Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование влияния легирования железом на люминесценцию монокристаллов селенида цинка
Переводная версия: 10.1134/S106378261901007X 
Президиум РАН, Фундаментальные основы прорывных технологий двойного назначения в интересах национальной безопасности, Проект «Исследование возможности создания высокоэффективных лазеров ИК-диапазона (45мкм) на основе кристаллов ZnSe, легированных железом, при ударном возбуждении ионов активатора горячими электронами»
1Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия 
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: agladilin@kapella.gpi.ru
Поступила в редакцию: 15 января 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2018 г.
Исследовано влияние легирования железом (термодиффузия с поверхности) на люминесценцию монокристаллов селенида цинка в диапазоне длин волн 0.44-0.72 мкм и пространственное распределение центров люминесценции. Методом двухфотонной конфокальной микроскопии получены плоские" и объемные" карты краевой (экситонной) и примесно-дефектной люминесценции в указанном выше спектральном диапазоне, как в легированных, так и в нелегированных кристаллах. Показано, что области кристалла с высокой концентрацией железа имеют низкую интенсивность люминесценции в этом диапазоне. Обнаружено, что в процессе диффузии образуется несколько типов примесно-дефектных центров, распределение которых в объеме кристаллов носит сложный характер. Обсуждается природа этих центров.
- S. Mirov, V. Fedorov, D. Martyshkin, I. Moskalev, M. Mirov, S. Vasilyev. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 21 (1), 1 (2015)
- K.N. Firsov, E.M. Gavrishchuk, S.U. Kazantsev, I.G. Kononov, S.A. Rodin. Laser Phys. Lett., 11 (8), 085001 (2014)
- D.V. Martyshkin, D.V. Fedorov, M. Mirov, I. Moskalev, S. Vasilyev, S.B. Mirov. In: CLEO: OSA Technical Digest (2015) paper SF1F. 2
- Е.М. Гаврищук, В.Б. Иконников, С.Ю. Казанцев, И.Г. Кононов, С.А. Родин, Д.В. Савин, Н.А. Тимофеева, К.Н. Фирсов. Квант. электроника, 45 (9), 823 (2015)
- Д.В. Савин, Е.М. Гаврищук, В.Б. Иконников, О.Н. Еремейкин, А.С. Егоров. Квант. электрон., 45 (1), 8 (2015)
- А.А. Гладилин, Е.С. Гулямова, В.П. Данилов, Н.Н. Ильичев, В.П. Калинушкин, И.Н. Один, П.П. Пашинин, Р.Р. Резванов, А.В. Сидорин, М.И. Студеникин, В.А. Чапнин, М.В. Чукичев. Квант. электрон., 46 (6), 545 (2016)
- J. Peppers, V.V. Fedorov, S.B. Mirov. Opt. Express, 23 (4), 4406 (2015)
- В.П. Калинушкин, О.В. Уваров. ЖТФ, 86 (12), 119 (2016)
- Е.М. Гаврищук, А.А. Гладилин, В.П. Данилов, В.Б. Иконников, Н.Н. Ильичев, В.П. Калинушкин, А.В. Рябова, М.И. Студеникин, Н.А. Тимофеева, О.В. Уваров, В.А. Чапнин. Неорг. матер., 52 (11), 1 (2016)
- Yu.V. Korostelin, V.I. Koslovsky, A.S. Nasibov, P.V. Shapkin. J. Cryst. Growth, 161, 651 (1966)
- Yu.V. Korostelin, V.I. Koslovsky, A.S. Nasibov, P.V. Shapkin. J. Cryst. Growth, 197, 449 (1999)
- Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка (Кишинев, Штиинца, 1984)
- F.S. Rong, W.A. Barry, J.F. Donegan, G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 54 (11), 7779 (1996)
- L.L. Kulyuk, R. Laiho, A.V. Lashkul, E. Lahderanta, D.D. Nedeoglo, I.V. Radevici. Physica B, 405, 4330 (2010)
- M. Surma, M. Godlewski, T.R. Surkova. Phys. Rev. B, 50, 8319 (1994)
- M. Tabei, S. Shionoya, H. Ohmatsu. Jpn. J. Appl. Phys., 14, 240 (1975)
- Ю.Ф. Ваксман, Ю.А. Ницук, В.В. Яцун, А.С. Насибов, П.В. Шапкин. ФТП, 45 (9), 1171 (2011).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
