Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Получение электроимпульсным плазменным спеканием термоэлектрических материалов на основе Si и Ge

DOI: 10.21883/FTP.2018.12.46756.35

Переводная версия: 10.1134/S1063782618120072

Ерофеева И.В.¹, Дорохин М.В.¹, Здоровейщев А.В.¹, Кузнецов Ю.М.^1,2, Попов А.А.^1,2, Ланцев Е.А.², Боряков А.В.³, Котомина В.Е.¹

¹Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

³Научно-исследовательский институт химии Нижегородского гoсударственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Chemistry, Nizhny Novgorod State University, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Chemistry, Nizhny Novgorod State University, Nizhny Novgorod, Russia

Email: irfeya@mail.ru

Поступила в редакцию: 25 апреля 2018 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы термоэлектрические материалы на основе SiGe, полученного электроимпульсным плазменным спеканием. Проведено варьирование степени легирования исходных материалов, степени перемешивания Si и Ge, а также свойств зеренной структуры сформированных образцов. Установлено, что использование исходных материалов, легированных донорными или акцепторными примесями позволяет управлять концентрацией носителей заряда в спеченных образцах. Показано, что концентрация носителей оказывает наиболее существенное влияние на энергетические характеристики термоэлектриков (фактор мощности). Для структур с наибольшей концентрацией носителей управление термоэлектрическими коэффициентами достигается путем варьирования степени перемешивания Ge и Si, а также однородности распределения примесей.

Termoelectric hand book macro to nano, ed. by D.M. Rowe (CRC Press, Boca Raton, 2006)
L. Hicks, M. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 47, 16631 (1993)
C. Gayner, K.K. Kar. Prog. Mater. Sci., 47, 330 (2016)
B. Yu, M. Zebarjadi, H. Wang, K. Lukas, H. Wang, D. Wang, C. Opeil, M. Dresselhaus, G. Chen, Z. Ren. Nano Lett., 12, 2077 (2012)
S. Bathula, M. Jayasimhadri, A. Dhar. Mater. Des., 87, 414 (2015)
R. Murugasami, P. Vivekanandhan, S. Kumarana, R. Suresh Kumar, T. John Tharakan. Scripta Mater., 143, 35 (2018)
D. Thompson, D. Hitchcock, A. Lahwal, T.M. Tritt. Emerging Mater. Res., 1, (EMR6), 299 (2012)
Z. Zhu, S. Guo. Key Eng. Mater., 703, 70 (2016)
S. Bathula, M. Jayasimhadri, N. Singh, A.K. Srivastava, J. Pulikkotil, A. Dhar, R.C. Budhani. Appl. Phys. Lett., 101 (21), 213902, (2012)
J.R. Szczech, J.M. Higgins, S. Jin. J. Mater. Chem., 21, 4037 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель