Многослойные InGaAs-гетероструктуры "квантовая яма-точки" в фотопреобразователях на основе GaAs
Минтаиров С.А.1,2, Калюжный Н.А.2, Надточий А.М.1,3,2, Максимов М.В.1,2, Неведомский В.Н.2, Сокура Л.А.2,4, Рувимов С.С.5, Шварц М.З.2, Жуков А.Е.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA
Email: mintairov@scell.ioffe.ru
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.
Исследованы GaAs-фотопреобразователи, содержащие гетероструктуры квантовая яма-точки (КЯТ), которые по своим свойствам являются промежуточными между квантовыми ямами и квантовыми точками. КЯТ были получены осаждением In0.4Ga0.6As номинальной толщиной 8 монослоев методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений и представляют собой плотный массив локализующих носители в трех направлениях упругонапряженных островков, образованных локальным увеличением толщины слоя InGaAs и(или) концентрации индия в нем. Обнаружено наличие двух уровней размерного квантования различной природы в структурах с КЯТ, которые проявляются на спектральных характеристиках GaAs-фотопреобразователей. Коротковолновый спектральный пик с максимумом в области 935 нм связан с поглощением в остаточной квантовой яме, а длинноволновый (1015-1030 нм) обусловлен поглощением в КЯТ. Исследования методом просвечивающей электронной микроскопии позволили установить, что увеличение числа слоев InGaAs приводит к росту упругих напряжений, которые в свою очередь приводят к заглублению уровней размерного квантования в КЯТ и длинноволновому сдвигу в спектральной зависимости внутреннего квантового выхода фотоответа.
- B. Browne, J. Lacey, T.Tibbits, G.Bacchin, T.-C. Wu, J.Q. Liu, X. Chen, V. Rees, J. Tsai, J.-G. Werthen. AIP Conf. Proceedings, 1556, 3 (2013)
- H. Fujii, T. Toprasertpong, Y. Wang, K. Watanabe, M. Sugiyama, Y. Nakano. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 22, 784 (2014)
- N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, R.A. Salii, A.M. Nadtochiy, A.S. Payusov, P.N. Brunkov, V.N. Nevedomsky, M.Z. Shvarts, A. Marti, V.M. Andreev, A. Luque. Progr. Photovol., 24 (9), 1261 (2016)
- S.A. Blokhin, A.V. Sakharov, A.M. Nadtochy, A.S. Pauysov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, N.A. Kaluzhniy, M.Z. Shvarts. Semiconductors, 43, 514 (2009)
- L.A. Coldren, S.W. Corzine, M.L. Mashanovitch. Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits, ISBN: 978-0-470-48412-8
- А.Е. Жуков, М.В. Максимов, А.Р. Ковш. ФТП, 46 (10), 1249 (2012)
- S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, I.L. Krestnikov, A.V. Kozhukhov, D.A. Livshits, N.N. Ledentsov, Yu.M. Shernyakov, I.I. Novikov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, Z.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 20, 340 (2005)
- Р.А. Салий, С.А. Минтаиров, П.Н. Брунков, А.М. Надточий, А.С. Паюсов, Н.А. Калюжный. ФТП, 49, 1136 (2015)
- S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 32, 015006 (2017)
- S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S. Rouvimov, A.E. Zhukov. Electron. Lett., 51 (20), 1602 (2015)
- S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S. Rouvimov, A.E. Zhukov. Nanotechnology, 26 (38), 385202 (2015)
- M.Z. Shvarts, A.E. Chalov, E.A. Ionova, V.R. Larionov, D.A. Malevskiy, V.D. Rumyantsev, S.S. Titkov. Proc. 20th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Barcelona, Spain, 2005) p. 278
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
