"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние квантового магнитного поля на разогрев носителей заряда в чистом Ge
Переводная версия: 10.1134/S1063782619010020
Банная В.Ф.1, Никитина Е.В.2
1Московский Педагогический Государственный Университет, Москва, Россия
2Российский университет дружбы народов, Москва, Россия
Email: enikitina@sci.pfu.edu.ru
Поступила в редакцию: 14 июня 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

Подробно рассмотрены результаты экспериментального исследования разогрева носителей заряда электрическим полем ( E) в чистом германии n- и p-типов, в квантующем магнитном поле ( H) при E normal H, в условиях фотовозбуждения носителей. Полученные результаты качественно согласуются с теорией захвата носителей заряда в скрещенных электрическом и магнитном полях.
  • В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон, В.А. Чуенков. ФТП, 10 (2), 338 (1976)
  • В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон, В.А. Чуенков. ФТП, 7 (10), 1972 (1973)
  • Л.И. Веселова. Автореф. канд. дис. (М., 1978)
  • В.Ф. Банная, Т.Г. Фукс, Ю.П. Ладыжинский. ФТП, 7 (10), 1978 (1973)
  • В.Ф. Банная, Т.Г. Фукс, Ю.П. Ладыжинский. ФТП, 7 (8), 1507 (1973)
  • В.Н. Абакумов, Л.Н. Крещук, И.Н. Яссиевич. ФТП, 12 (2), 264 (1978)
  • В.Н. Абакумов, Л.Н. Крещук, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 74, 1020 (1978)
  • В.Н. Абакумов, Л.Н. Крещук, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 75, 1342 (1978)
  • Л.Н. Крещук. ФТП, 13, 919 (1979)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.