Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2018, выпуск 10 » Статья стр. 1137
<<<>>>
Изучение влияния временных характеристик модулированной DC-плазмы с (SiH4-Ar-O2)-газовой фазой на рост ncl-Si в матрице a-SiOx:H (CO2=15.5 мол%)
DOI: 10.21883/FTP.2018.10.46453.8838
Переводная версия: 10.1134/S1063782618100214
Ундалов Ю.К.1, Теруков Е.И.1,2, Трапезникова И.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: undalov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 февраля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.
PDF версия
Проведено изучение влияния различных режимов работы модулированной по времени DC-плазмы на формирование аморфной матрицы a-SiOx:H и нанокластеров кремния с помощью ИК-спектров и спектров фотолюминесценции. Модуляция DC-плазмы заключалась в многократном (n=180) выключении и включении катушки магнита магнетрона с различным сочетанием времени toff=1, 2, 5, 10, 15 с и ton =5, 10, 15 с соответственно, при неизменной концентрации кислорода (CO2=15.5 мол%) в (SiH4 + Ar + О2)-газовой смеси. Подтверждено положительное влияние эффекта самоиндукции на формирование как аморфной матрицы, так и нанокластеров кремния. Наибольшие значения x в a-SiOx:H и интенсивности фотолюминесценции наблюдались при сочетании длительного пребывания плазмы в рабочем состоянии (ton=10-15 с) и наибольшего значения напряженности магнитного поля. Замечено также влияние величины toff на процессы формирования как матрицы a-SiOx:H, так и нанакластеров кремния.
  1. А. И. Гусев. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии (М., Физматгиз, 2007)
  2. И.П. Суздалев. Нанотехнология: Физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов (М., Книжный дом "ЛИБРОКОМ", 2009)
  3. О.Б. Гусев, А.Н. Поддубный, А.А. Прокофьев, И.Н. Яссиевич. ФТП, 47 (2), 147 (2013)
  4. B. Drevillon, J. Perrin, J.M. Siefert, J. Huc, A. Lioret, G. de Rosny, P.M. Schmitt. Appl. Phys. Lett., 42 (9), 801 (1983)
  5. Y. Watanabe, M. Shiratani, Y. Kubo, I. Ogana, S. Ogi. Appl. Phys. Lett., 53 (14), 1263 (1988)
  6. D.A. Doughty, A. Gallagher. Phys. Rev. A, 42, 6166 (1990)
  7. Y. Kanzawa, S. Hayashi, K. Yamamoto. J. Phys.: Condens. Matter, 8, 4823 (1996)
  8. L. Boufendi, J. Gaudin, S. Huet, G. Viera, M. Dudemaine. Appl. Phys. Lett., 79, 4301 (2001)
  9. A. Puzder, A.J. Williamson, J.C. Grossman, G. Galli. Phys. Rev. Lett., 88 (9), 09740 (2002)
  10. L. Boufendi, M.Ch. Jouanny, E. Kovacevic, J. Berndt, M.M. Kikian. J. Phys. D: Appl. Phys., 44 (17), 174035 (2011)
  11. Т.Т. Корчагина, Д.В. Марин, В.А. Володин, А.А. Попов, M. Vergnat. ФТП, 43 (11), 1557 (2009)
  12. A. Bouchoule, A. Plain, L. Boufendi, J.Ph. Blondeau, C. Laure. J. Appl. Phys., 70, 1991 (1991)
  13. L. Boufendi, A. Plain, J.Ph. Blondean, A. Bouchoule, C. Laure, M. Toogood. Appl. Phys. Lett., 60 (2), 169 (1992)
  14. L. Boufendi, J. Hermann, A. Bouchoule, B. Dubreuli, S.S. Stoffele, W.W. Stoffels, M.L. de Giorgi. J. Appl. Phys., 76 (1), 148 (1994)
  15. Ю.К. Ундалов, Е.И. Теруков, О.Б. Гусев, И.Н. Трапезникова. ФТП, 50 (4), 538 (2016)
  16. F. Fogarassy, A. Slaoui, M. Froment. Phys. Rev. B, 37, 6468 (1988)
  17. M.T. Swihart, S.L. Girshick. J. Phys. Chem. B, 103, 64 (1999)
  18. K. Koga, Y. Matsuoka, K. Tanaka, M. Shiratani, Y. Watanabe. Appl. Phys. Lett., 77, 196 (2000)
  19. L. Couedel, M.M. Mikikian, L. Boufendi, A.A. Samarian. Phys. Rev. E, 74, 026403 (2006)
  20. L. Couedel, A.A. Samarian, M. Mikikian, L. Boufendi. Physics Plasmas, 15, 063705 (2008).
  21. М.А. Олеванов, Ю.А. Манкелевич, Т.В. Рахимова. ЖЭТФ, 125 (2), 324 (2004)
  22. Y. Watanabe, M. Shiratani. Plasma. Sources Sci. Technol., 3, 286 (1994)
  23. G. Lucovsky, J. Yang, S.S. Chao, J.E. Tyler, W. Czubatyi. Phys. Rev. B, 28 (6), 3225 (1983)
  24. D.V. Tsu, G. Lucovsky, B.N. Davidson. Phys. Rev. B, 40, 1795 (1989)
  25. T. Fukuzawa, S. Kushima, Y. Matsuoka, M. Shiratani, Y. Watanabe. J. Appl. Phys., 86, 3543 (1999)
  26. C. Biasotto, A.M. Dalrini, R.C. Teixeira, F.A. Bascoli, J.A. Diniz, S.A. Moshkalev, I. Doi. J. Vac. Sci. Technol. B, 25, 1166 (2007)
  27. G. Lucovsky, J. Yang, S.S. Chao, J.E. Tyler, W. Czubatyi. Phys. Rev. B, 28 (6), 3225 (1983)
  28. G. Lucovsky, W.B. Pollard. J. Vac. Sci. Technol. A, 1 (2), 313 (1983)
  29. J.C. Knights, R.A. Street, G. Lucovsky. J. Non-Cryst. Sol., 35--36, 279 (1980)
  30. D.V. Tsu, G. Lucovsky, B.N. Davidson. Phys. Rev. B, 40, 1795 (1989)
  31. P.G. Pai, S.S. Chao, Y. Takagi, G. Lucovsky. J. Vac. Sci. Technol. A, 4, 689 (1986)
  32. G. Lucovsky. Sol. St. Commun., 29, 571 (1979)
  33. W.D.A.M. de Boer, D. Timmerman, K. Dohnalova, I.N. Yassievich, H. Zhang, W.J. Buma, T. Gregorkiewiecz. Nature Nanotechnology, 5, 878 (2010)
  34. G. Allan, C. Delerue, M. Lannoo. Phys. Rev. Lett., 78, 3161 (1997)
  35. M.P. Garrity, T.W. Peterson, J.F. O'Hanlon. J. Vac. Sci. Technol. A, 14, 550 (1996)
  36. L. Patrone, D. Nelson, V.I. Safarov, M. Sentis, W. Marine, S. Giorgio. J. Appl. Phys., 87 (8), 3829 (2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme