"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эволюция микролунок на широких террасах поверхности Si(111) в процессе высокотемпературного отжига
Переводная версия: 10.1134/S1063782619040237
Российский научный фонд, 14-22-00143
Петров А.С. 1, Ситников С.В. 1, Косолобов С.С. 2, Латышев А.В. 1,3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Сколковский институт науки и технологий, Москва, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: alexey_petrov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 22 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.

Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии проведены исследования трансформации микролунок на широких террасах поверхности Si(111), не содержащей вицинальных атомных ступеней, при термическом отжиге подложки в интервале 1200-1400oC. Предложена методика создания микролунок на широких террасах поверхности Si(111) с применением технологии фокусированного ионного пучка (Ga+). Обнаружено, что кинетика разрастания микролунки меняется при достижении ею критического радиуса Rcrit, что обусловлено активацией процесса зарождения двумерных вакансионных островков на дне микролунки. Предложена теоретическая модель, описывающая изменения латеральных размеров микролунки как до, так и после достижения Rcrit. На основе анализа полученной температурной зависимости частот зарождения двумерных вакансионных островков на дне микролунки определена эффективная энергия зародышеобразования вакансионного островка --- 4.1±0.1 эВ.
  1. А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Моноатомные ступени на поверхности кремния (Новосибирск, Изд-во СО РАН, 2006)
  2. Y. Homma, H. Hibino, T. Ogino. Phys. Rev. B, 58 (19), 146 (1998)
  3. K.L. Man, A.B. Pang, M.S. Altman. Surf. Sci., 601 (20), 4669 (2007)
  4. С.В. Ситников, С.С. Косолобов, А.В. Латышев. ФТП, 51 (2), 212 (2017)
  5. S.V. Sitnikov, A.V. Latyshev, S.S. Kosolobov. J. Cryst. Growth, 457, 196 (2015)
  6. H.C. Kan, T. Kwon, R.J. Phaneuf. Phys. Rev. B, 77, 205401 (2008)
  7. T. Kwon, R.J. Phaneuf, H. Kan. Appl. Phys. Lett., 88, 071914 (2006)
  8. K. Li, N. Pradeep, S. Chikkamaranahalli, G. Stan, R. Attota, J. Fu, R. Silver. J. Vac. Sci. Technol. B, Nanotechnol. Microelectron. Mater. Process. Meas. Phenomena, 29 (4), 41806 (2011)
  9. K.-C. Chang, J.M. Blakely. Surf. Sci., 591 (1-3), 133 (2005)
  10. H.-C. Jeong, E.D. Williams. Surf. Sci. Rep., 34 (6-8), 171 (1999)
  11. T. Ogino, H. Hibino, Y. Homma. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci., 24 (3), 227 (1999)
  12. С.В. Ситников, С.С. Косолобов, Д.В. Щеголов, А.В. Латышев. Патент N 2453874 (2012)
  13. C.A. Volkert, A.M. Minor. MRS Bulletin, 32, 389 (2007)
  14. K. Takayanagi, Y. Tanishiro, M. Takahashi, S. Takahashi. J. Vac. Sci. Techn. A, 3 (3), 1502 (1985)
  15. A. Pimpinelli, J. Villain. Physica A, 204 (1-4), 521 (1994)
  16. Y. Homma, N. Aizawa, T. Ogino. Jpn. J. Appl. Phys., 35 (2), (1996)
  17. Y. Homma, H. Hibino, T. Ogino, N. Aizawa. Phys. Rev. B, 55 (16), R10237 (1997)
  18. S.V. Sitnikov, S.S. Kosolobov, A.V. Latyshev. Surf. Sci., 633, L1 (2015)
  19. С.В. Ситников, С.С. Косолобов, А.В. Латышев. Вестн. НГУ, 11 (1), 94 (2016)
  20. A.B. Pang, K.L. Man, M.S. Altman, T.J. Stasevich, F. Szalma, T.L. Einstein. Phys. Rev. B, 77 (11), 115424 (2008)
  21. C. Alfonso, J.C. Heyraud, J.J. Metois. Surf. Sci. Lett., 291, 745 (1993)
  22. J.M. Bermond, J.C. Heyraud, C. Alfonso. Surf. Sci., 331- 333, 855 (1995)
  23. Y. Fukaya, Y. Shigeta. Phys. Rev. Lett., 85 (34), 5150 (2000)
  24. V. Ignatescu, J.M. Blakely. Surf. Sci., 601 (23), 5459 (2007)
  25. J. Frenken, P. Maree, J. van der Veen. Phys. Rev. B, 34 (11), 7506 (1986)
  26. G. Grubel, D. Gibbs, D. Zehner, D. Abernathy, A. Sandy, S. Mochrie. Surf. Sci., 287- 288, 842 (1993)
  27. B. Pluis, J. Frenken, J. van der Veen. Phys. Rev. Lett., 59 (23), 2678 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.