Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рекомбинация в GaAs p-i-n-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности

DOI: 10.21883/FTP.2018.10.46451.8878

Переводная версия: 10.1134/S1063782618100135

Минтаиров М.А.^1,2, Евстропов В.В.², Минтаиров С.А.², Салий Р.А.^1,2, Шварц М.З.², Калюжный Н.А.²

¹НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics Research and Engineering Center of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics Research and Engineering Center of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: mamint@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 2 апреля 2018 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментально и теоретически исследованы фотовольтаические структуры на основе GaAs p-i-n-перехода, содержащие в области пространственного заряда различное количество слоев In_0.4Ga_0.6As, образующих квантово-размерные объекты. Для всех структур были проанализированы зависимости напряжения холостого хода от кратности солнечного излучения. Показано, что введение квантовых объектов приводит к доминированию рекомбинации в них над рекомбинацией в матрице, что проявляется в падении напряжения холостого хода. Увеличение количества слоев In_0.4Ga_0.6As приводит к пропорциональному увеличению темпа рекомбинации, что выражается в пропорциональном росте тока насыщения" и соответствует предложенной в работе модели.

S.S. Mikhrin, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.P. Vasil'ev, E.S. Semenova, V.M. Ustinov, M.M. Kulagina, E.V. Nikitina, I.P. Soshnikov, Y.M. Shernyakov, D.A. Livshits, N.V. Kryjanovskaya, D.S. Sizov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Z.I. Alferov. Semiconductors, 36 (11), 1315 (2002)
S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, I.L. Krestnikov, A.V. Kozhukhov, D.A. Livshits, N.N. Ledentsov, Yu.M. Shernyakov, I.I. Novikov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 20, 340 (2005)
D. Alonso-Alvarez, T. Thomas, M. Fuhrer, N.P. Hylton, N.J. Ekins-Daukes, D. Lackner, S.P. Philipps, A.W. Bett, H. Sodabanlu, H. Fujii, K. Watanabe, M. Sugiyama, L. Nasi, M. Campanini. Appl. Phys. Lett., 105, 083124 (2014)
M. Sugiyama, H. Fujii, T. Katoh, K. Toprasertpong, H. Sodabanlu, K. Watanabe, D. Alonso-Alvarez, N.J. Ekins-Daukes, Y. Nakano. 31st Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. and Exhibition, Sept. 14-18 (Hamburg, Germany, 2015) p. 42
S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Lantratov, M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S. Rouvimov, A.E. Zhukov. Nanotechnology, 26, 385202 (2015)
M.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, V.V. Evstropov, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev, A. Luque. IEEE J. Photovolt., 5 (4), 1229 (2015)
M.A. Mintairov, V.V. Evstropov, N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, V.D. Rumyantsev, N.K. Timoshina, M.Z. Shvarts, V.M. Lantratov. Proc. 24th Eur. PV Solar Energy Conf. and Exhibition (Frankfurt, Germany, Sept. 24-28, 2012) p 459
J. Nelson, I. Ballard, K. Barnham, J.P. Connolly, J.S. Roberts, M. Pate. J. Appl. Phys., 86 (10), 5898 (1999)
M.A. Mintairov, V.V. Evstropov, M.Z. Shvarts, S.A. Mintairov, R.A. Salii, N.A. Kalyuzhnyy. AIP Conf. Proceedings, St. Petersburg (Russia), 1748, 050003 (2016)
C.T. Sah, R.N. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель