"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности подвижности электронов в слоистом полупроводнике n-InSe
Переводная версия: 10.1134/S106378261813002X
Абдинов А.Ш.1, Бабаева Р.Ф.2
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
2Азербайджанский Государственный экономический университет, Баку, Азербайджан
Email: abdinov-axmed@yandex.ru, babaeva-rena@yandex.ru
Поступила в редакцию: 19 февраля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1969 г.

Экспериментально исследованы зависимости холловской подвижности электронов от технологической предыстории изучаемого образца, температуры, электрического поля, легирования и воздействия света в выращенных видоизмененным методом Бриджмена монокристаллах n-InSe. Установлено, что в области температур ниже комнатной зависимости подвижности электронов от внешних факторов, исходного удельного сопротивления и легирования имеют аномальный, т. е. не подчиняющийся теории о подвижности свободных носителей заряда в квазиупорядоченных кристаллических полупроводниках, характер. Предполагалось, что эти аномалии обусловлены частичной неупорядоченностью и флуктуацией потенциала свободных энергетических зон монокристаллов n-InSe и могут управляться температурой, электрическим полем, легированием и воздействием света.
  1. З.С. Медведева. Халькогениды элементов III Б подгруппы периодической системы (М., Наука, 1968)
  2. С.И. Драпак, З.Д. Ковалюк. ФТП, 41 (10), 1214 (2007)
  3. Г.А. Ильчук, В.В. Кусьнэж, Р.Ю. Петрусь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, В.О. Украинец. ФТП, 41 (10), 1187 (2007)
  4. В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк. ФТП, 38 (4), 417 (2004)
  5. D. Errandonea, D. Martinez-Garcia, J. Ruiz-Fuertes et al. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 4 (4), 360 (2004)
  6. S.R. Tamalampudi, Y.Y. Lu, U.R. Kumar, R.Sankar, C.D. Liao, B.K. Moorthy, C.H. Cheng, F.C. Chou, Y.T. Chen. Nano Lett., 14 (5), 2800 (2014)
  7. C.H. Ho. 2D materials, 3 (2), 025019 (2016)
  8. J. Lauth, F.E.S. Gorris, M.S. Khoshkhoo, T. Ghasse, W. Friedrich, V. Lebedeva, A. Meyer, C. Klinke, A. Komowsld, M. Scheele. Chem. Mater., 28 (6), 1728 (2016)
  9. S.D. Lei, F.F. Wen, L.H. Ge, S. Najmaei, A. George, Y.J. Gong, W.L. Gao, Z.H. Jin, B.Li, J. Lou. Nano Lett., 15 (5), 3048 (2015)
  10. Z.S. Chen, J. Biscaras, A. Shukla. Nanoscale, 7 (14), 5981 (2015)
  11. S. Sucharitakul, N.J. Goble, U.R. Kumar, R. Sankar, Z.A. Bogorad, F.C. Chou, Y.T. Chen, X.P.A. Gao. Nano Lett., 15 (6), 3815 (2015)
  12. D.A. Bandurin, A.V. Tyurnina, G.L. Yu, A.Mishchenko, V. Zolyomi, S.V. Morozov, R.K. Kumar, R.V. Gorbachev, Z.R. Kudrynskyi, S. Pezzini, Z.D. Kovalyuk, U. Zeitler, K.S. Novoselov, A. Patane, L. Eaves, I.V. Grigorieva, V.I. Fal'ko, A.K. Geim, Y. Cao. Nature Nanotechnol., 12 (3), 223 (2017)
  13. W.B. Li, J. Li. Nano Research, 8 (12), 3796 (2015)
  14. R.W. Damon, R.W. Redington. Phys. Rev., 96, 1498 (1954)
  15. С.Н. Мустафаева, А.А. Исмаилов, М.М. Асадов. Физика низких температур, 36 (4), 310 (2010)
  16. В.М. Каминский, З.Д. Ковалюк, А.В. Заслонкин, В.И. Иванов. Неорг. матер., 48 (2), 144 (2012)
  17. М.Ю. Гусев, А.И. Дмитриев, А.Н. Зюганов, З.Д. Ковалюк, В.И. Лазоренко, Г.В. Лашкарев, П.С. Смертенко. ФТП, 24 (8), 1413 (1990)
  18. Г.Б. Абдуллаев, С.М. Атакишиев, Г.А. Ахундов. Некоторые вопросы экспериментальной и теоретической физики (Баку, Элм, 1967)
  19. Н.А. Рагимова, С.З. Джафарова, Г.И. Абуталыбов. Письма ЖТФ, 17 (3), 10 (1991)
  20. R.M. Rzayev. Azerbaijan J. Phys., 18 (3), 16 (2011)
  21. B. Gurbulak. Phys. Sсripta, 70, 197 (2004)
  22. Z.A. Iskenderzade, O.M. Sadykhov, A.Sh. Abdinov. Phys. Status Solidi A, 92 (1), 77 (1985)
  23. А.Ш. Абдинов, Р.Ф. Бабаева. Неорг. матер., 31 (8), 1020 (1995)
  24. А.Ш. Абдинов, Р.Ф. Бабаева, А.Т. Багирова, Р.М. Рзаев. Неорг. матер., 42 (9), 1035 (2006)
  25. A.Sh. Abdinov, A.M. Guseinov, Yu.G. Nurullayev, O.M. Sadykhov. Phys. Status Solidi A, 116 (2), k173 (1989)
  26. Н. Хенней. Химия твердого тела (М., Мир, 1971)
  27. Я.А. Угай. Общая и неорганическая химия (М., Высш. шк., 1997)
  28. А.И. Артеменко, В.А. Малеванный, И.В. Тикунова. Справочное руководство по химии (М., Высш. шк., 1990)
  29. Р.Ф. Мехтиев, Э.О. Османов, Ю.В. Рудь. Приборы и техника эксперимента, 2, 179 (1964)
  30. А.М. Гусейнов, Т.И. Садыхов. В сб.: Электрофизические свойства полупроводников и плазмы газового разряда (Баку, АГУ, 1989) с. 42
  31. Диаграммы состояния двойных металлических систем (М., Машиностроение, 1966)
  32. М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов (М., Металлургия, 1962) т. I и (М., Металлургия, 1968) т. II
  33. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1979)
  34. A. Likforman, D. Carre, Y. Etiune, B. Bachet. Acta Crystallogr., 31, 1252 (1975)
  35. K.C. Nadpol, S.Z. Ali. Indian J. Pure: Appl. Phys., 14, 434 (1976)
  36. T. Ohta, A. Klust, Y.A. Adams, Q. Yu, M.A. Olmstead, F.S. Ohuchi. Phys. Rev. B, 69, 125322 (2004)
  37. А.Ш. Абдинов, Я.Г. Гасанов, Ф.И. Мамедов. ФТП, 16 (6), 993 (1982)
  38. А.Ш. Абдинов, Я.Г. Акперов, В.К. Мамедов, Эль.Ю. Салаев. ФТП, 15 (1), 113 (1981)
  39. Н.Б. Брандт, З.Д. Ковалюк, В.А. Кульбачинский. ФТП, 22 (9), 1657 (1988)
  40. Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1991)
  41. Г.А. Ахундов, А.Ш. Абдинов, Н.М. Мехтиев, А.Г. Кязым-заде. ФТП, 8 (1), 192 (1974)
  42. А.Ш. Абдинов, А.Г. Кязым-заде. ФТП, 10 (1), 81 (1976)
  43. А.Я. Шик. ЖЭТФ, 15, 408 (1972)
  44. М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10 (2), 209 (1976)
  45. Э.Д. Головкина, Н.Н. Левченя, А.Я. Шик. ФТП, 10 (2), 383 (1976)
  46. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.