Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Комбинационное рассеяние света в сферических нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных в пленках оксида кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063782619040262 
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Email: tys@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 25 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.
Изучены спектры комбинационного рассеяния света в пленках SiO2, содержащих сферические нанокристаллы InSb, полученные методом ионно-лучевого синтеза. TO- и LO-подобные моды в спектрах нанокристаллов InSb были обнаружены на частотах 187 и 195 cм-1 соответственно. Высокочастотное смещение этих мод по сравнению с их значениями в объемных кристаллах InSb проанализировано с точки зрения влияния квантово-размерного эффекта, механических напряжений в нанокристаллах, частоты поверхностного фонона, а также рассеяния на частоте, соответствующей растянутым анион-катионным модам на поверхности полярных сферических нанокристаллов. Положение моды 195 cм-1 соответствует LO-фонону в нанокристаллах InSb, гидростатически сжатых в матрице SiO2 при давлениях ~10 кбар. Мода 187 cм-1 соответствует резонансу на частоте Фрелиха.
- M.I. Vasilevskiy. Phys. Rev. B, 66, 195326 (2002)
- G. Armelles, T. Utzmeier, P.A. Postigo, F. Briones, J.C. Ferrer, P. Peir\`o, A. Comet. J. Appl. Phys., 81, 6339 (1997)
- B. Capoen, V.Q. Lam, S. Turrel, L.P. Vilcot, F. Beclin, Y. Jestin, M. Bouazaoui. J. Non-Cryst. Sol., 351, 1819 (2005)
- D. Chen, C. Li, Z. Zhu, J. Fan, S. Wei. Phys. Rev. B, 72, 075341 (2005)
- I.E. Tyschenko, M. Voelskow, A. G. Cherkov, V. P. Popov. Semiconductors, 48, 1228 (2014)
- I.H. Campbell, P.M. Fauchet. Sol. St. Commun., 58, 739 (1986)
- K. Aoki, E. Anastassakis, M. Cardona. Phys. Rev. B, 30, 681 (1984)
- H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley. Sol. St. Commun., 39, 625 (1981)
- V.A. Volodin, V.A. Sachkov. J. Exp. Theor. Phys., 116, 87 (2013)
- P.Y. Yu, M. Cardona. Fundamentals of Semiconductors. Physics and Materials Properties, eds by H.E. Stanley, W.T. Rhodes (Springer, Heidelberg--Dordrecht--London--N.Y., 2010)
- R. Ruppin, R. Englman. Rep. Progr. Phys., 33, 149 (1970)
- M.I. Vasilevskiy, A.G. Rolo, M.V. Artemyev, S.A. Filonovich, M.J.M. Gomes, Yu.P. Rakovich. Phys. Status Solidi B, 224, 599 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
