"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние электростатического поля периферии на вентильный фотоэффект в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
Переводная версия: 10.1134/S1063782618100202
Министерство образования и науки РФ , 8.4029.2017/4.6
Торхов Н.А. 1,2,3
1Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
2Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
3Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: trkf@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.

Исследования электростатической системы плоских контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки выявили нетривиальную зависимость их токовой и вольтовой фоточувствительностей (вентильного фотоэффекта) от формы контактов. Особенности использования вентильного фотоэффекта в таких контактах во многом определяются встроенным электростатическим полем периферии, модуль которого зависит от периметра и площади контактов. Таким образом, повышение эффективности преобразования контактами Шоттки световой энергии в электрическую требует использования методов оптимизации, в основе которых лежат изложенные в данной работе положения физической модели электростатической системы плоских контактов Шоттки с учетом электростатических полей периферии. Эффект резонанса горячих электронов", приводящий к увеличению внешней квантовой эффективности фотодиодов с барьером Шоттки, может быть объяснен усилением полевой эмиссии электронов электростатическим полем периферии.
  1. H. Hertz. Annalen der Physik, 267 (8), 983 (1887)
  2. Elster Julius, Geitel Hans. Annalen der Physik, 274 (12), 497 (1889)
  3. W. Schottky. Naturwissenschaften, 26, 843 (1938)
  4. H. Elabd, W. Kosonoky. RCA Rev., 43, 569 (1982)
  5. R.H. Fowler. Phys. Rev., 38, 45 (1931)
  6. V.L. Dalal. J. Appl. Phys., 42, 2227 (1971)
  7. V.E. Vichers. Appl. Optics, 10, 2190 (1971)
  8. Н.А. Торхов. ФТП, 44 (6), 767 (2010)
  9. Н.А. Торхов. ФТП, 45 (7) 965 (2011)
  10. В.Г. Божков, С.Е. Зайцев. Изв. вузов. Радиофизика, XLVII (9), 769 (2004)
  11. H.O. Jacobs, P. Leuchtmann, O.J. Homan, A. Stemmer. J. Appl. Phys., 84 (3), 1168 (1998)
  12. В.Г. Божков, Н.А. Торхов, И.В. Ивонин, В.А. Новиков. ФТП, 42 (5), 546 (2008)
  13. А.В. Анкудинов, В.П. Евтихеев, К.С. Ладутенко, А.Н. Титков, R. Laiho. ФТП, 40 (8), 1009 (2006)
  14. В.Л. Миронов. Основы сканирующей зондовой микроскопии (Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН, 2004)
  15. H.O. Jacobs, P. Leuchtmann, O.J. Homan, A. Stemmer. J. Appl. Phys., 84 (3), 1168 (1998)
  16. Н.А. Торхов, В.А. Новиков. ФТП, 45 (1), 70 (2011)
  17. Н.А. Торхов. ФТП, 44 (5), 615 (2010)
  18. Н.А. Торхов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 1, 1 (2010)
  19. Н.А. Торхов. Изв. вузов. Физика. Депонировано в ВИНИТИ N 334-В2008 от 18.04.2008
  20. Н.А. Торхов. ФТП, 45 (8), 1041 (2011)
  21. Л.И. Бабак, А.Ф. Купрейчик, В.А. Новиков, А.С. Сальников, Н.А. Торхов. Матер. III Междунар. заочной науч.-практ. конф. Наука вчера, сегодня, завтра" (Новосибирск, СибАК", 2013) с. 36
  22. Р.К. Мамедов. Контакты металл--полупроводник с электрическим полем пятен (Баку, БГУ, 2003)
  23. Н.А. Торхов, В.Г. Божков, И.В. Ивонин, В.А. Новиков. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 11, 1 (2009)
  24. Н.А. Торхов, В.А. Новиков, А.А. Мармалюк, Ю.Л. Рябоштан. Матер. 22-й Междунар. Крымской конф. СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (Севастополь, Крым, Украина, 2012) с. 633
  25. Н.А. Торхов, В.Г. Божков, В.А. Новиков, И.В. Ивонин. Матер. 25-й Междунар. Крымской конф. СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (Севастополь, Крым, Россия, 2015) с. 611
  26. J. Bardeen. Phys. Rev., 71 (10), 717 (1947)
  27. E.H. Rhoderick, R.H. Williams. Metall--semiconductor contacts. 2nd edn (Clarendon, Oxford, 1988)
  28. Н.А. Торхов, Л.И. Бабак, А.А. Коколов. Матер. 26-й Междунар. Крымской конф. СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (Севастополь, Крым, Россия, 2016) с. 275
  29. Н.А. Торхов. Заявка на полезную модель. 2016104746 от 11.02.2016

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.