"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние квантового магнитного поля на разогрев носителей заряда в чистом Ge
Переводная версия: 10.1134/S1063782619010020
Банная В.Ф.1, Никитина Е.В.2
1Московский Педагогический Государственный Университет, Москва, Россия
2Российский университет дружбы народов, Москва, Россия
Email: enikitina@sci.pfu.edu.ru
Поступила в редакцию: 14 июня 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.

Подробно рассмотрены результаты экспериментального исследования разогрева носителей заряда электрическим полем ( E) в чистом германии n- и p-типов, в квантующем магнитном поле ( H) при E normal H, в условиях фотовозбуждения носителей. Полученные результаты качественно согласуются с теорией захвата носителей заряда в скрещенных электрическом и магнитном полях.
  1. В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон, В.А. Чуенков. ФТП, 10 (2), 338 (1976)
  2. В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон, В.А. Чуенков. ФТП, 7 (10), 1972 (1973)
  3. Л.И. Веселова. Автореф. канд. дис. (М., 1978)
  4. В.Ф. Банная, Т.Г. Фукс, Ю.П. Ладыжинский. ФТП, 7 (10), 1978 (1973)
  5. В.Ф. Банная, Т.Г. Фукс, Ю.П. Ладыжинский. ФТП, 7 (8), 1507 (1973)
  6. В.Н. Абакумов, Л.Н. Крещук, И.Н. Яссиевич. ФТП, 12 (2), 264 (1978)
  7. В.Н. Абакумов, Л.Н. Крещук, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 74, 1020 (1978)
  8. В.Н. Абакумов, Л.Н. Крещук, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 75, 1342 (1978)
  9. Л.Н. Крещук. ФТП, 13, 919 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.