"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs
Переводная версия: 10.1134/S1063782618070023
Авакянц Л.П.1, Боков П.Ю.1, Казаков И.П. 2, Базалевский М.А.2, Деев П.М.1, Червяков А.В.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: ipkazakov@yandex.ru, pavel_bokov@physics.msu.ru
Поступила в редакцию: 8 июня 2017 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

Методом спектроскопии фотоотражения исследованы механические напряжения и плотности зарядовых состояний слоев LT-GaAs (LT - low temperature), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si(100) и GaAs(100). В спектрах фотоотражения структур Si/LT-GaAs присутствуют линии от фундаментального перехода GaAs (Eg) в окрестности значения энергии 1.37 эВ, связанные с переходом между дном зоны проводимости и спин-орбитально отщепленной подзоной валентной зоны (Eg+DeltaSO) при 1.82 эВ. Обнаружено, что линия Eg сдвинута в область меньших энергий, а линия Eg+DeltaSO - в область больших энергий в сравнении с соответствующими линиями спектров образцов GaAs/LT-GaAs. Сравнительные исследования спектров Si/LT-GaAs и GaAs/LT-GaAs позволили оценить механические напряжения в слоях LT-GaAs, выращенных на Si (по величине сдвига спектральных линий) и плотность зарядовых состояний на гетероинтерфейсе GaAs/Si (по периоду осцилляций Франца-Келдыша).
  1. Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, А.С. Бугаев, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, П.П. Мальцев. ФТП, 49, 932 (2015)
  2. Д.А. Винокуров, В.М. Лантратов, М.А. Синицын, В.П Улин, Н.Н Фалеев, О.М. Федорова, Я.Л Шайович, Б.С Явич. ФТП, 25, 1022 (1991)
  3. Wu-Yih Uen, T. Ohori, T. Nishinaga. J. Cryst. Growth, 156, 133 (1995)
  4. J. Misiewicz, P. Sitarek, G. Sek, R. Kudrawiec. Mater. Sci., 21, 263 (2003)
  5. Л.П. Авакянц, П.Ю. Боков, А.В. Червяков. ЖТФ, 75, 66 (2005)
  6. D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 7, 4605 (1973)
  7. D.E. Aspnes. Surf. Sci., 37, 418 (1973)
  8. X. Zhang, K. Onabe, Y. Nitta, B. Zhang, S. Fukatsu, Y. Shraki, R. Ito. Jpn. J. Appl. Phys., 30, L1631 (1991)
  9. Л.П. Авакянц, П.Ю. Боков, Т.П. Колмакова, А.В. Червяков. ФТП, 38, 1429 (2004)
  10. Р.В. Кузьменко, А.В. Ганжа, О.В. Бочурова, Э.П. Домашевская, Й. Шрайбер, С. Хильдебрандт, Ш. Мо, Э. Пайнер, А. Шлахетцкий. ФТП, 34, 73 (2000)
  11. M.K. Hudait, S.B. Krupanidhi. J. Vac. Sci. Technol. B, 17, 1003 (1999)
  12. А.Н. Петровская, В.И. Зубков. ФТП, 43, 1368 (2009)
  13. S.C. Jain, M. Willander, H. Maes. Semicond. Sci. Technol., 11, 641 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.