"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Моделирование переходных процессов в полупроводниковых приборах на основе 4H-SiC (учет неполной ионизации легирующих примесей в модуле ATLAS программного пакета SILVACO TCAD)
Переводная версия: 10.1134/S1063782619030072
Иванов П.А.1, Потапов А.С.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Проведено моделирование переходного процесса в RC-цепи с обратно смещенным 4H-SiC p-n-диодом в качестве емкостного элемента. Для моделирования использовался программный модуль ATLAS, входящий в состав системы приборно-технологического проектирования SILVACO TCAD. Предложен и опробован альтернативный имеющемуся в ATLAS способ задания параметров легирующих примесей, частично ионизированных в 4H-SiC при комнатной температуре. (Имеющаяся в модуле ATLAS физическая модель INCOMPLETE, описывающая неполную ионизацию легирующих примесей в полупроводниках, непригодна для моделирования динамических характеристик приборов). Результаты моделирования обсуждаются в свете полученных ранее результатов экспериментальных исследований.
  1. http://www.silvaco.com
  2. G. Pensl, F. Ciobanu, T. Frank, M. Krieger, S. Reshanov, F. Schmid, M. Weidner. Int. J. High Speed Electron. Syst., 15, 705 (2005)
  3. Л.Б. Елфимов, П.А. Иванов. ФТП, 28, 161 (1994)
  4. П.А. Иванов, И.В. Грехов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова. ФТП, 42, 878 (2008)
  5. П.А. Иванов, А.С. Потапов, И.В. Грехов. ЖТФ, 88, (6), 955 (2018)
  6. П.А. Иванов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, O. Korol'kov, N. Sleptsuk. ФТП, 45, 1358 (2011)
  7. Т.Т. Мнацаканов, М.Е. Левинштейн, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков. ФТП, 38, 56 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.