"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Топологические поверхностные состояния фермионов Дирака в термоэлектриках n-Bi2Te3-ySey
Переводная версия: 10.1134/S1063782619050142
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-08-00478
Лукьянова Л.Н. 1, Макаренко И.В. 1, Усов О.А. 1, Дементьев П.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lidia.lukyanova@mail.ioffe.ru, igor.makarenko@mail.ioffe.ru, demenp@yandex.ru
Поступила в редакцию: 20 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2019 г.

В термоэлектриках n-Bi2Te3 и n-Bi2Te3-ySey исследованы поверхностные состояния фермионов Дирака межслоевой ван-дер-ваальсовой поверхности (0001) методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии. Морфология поверхности и характер модуляции на линейных профилях изображений, полученных методом туннельной микроскопии, определяется локальными искажениями плотности поверхностных электронных состояний и зависит от состава. Точка Дирака ED в исследованных составах локализована в запрещенной зоне и смещается к потолку валентной зоны с увеличением содержания Se в твердых растворах n-Bi2Te3-ySey. Установлена зависимость между параметрами поверхностных состояний фермионов Дирака (положением точки Дирака, скоростью Ферми, поверхностной концентрацией фермионов) и термоэлектрическими свойствами (коэффициентом Зеебека и параметром мощности) в исследованных термоэлектриках.
  1. M.Z. Hasan, C.L. Kane. Rev. Mod. Phys., 82, 3045 (2010)
  2. J. Lee, J. Koo, Y.M. Jhon, J.H. Lee. Opt. Express, 22, 6165 (2014)
  3. J. Zilong, C. Cui-Zu, M.R. Masir, Chi Tang, Y. Xu, J.S. Moodera, A.H. MacDonald, S. Jing. Nature Commun., 7, 11458 (2016)
  4. Y.P. Chen. Proc. SPIE, 8373, 83730B (2012)
  5. M. Eschbach et al. Nature Commun., 6, 8816 (2015)
  6. Ning Xu, Yong Xu, Jia Zhu. npj Quantum Materials, 2, 51 (2017)
  7. S.Y. Matsushita, K.K. Huynh, H. Yoshino, N.H. Tu, Y. Tanabe, K. Tanigaki. Phys. Rev. Mater., 1, 054202 (2017)
  8. L.N. Lukyanova, I.V. Makarenko, O.A. Usov, P.A. Dementev. Semicond. Sci. Technol., 33, 055001 (2018)
  9. R.W.G. Wyckoff. Crystal Structures (N.Y., Wiley, 1964) v. 2
  10. W. Ko, I. Jeon, H.W. Kim, H. Kwon, S.-J. Kahng, J. Park, J.S. Kim, S.W. Hwang, H. Suh. Sci. Reports, 3, 2656 (2013)
  11. L. Petersen, P.T. Sprunger, P. Hofmann, E. Lagsgaard, B.G. Briner, M. Doering, H.-P. Rust, A.M. Bradshaw, F. Besenbacher, E.W. Plummer. Phys. Rev. B, 57 R6858 (1998)
  12. C. Wagner, R. Franke, T. Fritz. Phys. Rev. B, 75, 235432 (2007)
  13. А.Н. Вейс, М.К. Житинская, Л.Н. Лукьянова, В.А. Кутасов. Науч.-техн. ведомости СПбГПУ. Физ.-мат. науки, 177 (3), 29 (2013)
  14. W.S. Whitney, V.W. Brar, Y. Ou, Y. Shao, A.R. Davoyan, D.N. Basov, K. He, Q.-K. Xue, H.A. Atwater. Nano Lett., 17, 255 (2017)
  15. H. Liu, S. Liu, Ya Yi, H. He, J. Wang. 2D Mater., 2, 045002 (2015).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.