Исследованы свойства пленок оксида галлия, полученных высокочастотным магнетронным распылением мишени beta-Ga₂O₃ с осаждением на сапфировую подложку. После нанесения пленки оксида галлия оказываются поликристаллическими, содержат кристаллиты alpha- и beta-фазы. Воздействие кислородной плазмой не приводит к появлению новых кристаллитов, но в несколько раз увеличивает их средний размер в плоскости подложки. После отжига при 900^oC размер кристаллитов увеличивается в 2 раза по сравнению с пленкой без отжига. Пленки, не подвергнутые термическому отжигу, обладают большим сопротивлением при 20^oC. В интервале 50-500^oC проводимость образцов (G) слабо зависит от температуры T и увеличивается по экспоненциальному закону при дальнейшем повышении T с энергией активации 0.7-1.0 эВ. После отжига пленок в аргоне при 900^oC (30 мин) участок резкого роста G начинается при T~350^oC. На кривой зависимости ln G от 1/T наблюдается максимум в интервале 470-520^oC, который сменяется участком спада проводимости при более высоких температурах. Необычный вид температурной зависимости проводимости после отжига связан с изменением структуры и фазового состава поликристаллической пленки оксида галлия и, возможно, с эффектами на поверхности. Структуры, полученные на диэлектрической подложке, оказываются солнечно-слепыми в видимом диапазоне длин волн и чувствительными к воздействию излучения в ультрафиолетовом диапазоне (222 нм).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.