"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронные процессы в кристаллах CdIn2Te4
Переводная версия: 10.1134/S1063782618080079
Грушка О.Г.1, Чупыра С.М.1, Биличук С.В.1, Парфенюк О.А.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Email: o.grushka@chnu.edu.ua
Поступила в редакцию: 20 ноября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.

Приведены результаты исследования электрических, оптических и фотоэлектрических свойств кристаллов CdIn2Te4, выращенных методом Бриджмена. Показано, что электропроводность определяется преимущественно электронами с эффективной массой m_n=0.44 m0 и подвижностью 120-140 см2/(В·с), слабо зависящей от температуры. CdIn2Te4 ведет себя как частично компенсированный полупроводник с энергией ионизации донорных центров Ed=0.38 эВ и степенью компенсации K=Na/Nd=0.36. Спектры коэффициента поглощения при энергиях hnu<Eg=1.27 эВ подчиняются правилу Урбаха с характерной энергией 18-25 мэВ. Фотопроводимость зависит от толщины образца. По спектрам фотопроводимости определены диффузионная длина, время жизни носителей заряда и скорость поверхностной рекомбинации.
  1. D. Weitze, V. Leute. J. Alloys Comp., 236, 229 (1996)
  2. S.S. Ou, S.A. Eshraghi, O.M. Stafsudd, A.L. Gentile. J. Appl. Phys., 57 (2), 355 (1985)
  3. S. Kianian, S.A. Eshraghi, O.M. Stafsudd, A.L. Gentile. J. Appl. Phys., 62 (4), 1500 (1987)
  4. S. Ozaki, Y. Teke, S.Adachi. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 18, 347 (2007)
  5. П.М. Горлей, О.Г. Грушка, О.I. Воробець, З.М. Грушка. Укр. фiз. журн., 51 (5), 475 (2006)
  6. P.M. Gorley, Z.M. Grushka, O.G. Grushka, P.P. Gorley, I.I. Zabolotsky. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 13 (4), 444 (2010)
  7. К.В. Шалимова. Физика полупроводников (М., Энергия, 1976)
  8. П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977)
  9. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  10. V. Riede, H. Neumann. Solid State Commun., 78 (3), 211 (1991)
  11. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Изд-во физ.-мат. лит., 1963)
  12. Л.П. Павлов. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.