"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Осаждение пленок кремния, легированных бором и фосфором газоструйным плазмохимическим методом
Переводная версия: 10.1134/S1063782619010184
ФАНО России, Фундаментальные теплофизические проблемы при росте кристаллов и пленок, 01201350443
Щукин В.Г. 1, Шарафутдинов Р.Г. 1, Константинов В.О. 1
1Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
Email: shchukin@itp.nsc.ru, molkin@itp.nsc.ru, konstantinov@itp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 22 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

С использованием диборана и фосфина в качестве легирующих газов методом газоструйного плазмохимического осаждения с применением электронного пучка были получены легированные пленки кремния. Исследовано влияние концентрации легирующего газа, добавки фторсодержащего газа и фонового давления на проводимость и кристаллическую структуру кремниевых слоев. Получены легированные бором аморфные пленки (a-Si:H) с проводимостью до 5.2·10-3 (Ом·см)-1, при легировании фосфором получены микрокристаллические пленки кремния (mc-Si:H), имеющие кристалличность до 70% и значения проводимости на уровне 1 (Ом·см)-1. DOI: 10.21883/FTP.2019.01.47000.8917
  1. J. Meier, R. Fluckiger, H. Keppner, A. Shah. Appl. Phys. Lett., 65, 860 (1994)
  2. A. Gordijn, J.K. Rath, R.E.I. Schropp. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 14, 305 (2006)
  3. K. Yamamoto, A. Nakajima, M. Yoshimi. Sol. Energy, 77, 939 (2004)
  4. J. Meier, S. Dubail, A. Shah. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 74, 457 (2002)
  5. J.E. Hoetzel, O. Caglar, J.S. Cashmore, C. Goury, J. Kalas, M. Klindworth, M. Kupich, G.-F. Leu, M.-H. Lindic, P.A. Losio, T. Mates, B. Mereu, T. Roschek, I. Sinicco. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 157, 178 (2016)
  6. H. Sai, T. Matsui, K. Matsubara. Appl. Phys. Lett., 109, 183506 (2016)
  7. C. Das, A. Dasgupta, S.C. Saha, S. Ray. J. Appl. Phys., 91, 9401 (2002)
  8. S. Klein, F. Finger, R. Carius, H. Wagner, M. Stutzmann. Thin Sol. Films, 395, 305 (2001)
  9. B. Drevillon, C. Godet, S. Kumar. Appl. Phys. Lett., 50, 1651 (1987)
  10. K. Ikuta, Y. Toyoshima, S. Yamasaki, A. Matsuda, K. Tanaka. J. Non-Cryst. Sol., 198--200, 863 (1996)
  11. В.Г. Щукин, В.О. Константинов, В.С. Морозов. ЖТФ, 6, 914 (2018).
  12. R.G. Sharafutdinov, S.Ya. Khmel, V.G. Shchukin, M.V. Ponomarev, E.A. Baranov, A.V. Volkov, O.I. Semenova, L.I. Fedina, P.P. Dobrovolsky, B.A. Kolesov. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 89, 99 (2005)
  13. D. Das, M. Jana, A.K. Barua, S. Chattopadhyay, L.C. Chen, K.H. Chen. Jpn. J. Appl. Phys., 41, 229 (2002)
  14. C. Smit, R.A.C.M.M. van Swaaij, H. Donker, A.M.H.N. Petit, W.M.M. Kessels, M.C.M. van de Sanden. J. Appl. Phys., 94, 3582 (2003)
  15. Y. Baojie, G. Yue, X. Xu, J. Yang, S. Guha. Phys. Status Solidi A, 207, 671 (2010)
  16. R.G. Sharafutdinov, V.G. Shchukin, O.I. Semenova. Inorg. Mater., 48, 445 (2012)
  17. T. Kamei, P. Stradins, A. Matsuda. Appl. Phys. Lett., 74, 1707 (1999)
  18. S. Ray, S. Mukhopadhyay, S.C. Saha, S. Hazra. Thin Sol. Films, 337, 7 (1999)
  19. E. Fathia, Y. Vygranenko, M. Vieirab, A. Sazonov. Appl. Surf. Sci., 257, 8901 (2011)
  20. S. Juneja, S. Sudhakar, J. Gope, K. Lodhi, M. Sharma, S. Kumar. J. Alloys Comp., 643, 94 (2015)
  21. K. Shrestha, V.C. Lopes, A.J. Syllaios, C.L. Littler. J. Non-Cryst. Sol., 403, 80 (2014)
  22. Р.Г. Шарафутдинов, В.В. Волчков, А.И. Иванов, А.К. Ребров, Н.И. Кисляков. ПМТФ, N 2, 64 (1973)
  23. А.К. Ребров, С.Ф. Чекмарев, Р.Г. Шарафутдинов. ПМТФ, N 1, 136 (1971)
  24. Р.Г. Шарафутдинов, Н.И. Кисляков, А.К. Ребров. ПМТФ, N 2, 42 (1975)
  25. А.К. Ребров, Н.И. Кисляков, Р.Г. Шарафутдинов. ПМТФ, N 1, 121 (1973)
  26. P.A. Skovorodko, R.G. Sharafutdinov, V.G. Shchukin, V.O. Konstantinov. AIP Conf. Proc., 1501, 1437 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.