Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Техника электрохимического вольт-фарадного профилирования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси
Переводная версия: 10.1134/S1063782619020076 
Фролов Д.С.1, Яковлев Г.Е.
1, Зубков В.И.
1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
Email: frolovds@gmail.com, geyakovlev@etu.ru, vzubkovspb@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 августа 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.
Рассмотрены особенности применения метода электрохимического вольт-фарадного профилирования для исследования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси. Приведены критерии и даны рекомендации выбора оптимальных параметров измерения, обоснована необходимость увеличения частоты, при которой измеряется емкость в процессе профилирования. Описанная методика рассмотрена на примере профилирования кремниевых структур p-типа с ионной имплантацией, а также n-GaAs эпитаксиальных и подложечных структур для pHEMT приборов.
- T. Ambridge, M.M. Faktor. Electron. Lett., 10 (10), 204 (1974)
- C.D. Sharpe, P. Lilley, C.R. Elliott, T. Ambridge. Electron. Lett., 15 (20), 622 (1979)
- M. Pawlik, R.D. Groves, R.A. Kubiak, W.Y. Leong, E.H.C. Parcker. Emerg. Semicond. Technol. ASTM STP 960 [ed. by D.C. Gupta, P.H. Larger, 558 (1987)]
- F. Kiefer, J. Krugener, F. Heinemeyer, H.J. Osten, R. Brendel, R. Peibst. IEEE J. Photovolt., 6 (5), 1175 (2016)
- P. Rothhardt, S. Meier, R. Hoenig, A. Wolf, D. Biro. Solar Energy Mater. and Solar Cells, 153, 25 (2016)
- B. Sermage, Z. Essa, N. Taleb, M. Quillec, J. Aubin, J.M. Hartmann, M. Veillerot. J. Appl. Phys., 119 (15), 155703 (2016)
- Д.Е. Миронов, М.Р. Айнбунд, В.И. Зубков. Тр. XXV Междунар. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения (М., Россия, 2018) т. 1, с. 129
- N. Sieber, H.E. Wulf, D. Roser, P. Kurps. Phys. Status Solidi, A, 126 (2), K123 (1991)
- E. Peiner, A. Schlachetzki. J. Electrochem. Soc., 139 (2), 552 (1992)
- M. Ernst, D. Walter, A. Fell, B. Lim, K. Weber. IEEE J. Photovolt., 6 (3), 624 (2016)
- H. Zhu, M. Wang, B. Zhang, H. Wu, Y. Sun, G. Hu, N. Dai. Jpn. J. Appl. Phys., 55 (4), 045504 (2016)
- Г.Е. Яковлев, Д.С. Фролов, А.В. Зубкова, В.И. Зубков, А.В. Соломонов, О.К. Стерлядкин, С.А. Сорокин. ФТП, 50 (3), 324 (2016)
- Г.Е. Яковлев, М.В. Дорохин, В.И. Зубков, А.Л. Дудин, А.В. Здоровейщев, Е.И. Малышева, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, А.В. Кудрин. ФТП, 52 (8), 873 (2018)
- D.S. Frolov, V.I. Zubkov. Semicond. Sci. Technol., 31, 125013 (2016)
- J.F. Ziegler, M.D. Ziegler, J.P. Biersack. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. Section B: Beam Interactions with Mater. and Atoms, 268 (11), 1818 (2010)
- S.W. Novak, C.W. Magee, H.C. Mogul, A.J. Steckl, M. Pawlik. J. Vac. Sci. Technol. B, 10 (1), 333 (1992)
- X. Lu, L. Shao, J. Jin, Q. Li, I. Rusakova, Q.Y. Chen, J. Liu, W.K. Chu, P. Ling. MRS Proceedings, 610, 451 (2000)
- A. Gharbi, B. Remaki, A. Halimaoui, D. Bensahel, A.Souifi. J. Appl. Phys., 109(2), 023715 (2011).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
