Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Моделирование уровней размерного квантования Si-нанокристаллов в матрице SiO2: подбор параметров эмпирического метода сильной связи
Переводная версия: 10.1134/S1063782618100020 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: a_belolipetskiy@mail.ru
Поступила в редакцию: 12 марта 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.
Изучен вопрос оптимального выбора параметров эмпирического метода сильной связи для моделирования уровней размерного квантования кремниевых нанокристаллов, внедренных в аморфную матрицу SiO2. Для учета туннелирования из нанокристаллов в SiO2 аморфная матрица рассматривалась как виртуальный кристалл с зонной структурой, подобной зонной структуре beta-кристобалита SiO2, согласованный по величине постоянной решетки с объемным кремнием. В широком энергетическом интервале вычислены распределения электронной плотности в k-пространстве для электронов и дырок, размерно-квантованных в кремниевом нанокристалле в SiO2, что позволяет наглядно увидеть возможность существования эффективных прямых оптических переходов для "горячих" электронов на верхних уровнях размерного квантования.
- L. Pavesi, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, G. Franzo, F. Priolo. Nature, 408, 440 (2000)
- O. Boyraz, B. Jalali. Opt. Express, 12 (21), 5269 (2004)
- F. Priolo, T. Gregorkiewicz, T. Galli et al. Nature Nanotechnology, 9, 19 (2014)
- D. Timmerman, I. Izeddin, P. Stallinga, I.N. Yassievich, T. Gregorkiewicz. Nature Photonics, 2, 105 (2008)
- E. de Jong, S. Saeed, W. Sinke, T. Gregorkiewicz. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 135, 67 (2015)
- S. Saeed, E.M.L.D. de Jong, K. Dohnalova, T. Gregorkiewicz. Nature Commun., 5, 4665 (2014)
- M. Schnabel, C. Weiss, P. Loper, P.R. Wilshaw, S. Janz. Phys. Status Solidi A, 212 (8), 1649 (2015)
- J.-H. Park, L. Gu, G. von Maltzahn, E. Ruoslahti, S.N. Bhatia, M.J. Sailor. Nature Mater., 8, 331 (2009)
- K. Seino, F. Bechstedt, P. Kroll. Phys. Rev. B, 82, 085320 (2010)
- I. Marri, M. Govoni, S. Ossicini. Sol. Energy Mater. Solar Cells, 145, pt 2, 162 (2016)
- J.-M. Jancu, R. Scholz, F. Beltram, F. Bassani. Phys. Rev. B, 57 (11), 6493 (1998)
- А.В. Герт, М.О. Нестоклон, А.А. Прокофьев, И.Н. Яссиевич. ФТП, 51 (10), 1325 (2017)
- M.O. Nestoklon, A.N. Poddubny, P. Voisin, K. Dohnalova. J. Phys. Chem. C, 120 (33), 18901 (2016)
- T.B. Boykin, G. Klimeck, F. Oyafuso. Phys. Rev. B, 69, 115201 (2004)
- Y.M. Niquet, D. Rideau, C. Tavernier, H. Jaouen, X. Blase. Phys. Rev. B, 79, 245201 (2009)
- S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (Wiley, N. Y., 1981)
- Y. Xu, W.Y. Ching. Phys. Rev. B, 44 (20), 11048 (1991)
- M. Ribeiro, L.R.C. Fonseca, L.G. Ferreira. Phys. Rev. B, 79, 241312(R) (2009)
- C. Delerue, M. Lannoo, G. Allan. Phys. Rev. Lett., 84, 2457 (2000)
- A.S. Moskalenko, J. Berakdar, A.A. Prokofiev, I.N. Yassievich. Phys. Rev. B, 76, 085427 (2007)
- M.V. Wolkin, J. Jorne, P.M. Fauchet, G. Allan, C. Delerue. Phys. Rev. Lett., 82 (1), 197 (1999)
- S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi. Phys. Rev. B, 62 (24), 16820 (2000)
- W.D.A.M. de Boer, D. Timmerman, K. Dohnalova, I.N. Yassievich, H. Zhang, W.J. Buma, T. Gregorkiewicz. Nature Nanotechnology, 5 (28), 878 (2010)
- S. Furukawa, T. Miyasatoo. Phys. Rev. B, 38 (8), 5726 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
