"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Нерезонансное обращение волнового фронта света на поверхности пленок GaN при большой мощности оптического возбуждения
Переводная версия: 10.1134/S106378261901010X
РФФИ, Фундаментальных научных исследований, 15-07-04626 а
РФФИ, Фундаментальных научных исследований, 15-02-09389 а
РФФИ, Фундаментальных научных исследований, 13-02-90448 Укр-ф-а
Грузинцев А.Н. 1, Редькин А.Н.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Email: gran@iptm.ru
Поступила в редакцию: 29 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

Теоретически и экспериментально показана возможность нерезонансного обращения волнового фронта света в возбужденной полупроводниковой среде. На эпитаксиальных пленках GaN при комнатной температуре при накачке азотным лазером впервые обнаружено индуцированное обращение волнового фронта света в видимой и инфракрасной областях спектра. Исследованы зависимости интенсивности сигнала обращения волнового фронта света от энергии фотона и интенсивности лазерной накачки. Предлагается объяснение эффекта: поглощение и преломление света на индуцированных лазером свободных носителях в полупроводниковой среде.
  1. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. Jpn. J. Appl. Phys., 30, L1998 (1991)
  2. S.J. Xu, G. Li, S.J. Chue. Appl. Phys. Lett., 72, 2451 (1998)
  3. E.R. Glaser, T.A. Kennedy, K. Doverspike. Phys. Rev. B, 51, 13326 (1995)
  4. M.H. Huang, S. Mao, H. Feiick, H. Yan, Y. Wu, H. King, E. Waber. Science, 292, 1897 (2001)
  5. J.W. Tomm, B. Ullich, X.G. Qui, Y. Segava, A. Ohtomo, V. Kawasaki. J. Appl. Phys., 87, 1844 (2000)
  6. P. Zu, Z.K. Tang, G.K. Wong, M. Kawasfki, A. Ohtomo, H. Koinuma, Y. Segawa. Sol. St. Commun., 103, 459 (1997)
  7. X.H. Yang, T.J. Schmidt, W. Shan, J.J. Song. Appl. Phys. Lett., 66, 1 (1995)
  8. А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков. ФТП, 38 (5), 543 (2004)
  9. А.Н. Редькин, В.И. Таций, З.И. Маковей, А.Н. Грузинцев, Е.Е. Якимов. Неорг. матер., 40 (10), 1197 (2004)
  10. Ф. Качмарек. Введение в физику лазеров (М., Мир, 1981) с. 256
  11. А.Н. Грузинцев, А.Н. Редькин, К. Бартхоу. ФТП, 39 (10), 1200 (2005)
  12. D.G. Thomas. J. Phys. Chem. Solids, 9, 31 (1958)
  13. П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1975) гл. 8, с. 500

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.