Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Очистка от оксидов поверхности пластин полупроводника InSb для создания латеральных спиновых клапанов

DOI: 10.21883/FTP.2019.02.47113.8906

Переводная версия: 10.1134/S1063782619020258

Виглин Н.А. ¹, Грибов И.В.¹, Цвелиховская В.М.¹, Патраков Е.И.¹

¹Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия M.N. Mikheev Institute of Metal Physics, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

M.N. Mikheev Institute of Metal Physics, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

Email: viglin@imp.uran.ru

Поступила в редакцию: 14 мая 2018 г.

Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

PDF версия

Изучались условия создания гладкой и освобожденной от оксидов поверхности полупроводника InSb с целью создания на его основе латеральных спиновых устройств. Исследовалась скорость сухого травления ионами Ar поверхности слоев кристаллических граней (100) пластин полупроводника InSb, а также изменение их шероховатости в зависимости от мощности подводимой к усройствам ионного травления. Оценивалась степень окисления поверхности полупроводника, экспонированного на воздухе после ионной чистки и отжига в молекулярном водороде. На основе сравнения эффективности спиновой инжекции в устройствах, созданных с полупроводниками, подвергшимися различной обработке, сделан вывод о параметрах оптимальной подготовки поверхности пластин InSb для изготовления латеральных спиновых устройств.

S. Datta, B. Das. Appl. Phys. Lett., 56, 665 (1990)
O.M.J. van't Erve, A.L. Friedman, E. Cobas, C.H. Li, J.T. Robinson, B.T. Jonker. Nature Nanotechnol., 7, 737 (2012)
X. Lou, C. Adelmann, S.A. Crooker, E.S. Garlid, J. Zhang, S.M. Reddy, S.D. Flexner, C.J. Palmstr m, P.A. Crowell. Nature Phys., 3, 197 (2007)
N.A. Viglin, V.V. Ustinov, S.O. Demokritov, A.O. Shorikov, N.G. Bebenin, V.M. Tsvelikhovskaya, T.N. Pavlov, E.I. Patrakov. Phys. Rev. B, 96, 235303 (2017)
G. Schmidt, D. Ferrand, L.W. Molenkamp, A.T. Filip, B.J. van Wees. Phys. Rev. B, 62, R4790(R) (2000)
А.Е. Мирофянченко, Е.Д. Коротаев, Н.И. Яковлева. Прикл. физика, 3, 55 (2014)
R. Tessler, C. Saguy, O. Klin, S. Greenberg, E. Weiss, R. Akhvlediani, R. Edrei, A. Hoffman. Appl. Phys. Lett., 88, 031918 (2006)
А.Я. Нашельский. Технология спецматериалов электронной техники (М., Металлургия, 1993)
N.A. Viglin, V.V. Ustinov, V.M. Tsvelikhovskaya, T.N. Pavlov. JETP Lett., 101, 113 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель