"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Нерезонансное обращение волнового фронта света на поверхности пленок GaN при большой мощности оптического возбуждения
Переводная версия: 10.1134/S106378261901010X
РФФИ, Фундаментальных научных исследований, 15-07-04626 а
РФФИ, Фундаментальных научных исследований, 15-02-09389 а
РФФИ, Фундаментальных научных исследований, 13-02-90448 Укр-ф-а
Грузинцев А.Н. 1, Редькин А.Н.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Email: gran@iptm.ru
Поступила в редакцию: 29 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

Теоретически и экспериментально показана возможность нерезонансного обращения волнового фронта света в возбужденной полупроводниковой среде. На эпитаксиальных пленках GaN при комнатной температуре при накачке азотным лазером впервые обнаружено индуцированное обращение волнового фронта света в видимой и инфракрасной областях спектра. Исследованы зависимости интенсивности сигнала обращения волнового фронта света от энергии фотона и интенсивности лазерной накачки. Предлагается объяснение эффекта: поглощение и преломление света на индуцированных лазером свободных носителях в полупроводниковой среде.
  • S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. Jpn. J. Appl. Phys., 30, L1998 (1991)
  • S.J. Xu, G. Li, S.J. Chue. Appl. Phys. Lett., 72, 2451 (1998)
  • E.R. Glaser, T.A. Kennedy, K. Doverspike. Phys. Rev. B, 51, 13326 (1995)
  • M.H. Huang, S. Mao, H. Feiick, H. Yan, Y. Wu, H. King, E. Waber. Science, 292, 1897 (2001)
  • J.W. Tomm, B. Ullich, X.G. Qui, Y. Segava, A. Ohtomo, V. Kawasaki. J. Appl. Phys., 87, 1844 (2000)
  • P. Zu, Z.K. Tang, G.K. Wong, M. Kawasfki, A. Ohtomo, H. Koinuma, Y. Segawa. Sol. St. Commun., 103, 459 (1997)
  • X.H. Yang, T.J. Schmidt, W. Shan, J.J. Song. Appl. Phys. Lett., 66, 1 (1995)
  • А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков. ФТП, 38 (5), 543 (2004)
  • А.Н. Редькин, В.И. Таций, З.И. Маковей, А.Н. Грузинцев, Е.Е. Якимов. Неорг. матер., 40 (10), 1197 (2004)
  • Ф. Качмарек. Введение в физику лазеров (М., Мир, 1981) с. 256
  • А.Н. Грузинцев, А.Н. Редькин, К. Бартхоу. ФТП, 39 (10), 1200 (2005)
  • D.G. Thomas. J. Phys. Chem. Solids, 9, 31 (1958)
  • П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1975) гл. 8, с. 500
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.