"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние глубоких центров на статистическую задержку микроплазменного пробоя в арсенид-галлиевых светодиодах
Переводная версия: 10.1134/S1063782618080080
Ионычев В.К.1, Шестеркина А.А.1
1Мордовский государственный университет, Саранск, Россия E-mail:
Email: microelektro@mail.ru
Поступила в редакцию: 11 октября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.

Проведено исследование статистической задержки пробоя микроплазмы в арсенид-галлиевых светодиодах. Обнаружено существенное влияние глубоких центров на микроплазменный пробой арсенид-галлиевых p-n-переходов. Показано, что при изменении зарядового состояния глубоких центров снижением обратного напряжения на p-n-переходе, статистическая задержка микроплазменного пробоя позволяет оценивать энергетический спектр глубоких уровней в микроплазменном канале. В температурном диапазоне 250-350 K обнаружено влияние трех глубоких уровней и определены их параметры.
  1. И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
  2. С.В. Булярский, Ю.П. Сережкин, В.К. Ионычев. ФТП, 33 (11), 1345 (1999)
  3. M.W. Nield, J.H. Leck. J. Appl. Phys., 18 (2), 185 (1967)
  4. K.I. Nuttall, M.W. Nield. Sol. St. Electron., 18 (1), 13 (1975)
  5. G. Ferenczi. Sol. St. Electron., 17 (9), 903 (1974)
  6. В.К. Ионычев, А.Н. Ребров. ФТП, 43 (7), 980 (2009)
  7. В.К. Ионычев, А.А. Шестеркина. ФТП, 51 (3), 386 (2017)
  8. А.С. Кюрегян, Ю.Н. Сережкин. ФТП, 15 (4), 689 (1981)
  9. С.В. Булярский, Ю.П. Сережкин, В.К. Ионычев. Письма ЖТФ, 25 (5), 9 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.