Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние отжига на свойства слоев Ge : Sb/Si(001) с концентрацией сурьмы выше уровня ее равновесной растворимости в германии

DOI: 10.21883/FTP.2019.07.47864.9091

Переводная версия: 10.1134/S106378261907025X

Российский научный фонд, 17-72-10207

Юрасов Д.В. ¹, Байдакова Н.А.¹, Дроздов М.Н.¹, Морозова Е.Е.¹, Калинников М.А.¹, Новиков А.В.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: Inquisitor@ipmras.ru, banatale@ipmras.ru, drm@ipmras.ru, elenamor@ipmras.ru, kalinnikov@ipmras.ru, anov@ipmras.ru

Поступила в редакцию: 25 февраля 2019 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние быстрого термического отжига на электрические и излучательные свойства эпитаксиальных слоев Ge : Sb/Si(001) с концентрацией сурьмы существенно выше уровня ее равновесной растворимости в германии. За счет использования прецизионного химического травления Ge исследованы локальные изменения электрических и излучательных свойств n-Ge/Si(001) по толщине структуры. Показано, что при относительно низких (≤500^oC) температурах отжига изменение свойств таких слоев (уменьшение концентрации электронов и интенсивности сигнала фотолюминесценции) происходит при отсутствии заметного диффузионного перераспределения атомов примеси. Для относительно высоких (≥700^oC) температур отжига изменения электрических и излучательных свойств слоев Ge : Sb вызваны существенным перераспределением Sb в результате ее объемной диффузии и десорбции с поверхности. В частности, диффузия Sb приводит к формированию легированных слоев в изначально нелегированных частях исследованных структур, которые в результате этого начинают давать существенный вклад в суммарную проводимость структуры и ее сигнал фотолюминесценции. Ключевые слова: SiGe-структуры, молекулярно-пучковая эпитаксия, примеси, отжиг.

M. Jamil, J. Mantey, E.U. Onyegam, G.D. Carpenter, E. Tutuc, S.K. Banerjee. IEEE Electron. Dev. Lett., 32, 1203 (2011)
R. Geiger, T. Zabel, H. Sigg. Frontiers Mater., 2, 52 (2015)
S. Saito, A.Z. Al-Attili, K. Oda, Y. Ishikawa. Semicond. Sci. Technol., 31, 043002 (2016)
P. Boucaud, M. El Kurdi, A. Ghrib, M. Prost, M. de Kersauson, S. Sauvage, F. Aniel, X. Checoury, G. Beaudoin, L. Largeau, I. Sagnes, G. Ndong, M. Chaigneau, R. Ossikovski. Photon. Res., 1, 102 (2013)
L. Baldassarre, E. Sakat, J. Frigerio, A. Samarelli, K. Gallacher, E. Calandrini, G. Isella, D.J. Paul, M. Ortolani, P. Biagioni. Nano Lett., 15, 7225 (2015)
J. Vanhellemont, E. Simoen. Mater. Sci. Semicond. Proc., 15, 642 (2012)
M. Yamada, K. Sawano, M. Uematsu, K.M. Itoh. Appl. Phys. Lett., 107, 132101 (2015)
K. Nakagawa, N. Sugii, S. Yamaguchi, M. Miyao. J. Cryst. Growth, 201/202, 560 (1999)
K. Sawano, Y. Hoshi, K. Kasahara K. Yamane, K. Hamaya, M. Miyao, Y. Shiraki. Appl. Phys. Lett., 97, 162108 (2010)
D.V. Yurasov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, V.B. Schmagin, K.E. Spirin, A.V. Novikov. J. Appl. Phys., 118, 145701 (2015)
M. Oehme, J. Werner, E. Kasper. J. Cryst. Growth, 310, 4531 (2008)
C. Xu, C.L. Senaratne, P. Sims, J. Kouvetakis, J. Menendez. ACS Appl. Mater. Interf., 8 (36), 23810 (2016)
S. Prucnal, F. Liu, M. Voelskow, L. Vines, L. Rebohle, D. Lang, Y. Berencen, S. Andric, R. Boettger, M. Helm, S. Zhou, W. Skorupa. Sci. Rep., 6, 27643 (2016)
D. Pastor, H.H. Gandhi, C.P. Monmeyran, A.J. Akey, R. Milazzo, Y. Cai, E. Napolitani, R.M. Gwilliam, I.F. Crowe, J. Michel, L.C. Kimerling, A. Agarwal, E. Mazur, M.J. Aziz. J. Appl. Phys., 123, 165101 (2018)
D.V. Yurasov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, P.A. Yunin, B.A. Andreev, P.A. Bushuykin, N.A. Baydakova, A.V. Novikov. J. Cryst. Growth, 491, 26 (2018)
Y. Yamamoto, M.R. Barget, G. Capellini, N. Taoka, M. Virgilio, P. Zaumseil, A. Hesse, T. Schroeder, B. Tillack. Mater. Sci. Semicond. Proc., 70, 111 (2017)
N. Higashitarumizu, Y. Ishikawa. Opt. Express, 25, 21286 (2017)
R. Milazzo, G. Impellizzeri, D. Piccinotti, D. De Salvador, A. Portavoce, A. La Magna, G. Fortunato, D. Mangelinck, V. Privitera, A. Carnera, E. Napolitani. Appl. Phys. Lett., 110, 011905 (2017)
G. Zhou, K.H. Lee, D.H. Anjum, Q. Zhang, X. Zhang, C.S. Tan, G. Xia. Optical Mater. Express, 8, 1117 (2018)
D.V. Yurasov, A.V. Novikov, N.A. Baidakova, E.E. Morozova, P.A. Yunin, D.V. Shengurov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, Z.F. Krasilnik. Semicond. Sci. Technol., 33, 124019 (2018)
D.V. Yurasov, A.Yu. Luk'yanov, P.V. Volkov, A.V. Goryunov, A.D. Tertyshnik, M.N. Drozdov, A.V. Novikov. J. Cryst. Growth, 413, 42 (2015)
H.-C. Luan, D.R. Lim, K.K. Lee, K.M. Chen, J.G. Sandland, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 75, 2909 (1999)
J.-M. Hartmann, A. Abbadie, J.P. Barnes, J.M. Fedeli, T. Billon, L. Vivien. J. Cryst. Growth, 312, 532 (2010)
Д.В. Юрасов, А.И. Бобров, В.М. Данильцев, А.В. Новиков, Д.А. Павлов, Е.В. Скороходов, М.В. Шалеев, П.А. Юнин. ФТП, 49 (11), 1463 (2015)
S.C. Jain, D.J. Roulston. Solid State Electron., 34, 453 (1991)
A. Chroneos. J. Appl. Phys., 107, 076102 (2010).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель