Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности подвижности электронов в слоистом полупроводнике n-InSe
Переводная версия: 10.1134/S106378261813002X 
Абдинов А.Ш.1, Бабаева Р.Ф.2
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан 
2Азербайджанский Государственный экономический университет, Баку, Азербайджан
2Азербайджанский Государственный экономический университет, Баку, Азербайджан
Email: abdinov-axmed@yandex.ru, babaeva-rena@yandex.ru
Поступила в редакцию: 19 февраля 2018 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1969 г.
Экспериментально исследованы зависимости холловской подвижности электронов от технологической предыстории изучаемого образца, температуры, электрического поля, легирования и воздействия света в выращенных видоизмененным методом Бриджмена монокристаллах n-InSe. Установлено, что в области температур ниже комнатной зависимости подвижности электронов от внешних факторов, исходного удельного сопротивления и легирования имеют аномальный, т. е. не подчиняющийся теории о подвижности свободных носителей заряда в квазиупорядоченных кристаллических полупроводниках, характер. Предполагалось, что эти аномалии обусловлены частичной неупорядоченностью и флуктуацией потенциала свободных энергетических зон монокристаллов n-InSe и могут управляться температурой, электрическим полем, легированием и воздействием света.
- З.С. Медведева. Халькогениды элементов III Б подгруппы периодической системы (М., Наука, 1968)
- С.И. Драпак, З.Д. Ковалюк. ФТП, 41 (10), 1214 (2007)
- Г.А. Ильчук, В.В. Кусьнэж, Р.Ю. Петрусь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, В.О. Украинец. ФТП, 41 (10), 1187 (2007)
- В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк. ФТП, 38 (4), 417 (2004)
- D. Errandonea, D. Martinez-Garcia, J. Ruiz-Fuertes et al. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 4 (4), 360 (2004)
- S.R. Tamalampudi, Y.Y. Lu, U.R. Kumar, R.Sankar, C.D. Liao, B.K. Moorthy, C.H. Cheng, F.C. Chou, Y.T. Chen. Nano Lett., 14 (5), 2800 (2014)
- C.H. Ho. 2D materials, 3 (2), 025019 (2016)
- J. Lauth, F.E.S. Gorris, M.S. Khoshkhoo, T. Ghasse, W. Friedrich, V. Lebedeva, A. Meyer, C. Klinke, A. Komowsld, M. Scheele. Chem. Mater., 28 (6), 1728 (2016)
- S.D. Lei, F.F. Wen, L.H. Ge, S. Najmaei, A. George, Y.J. Gong, W.L. Gao, Z.H. Jin, B.Li, J. Lou. Nano Lett., 15 (5), 3048 (2015)
- Z.S. Chen, J. Biscaras, A. Shukla. Nanoscale, 7 (14), 5981 (2015)
- S. Sucharitakul, N.J. Goble, U.R. Kumar, R. Sankar, Z.A. Bogorad, F.C. Chou, Y.T. Chen, X.P.A. Gao. Nano Lett., 15 (6), 3815 (2015)
- D.A. Bandurin, A.V. Tyurnina, G.L. Yu, A.Mishchenko, V. Zolyomi, S.V. Morozov, R.K. Kumar, R.V. Gorbachev, Z.R. Kudrynskyi, S. Pezzini, Z.D. Kovalyuk, U. Zeitler, K.S. Novoselov, A. Patane, L. Eaves, I.V. Grigorieva, V.I. Fal'ko, A.K. Geim, Y. Cao. Nature Nanotechnol., 12 (3), 223 (2017)
- W.B. Li, J. Li. Nano Research, 8 (12), 3796 (2015)
- R.W. Damon, R.W. Redington. Phys. Rev., 96, 1498 (1954)
- С.Н. Мустафаева, А.А. Исмаилов, М.М. Асадов. Физика низких температур, 36 (4), 310 (2010)
- В.М. Каминский, З.Д. Ковалюк, А.В. Заслонкин, В.И. Иванов. Неорг. матер., 48 (2), 144 (2012)
- М.Ю. Гусев, А.И. Дмитриев, А.Н. Зюганов, З.Д. Ковалюк, В.И. Лазоренко, Г.В. Лашкарев, П.С. Смертенко. ФТП, 24 (8), 1413 (1990)
- Г.Б. Абдуллаев, С.М. Атакишиев, Г.А. Ахундов. Некоторые вопросы экспериментальной и теоретической физики (Баку, Элм, 1967)
- Н.А. Рагимова, С.З. Джафарова, Г.И. Абуталыбов. Письма ЖТФ, 17 (3), 10 (1991)
- R.M. Rzayev. Azerbaijan J. Phys., 18 (3), 16 (2011)
- B. Gurbulak. Phys. Sсripta, 70, 197 (2004)
- Z.A. Iskenderzade, O.M. Sadykhov, A.Sh. Abdinov. Phys. Status Solidi A, 92 (1), 77 (1985)
- А.Ш. Абдинов, Р.Ф. Бабаева. Неорг. матер., 31 (8), 1020 (1995)
- А.Ш. Абдинов, Р.Ф. Бабаева, А.Т. Багирова, Р.М. Рзаев. Неорг. матер., 42 (9), 1035 (2006)
- A.Sh. Abdinov, A.M. Guseinov, Yu.G. Nurullayev, O.M. Sadykhov. Phys. Status Solidi A, 116 (2), k173 (1989)
- Н. Хенней. Химия твердого тела (М., Мир, 1971)
- Я.А. Угай. Общая и неорганическая химия (М., Высш. шк., 1997)
- А.И. Артеменко, В.А. Малеванный, И.В. Тикунова. Справочное руководство по химии (М., Высш. шк., 1990)
- Р.Ф. Мехтиев, Э.О. Османов, Ю.В. Рудь. Приборы и техника эксперимента, 2, 179 (1964)
- А.М. Гусейнов, Т.И. Садыхов. В сб.: Электрофизические свойства полупроводников и плазмы газового разряда (Баку, АГУ, 1989) с. 42
- Диаграммы состояния двойных металлических систем (М., Машиностроение, 1966)
- М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов (М., Металлургия, 1962) т. I и (М., Металлургия, 1968) т. II
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1979)
- A. Likforman, D. Carre, Y. Etiune, B. Bachet. Acta Crystallogr., 31, 1252 (1975)
- K.C. Nadpol, S.Z. Ali. Indian J. Pure: Appl. Phys., 14, 434 (1976)
- T. Ohta, A. Klust, Y.A. Adams, Q. Yu, M.A. Olmstead, F.S. Ohuchi. Phys. Rev. B, 69, 125322 (2004)
- А.Ш. Абдинов, Я.Г. Гасанов, Ф.И. Мамедов. ФТП, 16 (6), 993 (1982)
- А.Ш. Абдинов, Я.Г. Акперов, В.К. Мамедов, Эль.Ю. Салаев. ФТП, 15 (1), 113 (1981)
- Н.Б. Брандт, З.Д. Ковалюк, В.А. Кульбачинский. ФТП, 22 (9), 1657 (1988)
- Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1991)
- Г.А. Ахундов, А.Ш. Абдинов, Н.М. Мехтиев, А.Г. Кязым-заде. ФТП, 8 (1), 192 (1974)
- А.Ш. Абдинов, А.Г. Кязым-заде. ФТП, 10 (1), 81 (1976)
- А.Я. Шик. ЖЭТФ, 15, 408 (1972)
- М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10 (2), 209 (1976)
- Э.Д. Головкина, Н.Н. Левченя, А.Я. Шик. ФТП, 10 (2), 383 (1976)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
