Вышедшие номера
Эллипсометрический метод измерения температуры буферных слоев CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe
Переводная версия: 10.1134/S1063782619010196
Швец В.А.1,2, Азаров И.А.1,2, Марин Д.В.1, Якушев М.В.1, Рыхлицкий С.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: shvets@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 2 июля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

Представлена разработанная эллипсометрическая методика бесконтактного измерения in situ температуры буферного слоя CdTe. Методика основана на температурной зависимости энергетического положения критических точек CdTe и предназначена для определения стартовой температуры поверхности роста перед началом эпитаксии соединения кадмий-ртуть-теллур. Предложен экспрессный метод определения положения критических точек по спектрам эллипсометрического параметра Psi. Проведена серия калибровочных экспериментов, в результате которых получены зависимости положения критических точек от температуры. Оценки и эксперимент показывают, что точность измерения температуры составляет ±3oC.