Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2018, выпуск 6 » Статья стр. 544
<<<>>>
Квазиклассическая модель статической электропроводности сильно легированных вырожденных полупроводников при низких температурах
DOI: 10.21883/FTP.2018.06.45913.8651
Переводная версия: 10.1134/S1063782618060192
Министерство образования Республики Беларусь, Материаловедение и технологии материалов
Поклонский Н.А. 1, Вырко С.А. 1, Деревяго А.Н.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Email: poklonski@bsu.by
Поступила в редакцию: 17 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2018 г.
PDF версия
Рассматриваются кристаллы германия, кремния, арсенида галлия и антимонида индия n-типа на металлической стороне перехода изолятор-металл (перехода Мотта). В квазиклассическом приближении рассчитываются статическая (на постоянном токе) электрическая проводимость и дрейфовая подвижность электронов c-зоны, а также электростатические флуктуации их потенциальной энергии и порог подвижности. Считается, что единичный акт упругого кулоновского рассеяния подвижного электрона происходит только в сферической области кристаллической матрицы, в центре которой расположен ион примеси. Результаты расчетов по предложенным формулам без использования подгоночных параметров численно согласуются с экспериментальными данными в широком диапазоне концентраций водородоподобных доноров при слабой и умеренной их компенсации акцепторами.
  1. Т.Т. Мнацаканов, М.Е. Левинштейн, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков. ФТП, 38 (1), 56 (2004)
  2. Г.Б. Лесовик, И.А. Садовский. УФН, 181 (10), 1041 (2011)
  3. В.Ф. Гантмахер. Физика низких температур, 39 (1), 5 (2013)
  4. Radiation Effects in Semiconductors, ed. by K. Iniewski (Boca Raton, CRC Press, 2011)
  5. A.H. Johnston. In: Proc. 4th Int. Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (Tsukuba, Japan, October 11-13, 2000) p. 1
  6. А.А. Лебедев, В.В. Козловский, Н.Б. Строкан, Д.В. Давыдов, A.M. Иванов, A.M. Стрельчук, Р. Якимова. ФТП, 36 (11), 1354 (2002)
  7. B.J. Baliga. Fundamentals of Power Semiconductor Devices (Berlin, Springer, 2008)
  8. И.В. Грехов, Г.А. Месяц. УФН, 175 (7), 735 (2005)
  9. M. Cuevas, H. Fritzsche. Phys. Rev., 139 (5A), 1628 (1965)
  10. M. Cuevas, H. Fritzsche. Phys. Rev., 137 (6A), 1847 (1965)
  11. P.W. Chapman, O.N. Tufte, J.D. Zook, D. Long. J. Appl. Phys., 34 (11), 3291 (1963)
  12. C. Yamanouchi, K. Mizuguchi, W. Sasaki. J. Phys. Soc. Jpn., 22 (3), 859 (1967)
  13. В.М. Глазов. Матер. электрон. техники, N 2, 15 (1998)
  14. N.F. Mott. Metal--Insulator Transitions (London, Taylor and Francis, 1990)
  15. Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, А.Г. Забродский. ФТТ, 46 (6), 1071 (2004)
  16. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990) гл. 19
  17. Н.А. Поклонский, С.А. Вырко. ЖПС, 69 (3), 375 (2002)
  18. N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, V.I. Yatskevich, A.A. Kocherzhenko. J. Appl. Phys., 93 (12), 9749 (2003)
  19. N.A. Poklonski, A.A. Kocherzhenko, S.A. Vyrko, A.T. Vlassov. Phys. Status Solidi B, 244 (10) 3703 (2007)
  20. N.L. Lavrik, V.P. Voloshin. J. Chem. Phys., 114 (21), 9489 (2001)
  21. J. Robertson. Phil. Mag. B, 66 (2), 199 (1992)
  22. B.M. Askerov. Electron Transport Phenomena in Semiconductors (Singapore, World Scientific, 1994)
  23. B.I. Shklovskii, A.L. Efros. Electronic Properties of Doped Semiconductors (Berlin, Springer, 1984)
  24. E.O. Kane. Solid-State Electron., 28 (1, 2), 3 (1985)
  25. Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, О.Н. Поклонская, А.Г. Забродский. ФТП, 50 (6), 738 (2016)
  26. N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, O.N. Poklonskaya, A.I. Kovalev, A.G. Zabrodskii. J. Appl. Phys., 119 (24), 245701 (2016)
  27. Quantum and Semi-classical Percolation and Breakdown in Disordered Solids, ed. by A.K. Sen, K.K. Bardhan and B.K. Chakrabarti (Berlin, Springer, 2009)
  28. Дж. Займан. Модели беспорядка. Теоретическая физика однородно неупорядоченных систем (М., Мир, 1982) гл. 13
  29. Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, С.Л. Поденок. Статистическая физика полупроводников (М., КомКнига, 2005)
  30. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978) гл. 8
  31. K. Seeger. Semiconductor Physics: An Introduction (Berlin, Springer, 2004) chap. 6
  32. V. Palenskis. World J. Condens. Matter Phys., 4 (3), 123 (2014)
  33. E. Conwell, V.F. Weisskopf. Phys. Rev., 77 (3), 388 (1950)
  34. B.K. Ridley. Quantum Processes in Semiconductors (Oxford, Oxford University Press, 2013) chap. 4
  35. V.G. Baryshevskii, I.D. Feranchuk, P.B. Kats. Phys. Rev. A, 70, 052701 (2004)
  36. C. Hamaguchi. Basic Semiconductor Physics (Berlin, Springer, 2010) chap. 6
  37. А.Я. Шик. ФТП, 17 (12), 2220 (1983)
  38. В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ФТП, 12 (10), 2055 (1978)
  39. D. Chattopadhyay, H.J. Queisser. Rev. Mod. Phys., 53 (4), 745 (1981)
  40. M.J. Katz. Phys. Rev., 140 (4A), 1323 (1965).
  41. H. Fritzsche. J. Phys. Chem. Sol., 6 (1), 69 (1958)
  42. Y. Furukawa. J. Phys. Soc. Jpn., 17 (4), 630 (1962)
  43. J.R. Meyer, F.J. Bartoli. Phys. Rev. B, 36 (11), 5989 (1987)
  44. J.B. Krieger, T. Meeks. Phys. Rev. B, 8 (6), 2780 (1973)
  45. П.И. Баранский, В.В. Коломоец, Ю.А. Охрименко. ФТП, 19 (10), 1768 (1985)
  46. J.B. Krieger, J. Gruenebaum, T. Meeks. Phys. Rev. B, 9 (8), 3627 (1974)
  47. Н.А. Якушева, Г.М. Белобородов. Неорг. матер., 26 (1), 9 (1990)
  48. E. Kuphal, A. Schlachetzki, A. Pocker. Appl. Phys., 17 (1), 63 (1978)
  49. T. Slupinski, M. Molas, J. Papierska. Acta Phys. Polon. A, 116 (5), 979 (2009)
  50. G.B. Stringfellow. J. Appl. Phys., 50 (6), 4178 (1979)
  51. D. Lancefield, A.R. Adams, M.A. Fisher. J. Appl. Phys., 62 (6), 2342 (1987)
  52. R.T. Bate, R.D. Baxter, F.J. Reid, A.C. Beer. J. Phys. Chem. Sol., 26 (8), 1205 (1965)
  53. В.И. Петровский, Н.Н. Соловьев, Э.М. Омельяновский, В.С. Ивлева. ФТП, 12 (10), 1904 (1978)
  54. В.С. Ивлева, М.Н. Кеворков, Р.С. Митрофанова, А.Н. Попков, В.И. Селянина. ФТП, 12 (3), 534 (1978)
  55. E. Litwin-Staszewska, W. Szymanska, R. Piotrzkowski. Phys. Status Solidi B, 106 (2), 551 (1981)
  56. O. Madelung. Semiconductors: Data Handbook (Berlin, Springer, 2004)
  57. S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (Chippenham, Wiley, 2009)
  58. В.Т. Бублик, С.С. Горелик, А.Н. Дубровина. ФТТ, 10 (9), 2846 (1968)
  59. В.В. Емцев, М.И. Клингер, Т.В. Машовец. Письма ЖЭТФ, 19 (9), 575 (1974)
  60. R.S. Sorbello. Phys. Status Solidi B, 100 (1), 347 (1980)
  61. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
  62. R.P. Joshi, D.K. Ferry. Semicond. Sci. Technol., 7 (3B), B319 (1992)
  63. H. Brooks. Phys. Rev., 83 (4), 879 (1951)
  64. Л.П. Кудрин. Статистическая физика плазмы (М., Атомиздат, 1974) гл. 1, 2
  65. Д.А. Франк-Каменецкий. Лекции по физике плазмы (М., Атомиздат, 1968) гл. 1
  66. A. Schmid. Z. Physik, 271 (3), 251 (1974)
  67. Y.J. Zhang, Z.Q. Li, J.J. Lin. EPL, 103, 47002 (2013)
  68. А.В. Дмитриев. ФТТ, 32 (12), 3647 (1990)
  69. В.И. Окулов. Физика низких температур, 30 (11), 1194 (2004)
  70. Б.М. Смирнов. УФН, 138 (3), 517 (1982).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme