева E.A.1, Форш E.A.1
1Московский автомобильно-дорожный государственный технический университет, Москва, Россия 
Email: forsh@list.ru, forsh_kate@list.ru
Поступила в редакцию: 18 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.
Представлено исследование механизмов переноса носителей заряда в слоях мезопористого кремния для случаев переноса вдоль поверхности слоя (перпендикулярно кремниевым колоннам) и перпендикулярно поверхности слоя (вдоль кремниевых колонн). Установлено, что проводимость, измеряемая вдоль поверхности слоя, значительно ниже проводимости, измеряемой перпендикулярно поверхности. Из анализа температурных и частотных зависимостей проводимости сделан вывод о различных механизмах переноса носителей заряда в рассматриваемых случаях (вдоль и перпендикулярно поверхности). Ключевые слова: наноструктурированный кремний, потенциальные барьеры, механизм переноса носителй заряда, температурные зависимости проводимости, частотные зависимости проводимости.
- F. Koch, V. Petrova-Koch. J. Non-Cryst. Sol., 198--200, 840 (1996)
- S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, E.F. Crabbe, K. Chan. Appl. Phys. Lett., 68, 1377 (1996)
- A.G. Gullis, L.Т. Canham, P.D. Calcott. J. Appl. Phys. Lett., 82, 909 (1997)
- M. Chiesa, G. Amato, L. Boarino, E. Garrone, F. Geobaldo, E. Giamello Angew. Chem. Int. Ed., 42, 5032 (2003)
- M.T. Kelly, J.K.M. Chun, A.B. Bocarsly. Appl. Phys. Lett., 64, 1693 (2012)
- Е.А. Гостева, В.В. Старков, Ю.Н. Пархоменко, М.О. Ках, И.А. Иве. Альтернативная энергетика и экология, 231--233, 1 (2017)
- Z. Huang, N. Geyer, P. Werner, J. de Boor, U. Gosele. Adv. Mater., 23, 285 (2011)
- M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch. Phys. Rev. B, 49, 2981 (1994)
- П.А. Форш, М.Н. Мартышов, А.П. Латышева, А.С. Воронцов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ЖЭТФ, 134, 1195 (2008)
- Е.А. Агафонова, М.Н. Мартышов, П.А. Форш, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 44, 367 (2010)
- D. Stroud. Phys. Rev. B, 12, 3368 (1975)
- M.N. Martyshov, P.A. Forsh, V.Yu. Timoshenko, P.K. Kashkarov. J. Nanoelectron. Optoelectron., 4, 134 (2009)
- P.A. Forsh, M.N. Martyshov, V.Yu. Timoshenko, P.K. Kashkarov. Phys. Status Solidi C, 4, 1981 (2007)
- П.А. Форш, Л.А. Осминкина, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 38, 626 (2004)
- P.A. Forsh, L.A. Osminkina, D.M. Zhigunov, V.Yu. Timoshenko, P.K. Kashkarov. Phys. Status Solidi C, 2, 3404 (2005)
- М. Бродски. Аморфные полупроводники (М., Мир, 1982)
- Е.А. Форш, А.В. Марикуца, М.Н. Мартышов, П.А. Форш, М.Н. Румянцева, А.М. Гаськов, П.К. Кашкаров. ЖЭТФ, 138, 738 (2010)
- E.A. Forsh, A.V. Marikutsa, M.N. Martyshov, P.A. Forsh, M.N. Rumyantseva, A.M. Gaskov, P.K. Kashkarov. Thin Sol. Films, 558, 320 (2014).
- M.N. Martyshov, E.A. Forsh, A.V. Marikutsa, P.A. Forsh, M.N. Rumyantseva, A.M. Gaskov, P.K. Kashkarov. J. Nanoelectron. Optoelectron., 6, 452 (2011)
- Е.А. Форш, А.В. Марикуца, М.Н. Мартышов, П.А. Форш, М.Н. Румянцева, А.М. Гаськов, П.К. Кашкаров. Вестн. РГРТУ, 42, 98 (2012)
- И.П. Звягин. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках (М., МГУ, 1984)
- Е.А. Форш, А.В. Марикуца, М.Н. Мартышов, П.А. Форш, М.Н. Румянцева, А.М. Гаськов, П.К. Кашкаров. Российские нанотехнологии, 7, 87 (2012)
- E.A. Forsh, A.M. Abakumov, V.B. Zaytsev, E.A. Konstantinova, P.A. Forsh, M.N. Rumyantseva, A.M. Gaskov, P.K. Kashkarov. Thin Sol. Films, 595, 25 (2015).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
