Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2019, выпуск 5 » Статья стр. 710
<<<>>>
Полупроводниковые гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной на подложках с ориентацией (110)
DOI: 10.21883/FTP.2019.05.47569.9018
Переводная версия: 10.1134/S1063782619050026
Абрамкин Д.С.1,2, Шамирзаев Т.С.1,2,3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Email: demid@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 7 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2019 г.
PDF версия
Гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной являются удобными объектами для исследования спиновой динамики локализованных экситонов, изучение которой в других типах гетероструктур затруднительно. В работе показано, что структуры с таким энергетическим спектром могут быть сформированы из бинарных соединений АIIIВV на подложках ориентации (110). Обсуждается влияние распределения механических напряжений и структуры зоны проводимости в пространстве квазиимпульсов на энергетический спектр электронных состояний в гетероструктурах.
  1. Z.M. Wang. Self Assembled Quantum Dots (Springer, N.Y., 2008)
  2. C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1989)
  3. G. Wang, B.L. Liu, A. Balocchi, P. Renucci, C.R. Zhu, T. Amand, C. Fontaine, X. Marie. Nature Commun., 4, 2372 (2013)
  4. A. Hernandez-Minguez, K. Biermann, R. Hey, P.V. Santos. Phys. Rev. B, 94, 125311 (2016)
  5. K.F. Karlsson, M.A. Dupertuis, D.Y. Oberli, E. Pelucchi, A. Rudra, P.O. Holtz, E. Kapon. Phys. Rev. B, 81, 161307 (2010)
  6. A. Schliwa, M. Winkelnkemper, A. Lochmann, E. Stock, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 80, 161307(R) (2009)
  7. Y.S. Chen, S. Falt, W. Wegscheider, G. Salis. Phys. Rev. B, 90, 121304(R) (2014)
  8. M. Dyakonov, V. Perel. Sov. Phys. Solid State, 13, 3023 (1972)
  9. O.D.D. Couto, jr., F. Iikawa, J. Rudolph, R. Hey, P.V. Santos. Phys. Rev. Lett., 98, 036603 (2007),
  10. M. Kohda, G. Salis. Semicond. Sci. Technol., 32 (7), 073002 (2017)
  11. T.S. Shamirzaev, J. Debus, D.S. Abramkin, D. Dunker, D.R. Yakovlev, D.V. Dmitriev, A.K. Gutakovskii, L.S. Braginsky, K.S. Zhuravlev, M. Bayer. Phys. Rev. B, 84, 155318 (2011)
  12. T.S. Shamirzaev, J. Debus, D.R. Yakovlev, M.M. Glazov, E.L. Ivchenko, M. Bayer. Phys. Rev. B, 94, 045411 (2016)
  13. W. Tomm, T. Elsaesser, Yu.I. Mazur, H. Kissel, G.G. Tarasov, Z.Ya. Zhuchenko, W.T. Masselink. Phys. Rev. B, 67, 045326 (2003)
  14. Т.С. Шамирзаев. ФТП, 45, 97 (2011)
  15. M.-E. Pistol, C.E. Pryor. Phys. Rev. B, 80, 035316 (2009)
  16. T.S. Shamirzaev, A.V. Nenashev, A.K. Gutakovskii, A.K. Kalagin, K.S. Zhuravlev, M. Larsson, P.O. Holtz. Phys. Rev. B, 78, 085323 (2008)
  17. T.S. Shamirzaev, A.M. Gilinsky, A.K. Kalagin, A.V. Nenashev, K.S. Zhuravlev. Phys. Rev. B, 76, 155309 (2007)
  18. T.S. Shamirzaev, D.S. Abramkin, A.K. Gutakovskii, M.A. Putyato. Appl. Phys. Lett., 97, 023108 (2010)
  19. D.S. Abramkin, M.A. Putyato, S.A. Budennyy, A.K. Gutakovskii, B.R. Semyagin, V.V. Preobrazhenskii, O.F. Kolomys, V.V. Strelchuk, T.S. Shamirzaev. J. Appl. Phys., 112, 083713 (2012)
  20. Д.С. Абрамкин, М.А. Путято, А.К. Гутаковский, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский, Т.С. Шамирзаев. ФТП, 46, 1571 (2012)
  21. T.S. Shamirzaev, D.S. Abramkin, A.K. Gutakovskii, M.A. Putyato. Письма ЖЭТФ, 95, 601 (2012)
  22. D.S. Abramkin, V.T. Shamirzaev, M.A. Putyato, A.K. Gutakovskii, T.S. Shamirzaev. Письма ЖЭТФ, 99, 81 (2014)
  23. Д.С. Абрамкин, К.М. Румынин, А.К. Бакаров, Д.А. Колотовкина, А.К. Гутаковский, Т.С. Шамирзаев. Письма ЖЭТФ, 103, 785 (2016)
  24. Д.С. Абрамкин, А.К. Бакаров, М.А. Путято, Е.А. Емельянов, Д.А. Колотовкина, А.К. Гутаковский, Т.С. Шамирзаев. ФТП, 51, 1282 (2017)
  25. Д.С. Абрамкин, А.К. Бакаров, А.К. Гутаковский, Т.С. Шамирзаев. ФТП, 52, 1280 (2018)
  26. D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (N.Y., Wiley, 1999)
  27. F.H. Pollak, M. Cardona. Phys. Rev., 172, 816 (1968)
  28. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  29. S.H. Wei, A. Zunger. Appl. Phys. Lett., 72, 2011 (1998)
  30. M.C. Munoz, G. Armelles. Phys. Rev. B, 48, 2839 (1993)
  31. Landolt-Bornstein Numerical Data and Functional Relationships in Scince and Technology, ed. by O. Madelung, M. Schultz, H. Weiss. New series, vol. 17 (1982) [ Semiconductors-Basic Data, 2nd edn, ed. by O. Madelung (Springer, N.Y., 1996)]
  32. Al.L. Efros, M. Rosen, M. Kuno, M. Nirmal, D.J. Norris, M. Bawendi. Phys. Rev. B, 54, 4843 (1996)
  33. M.G. Burt. J. Phys.: Condens. Matter, 4, 6651 (1992)
  34. M. Paillard, X. Marie, P. Renucci, T. Amand, A. Jbeli, J.M. Gerard. Phys. Rev. Lett., 86, 1634 (2001)
  35. P. Nahalkova, D. Sprinzl, P. Maly, P. Nemec, V.N. Gladilin, J.T. Devreese. Phys. Rev. B, 75, 113306 (2007)
  36. M.W. Wu, J.H. Jiang, M.Q. Weng. Phys. Reports, 493, 61 (2010)
  37. R. Ohta, H. Okamoto, T. Tawara, H. Gotoh, H. Yamaguchi. Phys. Rev. Lett., 120, 267401 (2018)
  38. T.S. Shamirzaev, J. Rautert, D.R. Yakovlev, J. Debus, A.Yu. Gornov, M.M. Glazov, E.L. Ivchenko, M. Bayer. Phys. Rev. B, 96, 035302 (2017)
  39. Т.С. Шамирзаев. ФТТ, 60, 1542 (2018)
  40. Е.Л. Ивченко. ФТТ, 60, 1503 (2018)
  41. J. Debus, T.S. Shamirzaev, D. Dunker, V.F. Sapega, E.L. Ivchenko, D.R. Yakovlev, A.I. Toropov, M. Bayer. Phys. Rev. B, 90, 125431 (2014)
  42. P.M. Petroff, A.C. Gossard, W. Wiegmann. Appl. Phys. Lett., 45, 620 (1984)
  43. E. Michel, G. Singh, S. Slivken, C. Besikci, P. Bove, I. Ferguson, M. Razegh. Appl. Phys. Lett., 65, 3338 (1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme