Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Очистка от оксидов поверхности пластин полупроводника InSb для создания латеральных спиновых клапанов
Переводная версия: 10.1134/S1063782619020258 
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия 
Email: viglin@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 14 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.
Изучались условия создания гладкой и освобожденной от оксидов поверхности полупроводника InSb с целью создания на его основе латеральных спиновых устройств. Исследовалась скорость сухого травления ионами Ar поверхности слоев кристаллических граней (100) пластин полупроводника InSb, а также изменение их шероховатости в зависимости от мощности подводимой к усройствам ионного травления. Оценивалась степень окисления поверхности полупроводника, экспонированного на воздухе после ионной чистки и отжига в молекулярном водороде. На основе сравнения эффективности спиновой инжекции в устройствах, созданных с полупроводниками, подвергшимися различной обработке, сделан вывод о параметрах оптимальной подготовки поверхности пластин InSb для изготовления латеральных спиновых устройств.
- S. Datta, B. Das. Appl. Phys. Lett., 56, 665 (1990)
- O.M.J. van't Erve, A.L. Friedman, E. Cobas, C.H. Li, J.T. Robinson, B.T. Jonker. Nature Nanotechnol., 7, 737 (2012)
- X. Lou, C. Adelmann, S.A. Crooker, E.S. Garlid, J. Zhang, S.M. Reddy, S.D. Flexner, C.J. Palmstr m, P.A. Crowell. Nature Phys., 3, 197 (2007)
- N.A. Viglin, V.V. Ustinov, S.O. Demokritov, A.O. Shorikov, N.G. Bebenin, V.M. Tsvelikhovskaya, T.N. Pavlov, E.I. Patrakov. Phys. Rev. B, 96, 235303 (2017)
- G. Schmidt, D. Ferrand, L.W. Molenkamp, A.T. Filip, B.J. van Wees. Phys. Rev. B, 62, R4790(R) (2000)
- А.Е. Мирофянченко, Е.Д. Коротаев, Н.И. Яковлева. Прикл. физика, 3, 55 (2014)
- R. Tessler, C. Saguy, O. Klin, S. Greenberg, E. Weiss, R. Akhvlediani, R. Edrei, A. Hoffman. Appl. Phys. Lett., 88, 031918 (2006)
- А.Я. Нашельский. Технология спецматериалов электронной техники (М., Металлургия, 1993)
- N.A. Viglin, V.V. Ustinov, V.M. Tsvelikhovskaya, T.N. Pavlov. JETP Lett., 101, 113 (2015)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
