"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Образование дефектов в структурах GaAs с непокрытой и покрытой пленкой AlN поверхностями при имплантации ионов азота и последующем отжиге
Переводная версия: 10.1134/S1063782619040250
Соболев Н.А.1, Сахаров В.И.1, Серенков И.Т.1, Бондарев А.Д.1, Карабешкин К.В.1, Фомин Е.В.1, Калядин А.Е.1, Микушкин В.М.1, Шек Е.И.1, Шерстнев Е.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 6 декабря 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.

Исследованы профили концентрации дефектов, образовавшихся в структурах после имплантации ионов азота в эпитаксиальные слои GaAs с непокрытой и покрытой пленкой AlN поверхностями и последующего отжига. Энергии ионов и дозы имплантации выбирались таким образом, чтобы концентрационные профили атомов азота совпадали в структурах обоих типов. В исследуемых образцах измерялись спектры обратного резерфордовского рассеяния протонов в случайном и каналирующих режимах и рассчитывались профили концентрации образовавшихся точечных дефектов. Установлено, что имплантация ионов азота вводит примерно одинаковое количество точечных дефектов в оба типа структур, а формирование пленки AlN с помощью ионно-плазменного распыления сопровождается образованием дополнительного количества дефектов. Однако после отжига структур обоих типов концентрация остающихся дефектов примерно одинакова.
  1. M. Weyers, M. Sato, H. Ando. Jpn. J. Appl. Phys., pt 2, 31, L853 (1992)
  2. A. Ougazzaden, Y.Le Bellego, E.V.K. Rao, M. Juhel, L. Leprince, G. Patriarche. Appl. Phys. Lett., 70, 2861 (1997)
  3. M. Kondow, K. Uomi, K. Hosomi, T. Mozume. Jpn. J. Appl. Phys., pt 2, 33, L1056 (1994)
  4. K. Uesugi, N. Morooka. Appl. Phys. Lett., 74, 1254 (1999)
  5. А.Е. Жуков, Е.С. Семенова, М.В. Устинов, E.R. Weber. ЖТФ, 71 (10), 59 (2001)
  6. А.Ю. Егоров, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, Y.G. Hong, C. Tu. ФТП, 36 (9), 1056 (2002)
  7. K.M. Yu, W. Walukiewicz, J. Wu, J.W. Beeman, J.W. Ager III, E.E. Haller, W. Shan, H.P. Xin, C.W. Tu, C. Ridgway. J. Appl. Phys., 90, 2227 (2001)
  8. X. Weng, S.J. Clarke, W. Ye, S. Kumar, R.S. Goldmana, A. Daniel, R. Clarke, J. Holt, J. Sipowska, A. Francis, V. Rotberg. J. Appl. Phys., 92, 4012 (2002)
  9. V.M. Mikoushkin. Appl. Surf. Sci., 257 (11), 4941 (2011)
  10. Kun Gao, S. Prucnal, W. Skorupa, M. Helm, S. Zhou. Appl. Phys. Lett., 105, 012107 (2014)
  11. Н.А. Соболев, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, А.Е. Калядин, К.В. Карабешкин, В.М. Микушкин, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, Е.И. Шек, Е.В. Шерстнев, Н.М. Шмидт. Письма ЖТФ, 44 (13), 44 (2018)
  12. Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, К.В. Карабешкин, Р.Н. Кютт, В.М. Микушкин, Е.И. Шек, Е.В. Шерстнев, В.И. Вдовин. Письма ЖТФ, 44 (18), 24 (2018)
  13. Н.А. Берт, А.Д. Бондарев, В.В. Золотарев, Д.А. Кириленко, Я.В. Лубянский, А.В. Лютецкий, С.О. Слипченко, А.Н. Петрунов, Н.А. Пихтин, К.Р. Аюшева, И.Н. Арсентьев, И.С. Тарасов. ФТП, 49, 1429 (2015)
  14. J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. The Stopping and Range of Ions in Solids (Pergamon Press, N.Y., 1985)
  15. L.C. Feldman, J.W. Mayer, S.T. Picraux. Material Analysis by Ion Channeling (Academic Press, N.Y., 1982) chap. 5

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.