Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2018, выпуск 9 » Статья стр. 990
<<<>>>
Эффект Пула--Френкеля и возможность его применения для прогнозирования радиационного накопления заряда в термическом диоксиде кремния
DOI: 10.21883/FTP.2018.09.46143.8762
Переводная версия: 10.1134/S1063782618090166
Ширяев А.А.1, Воротынцев В.М.2, Шоболов Е.Л.1
1Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
Email: alsh92@rambler.ru
Поступила в редакцию: 7 ноября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.
PDF версия
Предложено применить эффект Пула-Френкеля для прогнозирования радиационно-индуцированного накопления заряда в термическом диоксиде кремния. Были рассмотрены различные механизмы электропроводности термического диоксида кремния, определены условия возникновения в нем эффекта Пула-Френкеля и рассчитаны характеристики донорных центров, участвующих в электропроводности Пула-Френкеля. Определен уровень донорных центров с энергией 2.34 эВ ниже дна зоны проводимости и получена концентрация ионизированных донорных центров, равная 1.0·109 см-3 при температуре 400 K и напряженности поля 10 МВ/см. Сделано заключение, что эффект Пула-Френкеля можно применить не для прогнозирования абсолютного значения радиационно-индуцированного заряда, а для сравнения образцов по способности его накапливать.
  1. G.K. Celler, S. Cristoloveanu. J. Appl. Phys., 93 (9), 4955 (2003)
  2. А.Л. Асеев, В.П. Попов, В.П. Володин, В.Н. Марютин. Нано- и микросистемная техника, 9, 23 (2002)
  3. А.Ю. Никифоров, В.А. Телец, А.И. Чумаков. Радиационные эффекты в КМОП ИС (М., Радио и связь, 1994)
  4. И.Б. Яшанин, Г.Г. Давыдов, А.Ю. Никифоров, Ю.М. Московская. Изв. вузов. Электроника, 5 (97), 11 (2012)
  5. T. Ouisse, S. Cristoloveanu, G. Borel. IEEE Electron Dev. Lett., 12 (6), 312 (1991)
  6. C.A. Pennise, H.A. Boesch. IEEE Trans. Nucl. Sci., 37 (6), 1990 (1990)
  7. R.E. Stahlbush, G.J. Campisi, J.B. McKitterick, W.P. Maszara, P. Roitman, G.A. Brown. IEEE Trans. Nucl. Sci., 39 (6), 2086 (1992)
  8. R.E. Stahlbush. IEEE Trans. Nucl. Sci., 43 (6), 2627 (1996)
  9. R.E. Stahlbush. IEEE Trans. Nucl. Sci., 44 (6), 2106 (1997).
  10. О.П. Гуськова, В.М. Воротынцев, Е.Л. Шоболов, Н.Д. Абросимова. Изв. вузов. Матер. электрон. техн., 4 (60), 28 (2012)
  11. Д.В. Николаев, И.В. Антонова, О.В. Наумова, В.П. Попов, С.А. Смагулова. ФТП, 37 (4), 443 (2003)
  12. А.Ю. Аскинази, А.П. Барабан, В.А. Дмитриев, Л.В. Милоглядова. Письма ЖТФ, 28 (23), 23 (2002)
  13. А.А. Ширяев, Е.Л. Шоболов, В.А. Герасимов. В сб.: XXI Нижегородская сессия молодых ученых. Технические науки: матер. докл., под ред. И.А. Зверевой (Княгинино, НГИЭУ, 2016) с. 105
  14. К.О. Петросянц, Е.В. Орехов, Л.М. Самбурский, И.А. Харитонов, А.П. Ятманов. Изв. вузов. Электроника, 2 (82), 81 (2010)
  15. О.П. Гуськова, В.М. Воротынцев, Н.Д. Абросимова, Е.Л. Шоболов, М.Н. Минеев. Неорг. матер., 48 (3), 272 (2012)
  16. А.В. Амирханов, С.И. Волков, А.А. Глушко, Л.А. Зинченко, В.В. Макарчук, В.А. Шахнов. Микроэлектроника, 45 (4), 252 (2016)
  17. S. Mayo, J.S. Suehle, P. Roitman. J. Appl. Phys., 74, 4113 (1993)
  18. H. Krause, R. Grunler. Phys. Status Solidi, 42 (1), 149 (1977)
  19. S.K. Gupta, A. Azam, J. Akhtar. Pramana J. Phys., 74 (2), 325 (2010)
  20. F.C. Chiu. Adv. Mater. Sci. Engin., 2014, 578168 (2014)
  21. J.G. Simmons. J. Phys. D: Appl. Phys., 4 (5), 613 (1971)
  22. Г.И. Зебрев. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах высокой степени интеграции (М., НИЯУ МИФИ, 2010)
  23. C. Sevik, C. Bulutay. J. Mater. Sci., 42 (16), 6555 (2007)
  24. B.D. Salvo, G. Ghibaudo, G. Panabnakakis, B. Guillaumo, G. Reimbold. Microelectron. Reliab., 39 (6-7), 797 (1999)
  25. Ф.П. Коршунов, Ю.В. Богатырев, В.А. Вавилов. Воздействие радиации на интегральные микросхемы (Минск, Наука и техника, 1986)
  26. C.T. Sah. IEEE Trans. Nucl. Sci., 23 (6), 1563 (1976)
  27. В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем (М., Энергоатомиздат, 1988)
  28. S.T. Pantelides, Z.Y. Lu, C. Nicklaw, T. Bakos, S.N. Rashkeev, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf. J. Non-Cryst. Sol., 354 (2-9), 217 (2008)
  29. К.И. Таперо, В.Н. Улимов, А.М. Членов. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения (М., БИНОМ. Лаборатория знаний, 2014)
  30. B. Balland, C. Plossu, S. Bardy Balland. Thin Sol. Films, 148 (2), 149 (1987).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme