Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Распад твердого раствора межузельного магния в кремнии

DOI: 10.21883/FTP.2019.03.47280.9005

Переводная версия: 10.1134/S1063782619030175

Шуман В.Б.¹, Лодыгин А.Н.¹, Порцель Л.М.¹, Яковлева А.А.¹, Абросимов Н.В.², Астров Ю.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany

Email: a.lodygin@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 16 октября 2018 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

PDF версия

Изучался распад твердого раствора межузельного магния Mg_i в кремнии. В опытах использовался бестигельный бездислокационный монокристаллический n-Si c величиной удельного сопротивления ~8·10³ Ом · см, содержанием кислорода ~5·10¹⁴ см^-3 и углерода ~1·10¹⁵ см^-3. Образцы легировались диффузионным сандвич-методом при T=1100^oC и закаливались. Распад пересыщенного твердого раствора Mg_i изучался путем исследования кинетики увеличения удельного сопротивления легированных образцов в результате отжигов в диапазоне T=400-620^oC. Найдено, что процесс распада характеризуется энергией активации E_a~ 1.6 эВ, что близко к определенной ранее энергии активации диффузии Mg_i в кремнии. Показано также, что при температурах, не превышающих 400^oC, Si : Mg обнаруживает стабильные свойства, что важно при его возможном практическом использовании.

R.F. Franks, J.B. Robertson. Sol. St. Commun., 5, 479 (1967)
L.T. Ho, A.K. Ramdas. Phys. Rev. B, 5, 462 (1972)
L.T. Ho. Phys. Status Solidi A, 28, K73 (1975)
Yu.A. Astrov, V.B. Shuman, L.M. Portsel, A.N. Lodygin, S.G. Pavlov, N.V. Abrosimov, V.N. Shastin, H.-W. Hubers. Phys. Status Solidi A, 214, 1700192 (2017)
Б.И. Болтакс, М.К. Бахадырханов, С.М. Городецкий, Г.С. Куликов. Компенсированный кремний, отв. ред. Б.И. Болтакс (Л., Наука, 1972)
F.P. Morin, H. Reiss. J. Chem. Sol., 3, 196 (1957)
J.R. Carter, R.A. Swalin. J. Appl. Phys., 31, 1191 (1960)
F.S. Ham. J. Phys. Chem. Sol., 6, 335 (1958)
H. Sigmund. J. Electrochem. Soc., 129, 2809 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель