"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Осаждение пленок кремния, легированных бором и фосфором газоструйным плазмохимическим методом
Переводная версия: 10.1134/S1063782619010184
ФАНО России, Фундаментальные теплофизические проблемы при росте кристаллов и пленок, 01201350443
Щукин В.Г. 1, Шарафутдинов Р.Г. 1, Константинов В.О. 1
1Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
Email: shchukin@itp.nsc.ru, molkin@itp.nsc.ru, konstantinov@itp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 22 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

С использованием диборана и фосфина в качестве легирующих газов методом газоструйного плазмохимического осаждения с применением электронного пучка были получены легированные пленки кремния. Исследовано влияние концентрации легирующего газа, добавки фторсодержащего газа и фонового давления на проводимость и кристаллическую структуру кремниевых слоев. Получены легированные бором аморфные пленки (a-Si:H) с проводимостью до 5.2·10-3 (Ом·см)-1, при легировании фосфором получены микрокристаллические пленки кремния (mc-Si:H), имеющие кристалличность до 70% и значения проводимости на уровне 1 (Ом·см)-1. DOI: 10.21883/FTP.2019.01.47000.8917
  • J. Meier, R. Fluckiger, H. Keppner, A. Shah. Appl. Phys. Lett., 65, 860 (1994)
  • A. Gordijn, J.K. Rath, R.E.I. Schropp. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 14, 305 (2006)
  • K. Yamamoto, A. Nakajima, M. Yoshimi. Sol. Energy, 77, 939 (2004)
  • J. Meier, S. Dubail, A. Shah. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 74, 457 (2002)
  • J.E. Hoetzel, O. Caglar, J.S. Cashmore, C. Goury, J. Kalas, M. Klindworth, M. Kupich, G.-F. Leu, M.-H. Lindic, P.A. Losio, T. Mates, B. Mereu, T. Roschek, I. Sinicco. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 157, 178 (2016)
  • H. Sai, T. Matsui, K. Matsubara. Appl. Phys. Lett., 109, 183506 (2016)
  • C. Das, A. Dasgupta, S.C. Saha, S. Ray. J. Appl. Phys., 91, 9401 (2002)
  • S. Klein, F. Finger, R. Carius, H. Wagner, M. Stutzmann. Thin Sol. Films, 395, 305 (2001)
  • B. Drevillon, C. Godet, S. Kumar. Appl. Phys. Lett., 50, 1651 (1987)
  • K. Ikuta, Y. Toyoshima, S. Yamasaki, A. Matsuda, K. Tanaka. J. Non-Cryst. Sol., 198--200, 863 (1996)
  • В.Г. Щукин, В.О. Константинов, В.С. Морозов. ЖТФ, 6, 914 (2018).
  • R.G. Sharafutdinov, S.Ya. Khmel, V.G. Shchukin, M.V. Ponomarev, E.A. Baranov, A.V. Volkov, O.I. Semenova, L.I. Fedina, P.P. Dobrovolsky, B.A. Kolesov. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 89, 99 (2005)
  • D. Das, M. Jana, A.K. Barua, S. Chattopadhyay, L.C. Chen, K.H. Chen. Jpn. J. Appl. Phys., 41, 229 (2002)
  • C. Smit, R.A.C.M.M. van Swaaij, H. Donker, A.M.H.N. Petit, W.M.M. Kessels, M.C.M. van de Sanden. J. Appl. Phys., 94, 3582 (2003)
  • Y. Baojie, G. Yue, X. Xu, J. Yang, S. Guha. Phys. Status Solidi A, 207, 671 (2010)
  • R.G. Sharafutdinov, V.G. Shchukin, O.I. Semenova. Inorg. Mater., 48, 445 (2012)
  • T. Kamei, P. Stradins, A. Matsuda. Appl. Phys. Lett., 74, 1707 (1999)
  • S. Ray, S. Mukhopadhyay, S.C. Saha, S. Hazra. Thin Sol. Films, 337, 7 (1999)
  • E. Fathia, Y. Vygranenko, M. Vieirab, A. Sazonov. Appl. Surf. Sci., 257, 8901 (2011)
  • S. Juneja, S. Sudhakar, J. Gope, K. Lodhi, M. Sharma, S. Kumar. J. Alloys Comp., 643, 94 (2015)
  • K. Shrestha, V.C. Lopes, A.J. Syllaios, C.L. Littler. J. Non-Cryst. Sol., 403, 80 (2014)
  • Р.Г. Шарафутдинов, В.В. Волчков, А.И. Иванов, А.К. Ребров, Н.И. Кисляков. ПМТФ, N 2, 64 (1973)
  • А.К. Ребров, С.Ф. Чекмарев, Р.Г. Шарафутдинов. ПМТФ, N 1, 136 (1971)
  • Р.Г. Шарафутдинов, Н.И. Кисляков, А.К. Ребров. ПМТФ, N 2, 42 (1975)
  • А.К. Ребров, Н.И. Кисляков, Р.Г. Шарафутдинов. ПМТФ, N 1, 121 (1973)
  • P.A. Skovorodko, R.G. Sharafutdinov, V.G. Shchukin, V.O. Konstantinov. AIP Conf. Proc., 1501, 1437 (2012)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.