"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние электрического режима и gamma-облучения на образование поверхностных дефектов на границе раздела Si-SiO2 в МОП-транзисторе
Переводная версия: 10.1134/S1063782619010123
Куликов Н.А.1, Попов В.Д.1
1Национальный исследовательский ядерный университет "Московский инженерно-физический институт", Москва, Россия
Email: wdpopov@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

Приводятся результаты экспериментального исследования процесса образования поверхностных дефектов при воздействии гамма-излучения с мощностью дозы P=0.1 рад(Si)/с на МОП-транзисторы с n-каналом в пассивном и активном режимах. Наблюдались два этапа поверхностного дефектообразования. Предлагается качественная модель, объясняющая влияние напряжения на стоке транзистора на процесс дефектообразования.
  • А.С. Березин, О.Р. Мочалкина. Технология и конструирование интегральных микросхем (М., Радио и связь, 1992) гл. 6, с. 84
  • P.S. Winokur, M.R. Schaneyfelt, T.L. Meisenheimer, D.M. Fleetwood. IEEE Trans. Nucl. Sci., 41 (3), 538 (1994)
  • Г.И. Зебрев, С.С. Ломакин. ПТЭ, 43, 92 (2000)
  • В.Д. Попов. ФТП, 50 (3), 354 (2016)
  • V.D. Popov. J. Mater. Sci. Res., 6 (2), 16 (2017)
  • F.W. Sexton, J.R. Schwank. IEEE Trans. Nucl. Sci., 32 (6), 3975 (1985)
  • S.N. Rashkeev, C.R. Cirba, D.M. Fleedwood, R.D. Schrimpf, S.C. Witczak, A. Michez, S.T. Pantelides. Trans. Nucl. Sci., 49 (6), 2650 (2002)
  • S.N. Rashkeev, D.M. Fleedwood, R.D. Schrimpf, S.T. Pantelides. Trans. Nucl. Sci., 48 (6), 2650 (2001)
  • N.S. Saks, R.B. Klein, D.L. Griscom. Trans. Nucl. Sci., 35 (6), 1234 (1988)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.