"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изопараметрические гетероструктуры AlInGaAsP/InP и их свойства
Переводная версия: 10.1134/S1063782619070029
Минобрнауки РФ, Государственное задание Южного научного центра Российской академии наук на 2019 год, 01201354240
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-08-01206 А
Алфимова Д.Л.1, Лунин Л.С.1, Лунина М.Л.1, Пащенко А.С.1, Данилина Э.М.1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 17 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.

Обсуждается влияние условий выращивания на структурное совершенство тонкопленочных гетероструктур AlInGaAsP/InP. Определены основные параметры, определяющие структурное совершенство и качество поверхности тонких эпитаксиальных пленок AlInGaAsP, выращенных на подложках фосфида индия из жидкой фазы в поле температурного градиента. Ключевые слова: гетероструктуры, коэффициент термического расширения, кривая дифракционного отражения, упругие напряжения, дислокации.
  1. P.V. Seredin, A.V. Glotov, A.S. Lenshin, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov. Semiconductors, 48, 21 (2014)
  2. H.Z. Song, M. Hadi, Y. Zheng, B. Shen, L. Zhang, Z. Ren, R. Gao, Z.M. Wang. Nanoscale Res. Lett., 12, 128 (2017)
  3. S.E. Gulebaglan, E.K. Dogan, M. Aycibin, M.N. Secuk, B. Erdinc, H. Akkus. Cent. Eur. J. Phys., 11, 1680 (2013)
  4. A.G. Gladyshev, I.I. Novikov, L.Ya. Karachinsky, D.V. Denisov, S.A. Blokhin, A.A. Blokhin, A.M. Nadtochiy, A.S. Kurochkin, A.Yu. Egorov. Semiconductors, 50, 1186 (2016)
  5. D.A. Vinokurov, V.A. Kapitonov, A.V. Lyutetskiy, D.N. Nikolaev, N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, A.L. Stankevich, V.V. Shamakhov, L.S. Vavilova, I.S. Tarasov. Semiconductors, 46, 1321 (2012)
  6. V.V. Shamakhov, D.N. Nikolaev, A.V. Lyutetskiy, K.V. Bakhvalov, M.G. Rastegaeva, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Semiconductors, 48, 373 (2014)
  7. F. Schattiger, D. Bauer, J. Demsar, T. Dekorsy, J. Kleinbauer, D.H. Sutter, J. Puustinen, M. Guina. Appl. Phys. B, 106, 605 (2012)
  8. V.D. Rumyantsev, A.V. Chekalin, D.A. Malevskiy, A.N. Panchak, N.A. Sadchikov, V.M. Andreev, N.Y. Davidyuk, A.L. Luque. IEEE J. Photovolt., 5, 1715 (2015)
  9. A. Luque, I. Ramiro, P. Garcia-Linares, E. Antolin, A. Marti, A. Panchak, A. Vlasov, V. Andreev, A. Mellor. IEEE J. Photovolt., 5, 1074 (2015)
  10. M.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, V.V. Evstropov, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.Z. Shyarts, V.M. Andreev, A. Luque. IEEE J. Photovolt., 5, 1229 (2015)
  11. R.V. Levin, A.E. Marichev, M.Z. Shvarts, E.P. Marukhina, V.P. Khyostikov, B.V. Pushnyi, V.M. Andreev, M.N. Mizerov. Semiconductors, 49, 700 (2015)
  12. M.A. Mintairov, V.V. Evstropov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, N.Kh. Timoshina, N.A. Kalyuzhnyy. Semiconductors, 49, 668 (2015)
  13. V. Khvostikov, N. Kalyuzhnyy, S. Mintairov, N. Potapovich, M. Shvarts, S. Sorokina, A. Luque, V. Andreev. AIP Conf. Proc., 1616, 21 (2014)
  14. N.A. Kalyuzhnyy, V.V. Evstropov, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, A.S. Gudovskikh, A. Luque, V.M. Andreev. Int. J. Photoenergy, 2014, 836284 (2014)
  15. В.Н. Лозовский, Л.С. Лунин, Т.А. Аскарян. Изв. вузов. Физика, 7, 41 (1989)
  16. D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina. Inorg. Mater., 50, 113 (2014)
  17. V.V. Kuznetsov, E.R. Rubtsov, E.A. Kognovitskaya, M.L. Lunina. Rus. J. Phys. Chem. A, 85, 2062 (2011)
  18. A.V. Blagin, D.P. Valyukhov, L.S. Lunin. Inorg. Mater., 44, 793 (2008)
  19. D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunina, A.S. Pashchenko, S.N. Chebotarev, A.E. Kazakova. Inorg. Mater., 53, 1217 (2017)
  20. D.L. Alfimova, L.S. Lunin, M.L. Lunin, S.N. Chebotarev, D.A. Arustamyan, A.E. Kazakova. Semiconductors, 51, 1377 (2017)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.