Вышедшие номера
Изопараметрические гетероструктуры AlInGaAsP/InP и их свойства
Переводная версия: 10.1134/S1063782619070029
Минобрнауки РФ, Государственное задание Южного научного центра Российской академии наук на 2019 год, 01201354240
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-08-01206 А
Алфимова Д.Л.1, Лунин Л.С.1, Лунина М.Л.1, Пащенко А.С.1, Данилина Э.М.1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 17 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.

Обсуждается влияние условий выращивания на структурное совершенство тонкопленочных гетероструктур AlInGaAsP/InP. Определены основные параметры, определяющие структурное совершенство и качество поверхности тонких эпитаксиальных пленок AlInGaAsP, выращенных на подложках фосфида индия из жидкой фазы в поле температурного градиента. Ключевые слова: гетероструктуры, коэффициент термического расширения, кривая дифракционного отражения, упругие напряжения, дислокации.