"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние фазового перехода второго рода на электропроводность структуры металл/полупроводник
Переводная версия: 10.1134/S1063782619040201
Набиуллин И.Р.1, Гадиев Р.М. 1, Лачинов А.Н.2
1Башкирский государственный педагогический университет им. М. Акмуллы, Уфа, Россия
2Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН, Уфа, Россия
Email: gadiev.radik@gmail.com
Поступила в редакцию: 15 ноября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.

Представлены результаты исследования свойств потенциального барьера Cr-p-Si вблизи температур фазового перехода антиферромагнетик/парамагнетик в Cr. Обнаружено значительное изменение потенциального барьера и аномальное увеличение проводимости в структуре Cr-p-Si-Au вблизи температуры фазового перехода 2-го рода антиферромагнетик/парамагнетик в хроме. Установлено, что по мере приближения к температуре фазового перехода в структуре наблюдается нарастание флуктуаций тока. Интерпретация полученных экспериментальных результатов строится на предположении о том, что наблюдаемые изменения электронных транспортных свойств контакта Cr-Si обусловлены изменением положения квазиуровня Ферми хрома в результате фазового перехода 2-го рода.
  1. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) кн. 1
  2. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  3. M. Matlak, M. Pietruszka. J. Alloys Comp., 291, 21 (1999)
  4. В.М. Корнилов, А.Н. Лачинов. Письма ЖЭТФ, 61 (11), 902 (1995)
  5. M. Matlak, M. Pietruszka. Phys. Status Solidi B, 241 (1), 163 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.