"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эллипсометрический метод измерения температуры буферных слоев CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe
Переводная версия: 10.1134/S1063782619010196
Швец В.А.1,2, Азаров И.А.1,2, Марин Д.В.1, Якушев М.В.1, Рыхлицкий С.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: shvets@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 2 июля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

Представлена разработанная эллипсометрическая методика бесконтактного измерения in situ температуры буферного слоя CdTe. Методика основана на температурной зависимости энергетического положения критических точек CdTe и предназначена для определения стартовой температуры поверхности роста перед началом эпитаксии соединения кадмий-ртуть-теллур. Предложен экспрессный метод определения положения критических точек по спектрам эллипсометрического параметра Psi. Проведена серия калибровочных экспериментов, в результате которых получены зависимости положения критических точек от температуры. Оценки и эксперимент показывают, что точность измерения температуры составляет ±3oC.
  • E. Finkman, S. E. Schacham. J. Appl. Phys., 56, 2896 (1984)
  • О.А. Геращенко. Температурные измерения. Справочник (Киев, Наук. думка, 1989)
  • И.А. Азаров, В.А. Швец, С.А. Дулин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Д.Г. Икусов, И.Н. Ужаков, С.В. Рыхлицкий. Автометрия, 53 (6), 111 (2017)
  • M. Kawano, T. Sasaki, N. Oda. J. Electron. Mater., 24 (5), 431 (1995)
  • Z.M. Zhang, B.K. Tsai, G. Machin. Radiometric temperature measurements. II Applications. Experimental methods in the physical sciences (Amsterdam-Boston-Elsevier, Academic Press, 2010)
  • A.J. SpringThorpe, S.J. Ingrey, B. Emmerstorfer, P. Mandeville. Appl. Phys. Lett., 50, 77 (1987)
  • D. Wahl, M. Mertens. Time-Resolved In-Situ Temperature Measurements Using Band-Edge Absorption Spectroscopy During MBE Growth. Annual Report 2010 (Institute of Optoelectronics, Ulm University)
  • T. Tomita, Т. Kinosada, T. Yamashita, М. Shiota, Т. Sakurai. Jpn. J. Appl. Phys., 25, L925 (1986)
  • B. Johs, C.M. Herzinger, J.H. Dinan, A. Cornfeld, J.D. Benson. Thin Sol. Films, 313--314, 137 (1998)
  • M. Daraselia, G. Brill, J.W. Garland, V. Nathan, S. Sivananthan. J. Electron. Mater., 29, 742 (2000)
  • И.А. Азаров, Д.В. Марин, В.А. Швец, М.В. Якушев. Тез. докл. Росс. конф. по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (Новосибирск, 2017) с. 119
  • Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, B.C. Варавин, А.П. Анциферов. Оптич. журн., 67, 39 (2000)
  • М.В. Якушев, Д.В. Брунев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, И.В. Марчишин, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.В. Сорочкин. ФТП, 45 (3), 396 (2011)
  • Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, В.А. Швец. Автометрия, 47 (5), 5 (2011)
  • Г.Ю. Сидоров, В.А. Швец, Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин. Автометрия, 53 (6), 97 (2017)
  • E.V. Spesivtsev, S.V. Rykhlitsky, V.A. Shvets, S.I. Chikichev, A.S. Mardezhov, N.I. Nazarov, V.A. Volodin. Thin Sol. Films, 455--456, 700 (2004)
  • C.C. Kim, M. Daraselia, J.W. Garland, S. Sivananthan. Phys. Rev. B, 56 (8), 4786 (1997)
  • S. Adachi, T. Kimura, N. Suzuki. J. Appl. Phys., 74 (5), 3435 (1993)
  • S. Adachi. Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors: Numerical data and graphical information (Kluwer Academic Publishers, Boston-Dresden-London, 1999)
  • K.K. Svitashev, V.A. Shvets, A.S. Mardezhov, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, N.N. Mikhailov, E.V. Spesivtsev, S.V. Rychlitsky. Mater. Sci. Engin., B44, 162 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.