"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Комбинационное рассеяние света в сферических нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных в пленках оксида кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063782619040262
Тысченко И.Е.1, Володин В.А.1, Попов В.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: tys@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 25 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.

Изучены спектры комбинационного рассеяния света в пленках SiO2, содержащих сферические нанокристаллы InSb, полученные методом ионно-лучевого синтеза. TO- и LO-подобные моды в спектрах нанокристаллов InSb были обнаружены на частотах 187 и 195 cм-1 соответственно. Высокочастотное смещение этих мод по сравнению с их значениями в объемных кристаллах InSb проанализировано с точки зрения влияния квантово-размерного эффекта, механических напряжений в нанокристаллах, частоты поверхностного фонона, а также рассеяния на частоте, соответствующей растянутым анион-катионным модам на поверхности полярных сферических нанокристаллов. Положение моды 195 cм-1 соответствует LO-фонону в нанокристаллах InSb, гидростатически сжатых в матрице SiO2 при давлениях ~10 кбар. Мода 187 cм-1 соответствует резонансу на частоте Фрелиха.
  1. M.I. Vasilevskiy. Phys. Rev. B, 66, 195326 (2002)
  2. G. Armelles, T. Utzmeier, P.A. Postigo, F. Briones, J.C. Ferrer, P. Peir\`o, A. Comet. J. Appl. Phys., 81, 6339 (1997)
  3. B. Capoen, V.Q. Lam, S. Turrel, L.P. Vilcot, F. Beclin, Y. Jestin, M. Bouazaoui. J. Non-Cryst. Sol., 351, 1819 (2005)
  4. D. Chen, C. Li, Z. Zhu, J. Fan, S. Wei. Phys. Rev. B, 72, 075341 (2005)
  5. I.E. Tyschenko, M. Voelskow, A. G. Cherkov, V. P. Popov. Semiconductors, 48, 1228 (2014)
  6. I.H. Campbell, P.M. Fauchet. Sol. St. Commun., 58, 739 (1986)
  7. K. Aoki, E. Anastassakis, M. Cardona. Phys. Rev. B, 30, 681 (1984)
  8. H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley. Sol. St. Commun., 39, 625 (1981)
  9. V.A. Volodin, V.A. Sachkov. J. Exp. Theor. Phys., 116, 87 (2013)
  10. P.Y. Yu, M. Cardona. Fundamentals of Semiconductors. Physics and Materials Properties, eds by H.E. Stanley, W.T. Rhodes (Springer, Heidelberg--Dordrecht--London--N.Y., 2010)
  11. R. Ruppin, R. Englman. Rep. Progr. Phys., 33, 149 (1970)
  12. M.I. Vasilevskiy, A.G. Rolo, M.V. Artemyev, S.A. Filonovich, M.J.M. Gomes, Yu.P. Rakovich. Phys. Status Solidi B, 224, 599 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.