"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Структура и свойства пленок оксида галлия, полученных высокочастотным магнетронным напылением
Переводная версия: 10.1134/S1063782619030096
РНФ, 18-44-06001
Калыгина В.М. 1, Лыгденова Т.З. 1, Новиков В.А. 1, Петрова Ю.С. 1, Цымбалов А.В.1, Яскевич Т.М. 1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: Kalygina@ngs.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Исследованы свойства пленок оксида галлия, полученных высокочастотным магнетронным распылением мишени beta-Ga2O3 с осаждением на сапфировую подложку. После нанесения пленки оксида галлия оказываются поликристаллическими, содержат кристаллиты alpha- и beta-фазы. Воздействие кислородной плазмой не приводит к появлению новых кристаллитов, но в несколько раз увеличивает их средний размер в плоскости подложки. После отжига при 900oC размер кристаллитов увеличивается в 2 раза по сравнению с пленкой без отжига. Пленки, не подвергнутые термическому отжигу, обладают большим сопротивлением при 20oC. В интервале 50-500oC проводимость образцов (G) слабо зависит от температуры T и увеличивается по экспоненциальному закону при дальнейшем повышении T с энергией активации 0.7-1.0 эВ. После отжига пленок в аргоне при 900oC (30 мин) участок резкого роста G начинается при T~350oC. На кривой зависимости ln G от 1/T наблюдается максимум в интервале 470-520oC, который сменяется участком спада проводимости при более высоких температурах. Необычный вид температурной зависимости проводимости после отжига связан с изменением структуры и фазового состава поликристаллической пленки оксида галлия и, возможно, с эффектами на поверхности. Структуры, полученные на диэлектрической подложке, оказываются солнечно-слепыми в видимом диапазоне длин волн и чувствительными к воздействию излучения в ультрафиолетовом диапазоне (222 нм).
  1. В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, Е.П. Найден, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, М.С. Скакунов, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 45 (8), 1130 (2011)
  2. В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, С.Ю. Цупий, Т.М. Яскевич. ФТП, 47 (5), 598 (2013)
  3. Z. Zhang, E. Farzana, A. Arehart, S.A. Ringel. Appl. Phys. Lett.,  108, 052105 (2016)
  4. N.P. Zaretskiy, L.I. Menshikov, A.A. Vasiliev. Sensors Actuators B, 170, 148 (2012)
  5. А.С. Чижов, М.Н. Румянцева, А.М. Гаськов. Неорг. матep., 49 (10), 1078 (2013)
  6. K. Irmscher, Z. Galazka, M. Pietsch, R. Uecer, R. Fornari. J. Appl. Phys., 110, 063720 (2011)
  7. A.M. Armstrong, M.H. Crawford, A. Jayawardena, A. Ahyi, S. Dhar. J. Appl. Phys., 119, 103102 (2016)
  8. T.C. Lovejoy, R. Chen, X. Zheng, E.G. Villora, K. Shimamura, H. Yoshikawa, Y. Yamashita, S. Ueda, K. Kobayashi, S.T. Dunham, F.S. Ohuchi, M.A. Olmstead. Appl. Phys. Lett., 100, 181602 (2012)
  9. В.И. Гаман. Физика полупроводниковых газовых сенсоров (Томск, Изд-во НТЛ, 2012)
  10. Н.К. Максимова, Е.Ю. Севастьянов, Н.В. Сергейченко, Е.В. Черников. Полупроводниковые тонкопленочные газовые сенсоры. (Томск, Изд-во НТЛ, 2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.