"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эллипсометрический метод измерения температуры буферных слоев CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe
Переводная версия: 10.1134/S1063782619010196
Швец В.А.1,2, Азаров И.А.1,2, Марин Д.В.1, Якушев М.В.1, Рыхлицкий С.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: shvets@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 2 июля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

Представлена разработанная эллипсометрическая методика бесконтактного измерения in situ температуры буферного слоя CdTe. Методика основана на температурной зависимости энергетического положения критических точек CdTe и предназначена для определения стартовой температуры поверхности роста перед началом эпитаксии соединения кадмий-ртуть-теллур. Предложен экспрессный метод определения положения критических точек по спектрам эллипсометрического параметра Psi. Проведена серия калибровочных экспериментов, в результате которых получены зависимости положения критических точек от температуры. Оценки и эксперимент показывают, что точность измерения температуры составляет ±3oC.
  1. E. Finkman, S. E. Schacham. J. Appl. Phys., 56, 2896 (1984)
  2. О.А. Геращенко. Температурные измерения. Справочник (Киев, Наук. думка, 1989)
  3. И.А. Азаров, В.А. Швец, С.А. Дулин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Д.Г. Икусов, И.Н. Ужаков, С.В. Рыхлицкий. Автометрия, 53 (6), 111 (2017)
  4. M. Kawano, T. Sasaki, N. Oda. J. Electron. Mater., 24 (5), 431 (1995)
  5. Z.M. Zhang, B.K. Tsai, G. Machin. Radiometric temperature measurements. II Applications. Experimental methods in the physical sciences (Amsterdam-Boston-Elsevier, Academic Press, 2010)
  6. A.J. SpringThorpe, S.J. Ingrey, B. Emmerstorfer, P. Mandeville. Appl. Phys. Lett., 50, 77 (1987)
  7. D. Wahl, M. Mertens. Time-Resolved In-Situ Temperature Measurements Using Band-Edge Absorption Spectroscopy During MBE Growth. Annual Report 2010 (Institute of Optoelectronics, Ulm University)
  8. T. Tomita, Т. Kinosada, T. Yamashita, М. Shiota, Т. Sakurai. Jpn. J. Appl. Phys., 25, L925 (1986)
  9. B. Johs, C.M. Herzinger, J.H. Dinan, A. Cornfeld, J.D. Benson. Thin Sol. Films, 313--314, 137 (1998)
  10. M. Daraselia, G. Brill, J.W. Garland, V. Nathan, S. Sivananthan. J. Electron. Mater., 29, 742 (2000)
  11. И.А. Азаров, Д.В. Марин, В.А. Швец, М.В. Якушев. Тез. докл. Росс. конф. по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (Новосибирск, 2017) с. 119
  12. Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, B.C. Варавин, А.П. Анциферов. Оптич. журн., 67, 39 (2000)
  13. М.В. Якушев, Д.В. Брунев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, И.В. Марчишин, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.В. Сорочкин. ФТП, 45 (3), 396 (2011)
  14. Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, В.А. Швец. Автометрия, 47 (5), 5 (2011)
  15. Г.Ю. Сидоров, В.А. Швец, Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин. Автометрия, 53 (6), 97 (2017)
  16. E.V. Spesivtsev, S.V. Rykhlitsky, V.A. Shvets, S.I. Chikichev, A.S. Mardezhov, N.I. Nazarov, V.A. Volodin. Thin Sol. Films, 455--456, 700 (2004)
  17. C.C. Kim, M. Daraselia, J.W. Garland, S. Sivananthan. Phys. Rev. B, 56 (8), 4786 (1997)
  18. S. Adachi, T. Kimura, N. Suzuki. J. Appl. Phys., 74 (5), 3435 (1993)
  19. S. Adachi. Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors: Numerical data and graphical information (Kluwer Academic Publishers, Boston-Dresden-London, 1999)
  20. K.K. Svitashev, V.A. Shvets, A.S. Mardezhov, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, N.N. Mikhailov, E.V. Spesivtsev, S.V. Rychlitsky. Mater. Sci. Engin., B44, 162 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.