Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si⁺

DOI: 10.21883/FTP.2018.07.46038.8759

Переводная версия: 10.1134/S1063782618070229

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-02-01070

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-32-50184

Министерство образования и науки Российской Федерации, 16.2737.2017/4.6

Совет по грантам Президента РФ, СП-1147.2018.3

Терещенко А.Н.^1,2, Королев Д.С.², Михайлов А.Н.², Белов А.И.², Никольская А.А.², Павлов Д.А.², Тетельбаум Д.И.², Штейнман Э.А.¹

¹Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Email: tan@issp.ac.ru

Поступила в редакцию: 31 октября 2017 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние имплантации бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si⁺ с последующим отжигом. Показано, что имплантация ионов B⁺ существенным образом влияет как на интенсивность и состав спектра дислокационной люминесценции, так и на ход температурной зависимости интенсивности полосы D1. Обнаружено, что зависимость не является монотонной и имеет две области возрастания интенсивности полосы D1 с ростом температуры, образуя максимумы при 20 и 60-70 K на температурной зависимости. Максимум при 20 K связан с особенностями морфологии исследуемой дислокационной структуры, в то время как максимум при 60-70 K связан с дополнительной имплантацией примеси бора в дислокационную область образцов. Установлено, что интенсивности наблюдаемых максимумов, а также положение высокотемпературного максимума зависят от концентрации имплантированных ионов B⁺.

V. Kveder, M. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Zeibt, W. Schroter. Appl. Phys. Lett., 84, 2106 (2004)
Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, Е.И. Шек, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 41 (5), 555 (2007)
Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, М.В. Коновалов, П.Н. Аруев, В.В. Забродский, Е.И. Шек, К.Ф. Штельмах, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 50 (2), 241 (2016)
Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, Р.Н. Кютт, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, Е.И. Шек, В.В. Афросимов, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 45 (9), 1182 (2011)
D.I. Tetelbaum, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.S. Korolev, A.N. Shushunov, A.I. Bobrov, D.A. Pavlov, E.I. Shek, N.A. Sobolev. Phys. Status Solidi C, 12 (1--2), 84 (2015)
А.Н. Михайлов, А.И. Белов, Д.С. Королев, А.О. Тимофеева, В.К. Васильев, А.Н. Шушунов, А.И. Бобров, Д.А. Павлов, Д.И. Тетельбаум, Е.И. Шек. ФТП, 48 (2), 212 (2014)
Н.А. Дроздов, А.А. Патрин, В.Д. Ткачев. Письма ЖЭТФ, 23 (11), 651 (1976)
E.A. Steinman, V.I. Vdovin, T.G. Yugova, V.S. Avrutin, N.F. Izyumskaya. Semicond. Sci. Technol., 14, 582 (1999)
R. Sauer, Ch. Kisielowski-Kemmerich, H. Alexander. Phys. Rev. Lett., 57, 1472 (1986)
A.N. Izotov, A.I. Kolyubakin, S.A. Shevchenko, E.A. Steinman. Phys. Status Solidi A, 130, 193 (1992)
E.A. Steinman. Phys. Status Solidi C, 2 (6), 1837 (2005)
E.A. Steinman, A.N. Tereshchenko, V.I. Orlov, F. Kirscht. Sol. St. Phenomena, 108--109, 767 (2005)
E.A. Steinman, A.N. Tereshchenko, N.V. Abrosimov. Sol. St. Phenomena, 131--133, 607 (2008)
S.N. Nagornykh, V.I. Pavlenkov, D.I. Tetelbaum, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.S. Korolev, A.N. Shushunov, A.I. Bobrov, D.A. Pavlov, E.I. Shek. Modern Electronic Mater., 1 (2), 33 (2015)
E.A. Steinman, O. Kononchuk, A.N. Tereshchenko, A.A. Mazilkin. Sol. St. Phenomena, 156--158, 555 (2010)
K.L. Shaklee, R.E. Nahory. Phys. Rev. Lett., 24, 942 (1970)
J. Adey, J.P. Goss, R. Jones, P.R. Briddon. Physica B, 340--342, 505 (2003)
J. Adey, J.P. Goss, R. Jones, P.R. Briddon. Phys. Rev. B, 67, 245325 (2003)
К.В. Феклистов, Л.И. Федина, А.Г. Черков. ФТП, 44 (3), 302 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель