Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Динамика изменения фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения
Переводная версия: 10.1134/S1063782618080067 
Елистратова М.А.
1, Полоскин Д.С.1, Горячев Д.Н.
1, Захарова И.Б.
2, Сресели О.М.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: marina.elistratova@mail.ioffe.ru, dmitri.goryachev@mail.ioffe.ru, zakharova@rphf.spbstu.ru, Olga.Sreseli@mail .ioffe.ru
Поступила в редакцию: 21 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.
Представлены результаты исследования реадиационной стабильности нанопористого кремния в условиях gamma-облучения. Изменения, происходящие в структуре пористого кремния под действием gamma-облучения, регистрировались с помощью спектров фотолюминесценции и фурье-спектров пропускания в инфракрасной области. Было показано, что помимо появления точечных дефектов и последующего окисления наблюдаются существенные отличия в поведении свойств пористого кремния по сравнению с объемным кремнием, обусловленные квантово-размерной природой нанопористого кремния.
- А.И. Белоус, В.А. Солодуха, С.В. Шведов. Космическая электроника (М., Техносфера, 2015) гл. 9
- G. Lindstrom. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res., Sect. A, 512 (1), 30 (2003)
- Е.В. Астрова, Р.Ф. Витман, В.В. Емцев, А.Д. Ременюк, А.А. Лебедев, Д.С. Полоскин, Ю.В. Рудь. ФТП, 30 (3) 507 (1996)
- J.S. Fu, J.C. Mao, E. Wu, Y.Q. Jia, B.R. Zhang, L.Z. Zhang, Y.H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 63 (13), 1830 (1993)
- L.Z. Zhang, B.Q. Zong, B.R. Zhang, Z.H. Xu, J.Q. Li, G.G. Qin. J. Phys: Condens. Matter, 7 (3), 697 (1995)
- Н.Н. Герасименко, Д.И. Смирнов. Нано- и микросистемная техника, 9, 12 (2008)
- T.R. Oldham, F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Phys., 50 (3) 483 (2003)
- P.S. Bhave, V.N. Bhoraskar. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res., Sect. B, 127, 383 (1997)
- Ф.П. Коршунов, Г.В. Гатальский, Г.М. Иванов. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах (Минск, Наука и техника, 1978) гл. 9
- P. Li, G. Wang, Y. Ma, F. Fang. Phys. Rev. B, 58 (7), 4057 (1998)
- D. Xu, L. Sun, H. Li, L. Zhang, G. Guo, X. Zhao, L. Gui. New J. Chem., 27 (2), 300 (2003)
- М.А. Елистратова, Н.М. Романов, Д.Н. Горячев, И.Б. Захарова, О.М. Сресели. ФТП, 51 (4), 507 (2017)
- Д.И. Биленко, Д.В. Терин, О.Я. Белобровая, И.В. Галушка, Э.А. Жаркова, В.П. Полянская, В.И. Сидоров, И.Т. Ягудин. Нано-и биомедицинские технологии. Управление качеством. Проблемы и перспективы (Саратов, Техно-Декор, 2016) с. 15
- M.A. Elistratova, I.B. Zakharova, D.S. Poloskin, O.M. Sreseli. Mater. 11th Int. Conf. "Porous Semiconductors: Science and Technology", PSST-2018 (La Grande Motte, France, 2018) p. 109
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
